《電子技術(shù)應(yīng)用》
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QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)
摘要: 為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生,。QDR SRAM就是由Cypress,、Renesas、IDT,、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器。
Abstract:
Key words :
  為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,,更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生,。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas,、IDT,、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器

  1 QDR SRAM的介紹及其性能描述

  1.1 QDR的先進(jìn)性 

  現(xiàn)有的大部分SRAM都是在PC時(shí)期針對(duì)高效傳輸PC型單精度輸入輸出數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)的,。在大多數(shù)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中,,SRAM和記憶控制器之間的連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸是必需的。在這些應(yīng)用中,,存儲(chǔ)器的讀和寫操作之間要進(jìn)行連續(xù)不斷的變化,。在這種情況下標(biāo)準(zhǔn)的同步管道SRAM等單一的輸入/輸出裝置就不能很好地滿足要求。零總線變換SRAM就是一種優(yōu)化了的SRAM類型,。它在讀周期與寫周期切換時(shí)不需要變換周期,,從而使得總線利用率達(dá)到了100%。而對(duì)大多數(shù)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來說,,零總線變換SRAM在數(shù)據(jù)吞吐量方面的提高還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,。QDR的出現(xiàn)則進(jìn)一步改進(jìn)了SRAM結(jié)構(gòu)。

  QDR就是指四倍數(shù)據(jù)速率SRAM,它是靜態(tài)存儲(chǔ)器的一種,,是專為應(yīng)付帶寬需求極大的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的體系結(jié)構(gòu),。它在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以高效地傳輸4個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。QDR提供了讀和寫兩個(gè)分別獨(dú)立的接口,,從而滿足了諸如ATM轉(zhuǎn)換和路由器的性能需求,。由于QDR SRAM的結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)訪問時(shí)不需要變換周期且數(shù)據(jù)吞吐量大幅提高,所以保證了可以對(duì)同一地址進(jìn)行同時(shí)訪問,。

  QDR又分為兩字突發(fā)結(jié)構(gòu)(CY7C1302)和四字突發(fā)結(jié)構(gòu)(CY7C1304)兩種,。這兩種結(jié)構(gòu)的不同就在于每次讀或?qū)懻?qǐng)求的傳輸字?jǐn)?shù)不同。下面就以CY7C1302為例來詳細(xì)介紹QDR的工作原理及其與Spartan3系列FPGA的接口設(shè)計(jì),。CY7C1302是賽普拉斯公司生產(chǎn)的一種QDR SRAM,。圖1示出了CY7C1302的結(jié)構(gòu)圖。圖中雖然CY7C1302有了分別獨(dú)立的讀寫端口,,但是地址總線還是為讀寫端口共用,。地址總線的數(shù)據(jù)傳輸采用了DDR的傳輸方式,即:地址總線的前半個(gè)時(shí)鐘周期提供讀操作地址,,而后半個(gè)時(shí)鐘周期提供寫操作地址,。也就是在每個(gè)時(shí)鐘周期可以完成4字的傳輸量。

CY7C1302的結(jié)構(gòu)圖

  1.2 QDR SRAM的輸入狀態(tài)描述

  QDR SRAM有四個(gè)時(shí)鐘:K,,Kn,,C和Cn。K和Kn是用來控制輸入數(shù)據(jù)采樣的,,C和Cn則是用來控制SRAM數(shù)據(jù)輸出的,。所有的數(shù)據(jù)操作都是在K的上升沿進(jìn)行的。QDR SRAM有一個(gè)簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu),。兩個(gè)控制信號(hào):讀控制信號(hào)(RPSn)和寫控制信號(hào)(WPSn)分別用來控制SRAM的讀和寫操作的進(jìn)行,。這兩種信號(hào)在K的上升沿時(shí)刻被采樣。對(duì)QDR來說,,地址的輸入是讀端口和寫端口所共用的,。對(duì)于CY7C1302來說,讀操作是在K的上升沿時(shí)刻開始進(jìn)行的,,寫操作是在Kn的上升沿時(shí)刻開始進(jìn)行的,。即地址總線的前半個(gè)時(shí)鐘周期提供讀操作的地址,,后半個(gè)時(shí)鐘周期提供寫操作的地址,。其數(shù)據(jù)線是單向的,在每個(gè)循環(huán)周期內(nèi)可以傳輸兩個(gè)字的數(shù)據(jù),。

  一個(gè)時(shí)鐘的上升沿可以使QDR SRAM在同一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)同一地址的讀,、寫訪問。這樣QDR就會(huì)把寫數(shù)據(jù)傳輸?shù)阶x端口以確保把有效的數(shù)據(jù)輸出至數(shù)據(jù)總線。這樣就保證了數(shù)據(jù)的一致性,。

  2 低成本解決方案

  2.1 用Spartan3作為QDR的存儲(chǔ)控制器

  Spartan3系列FPGA是由Xilinx公司基于成功的Virtex-II FPGA架構(gòu)而研發(fā)的性價(jià)比較高的一種產(chǎn)品,。Spartan3器件有如下特點(diǎn):嵌入式18×18乘法器支持高性能DSP應(yīng)用;片上數(shù)字時(shí)鐘管理(DCM),無需外部時(shí)鐘管理器件;分布式的存儲(chǔ)器和SRL16移位寄存器邏輯能夠更高效執(zhí)行DSP功能;18KB 塊RAM,,可以用作緩存或是高速緩存;數(shù)字片上終端能夠消除對(duì)多個(gè)外部電阻器的需求;8個(gè)獨(dú)立的I/O陣列支持24種不同的I/O標(biāo)準(zhǔn);Spartan3系列的FPGA獨(dú)有的特性可以簡(jiǎn)化存儲(chǔ)控制器的設(shè)計(jì),。圖2是用Spartan3系列FPGA實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)控制器結(jié)構(gòu)圖。

用Spartan3系列FPGA實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)控制器結(jié)構(gòu)圖

  該存儲(chǔ)控制器的設(shè)計(jì)可以在深度擴(kuò)展模式下實(shí)現(xiàn)對(duì)四個(gè)SRAM的控制,。每個(gè)QDR SRAM會(huì)收到對(duì)各自的讀寫端口進(jìn)行控制的相互獨(dú)立的控制信號(hào),,而對(duì)所有的SRAM來說,地址和數(shù)據(jù)端口是共用的,。

  存儲(chǔ)控制器是以QDR SRAM工作在單時(shí)鐘模式下對(duì)其進(jìn)行控制的,,從而可以簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口??刂破鞴ぷ髟?00MHz的時(shí)鐘頻率下,,允許7.2Gbps的帶寬。存儲(chǔ)控制器有獨(dú)立的讀寫狀態(tài)機(jī),,存儲(chǔ)控制器的控制是基于兩位指令輸入的形式來實(shí)現(xiàn)的,。

  2.2 QDR SRAM和Xilinx Spartan3系列FPGA的接口連接

  Spartan3系列的FPGA獨(dú)有的特性可以簡(jiǎn)化存儲(chǔ)控制器的設(shè)計(jì)。Spartan3系列產(chǎn)品是業(yè)界成本最低的可編程邏輯電路,。在Spartan3系列FPGA中,,有DCM(數(shù)字時(shí)鐘管理)模塊,可以用來消除內(nèi)部全局時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的時(shí)鐘歪斜,,或者消除為片外其他系統(tǒng)組成部分提供時(shí)鐘的過程中所出現(xiàn)的時(shí)鐘歪斜,。DCM中的DLL能夠使控制器完成FPGA的片上時(shí)鐘和QDR SRAM之間的零時(shí)鐘歪斜。除此之外,,DCM還提供其他的功能,,如相位調(diào)解,分頻和倍頻,。圖3所示為DCM在存儲(chǔ)控制器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,。

DCM在存儲(chǔ)控制器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

  2.2.1 時(shí)序的實(shí)現(xiàn)

  該設(shè)計(jì)的難點(diǎn)就在于如何滿足CY7C1302的時(shí)序要求。所有的CY7C1302信號(hào)都被寄存在I/O緩沖器以及HSTL緩沖器中,。在寫周期的時(shí)間里,,所有的信號(hào)必須滿足那些數(shù)據(jù)建立和保持時(shí)間的要求。這就意味著必須應(yīng)付來自Spartan FPGA(時(shí)鐘輸出)的傳輸總延遲,,板的接線延遲以及QDR的記憶建立時(shí)間,。所有的延遲總和必須少于寫操作的時(shí)間周期,即要求:

  Tco(FPGA)+Tpd(Board)+Tsu(QDR SRAM)實(shí)際:

  2.5ns+0.6ns+0.8ns=3.8ns

  可見時(shí)鐘輸出時(shí)間和QDR的建立時(shí)間值分別為2.5ns和0.8ns,。因此對(duì)板延遲來說有個(gè)很充足的時(shí)間盈余,,QDR存儲(chǔ)器要求必須有0.5ns的保持時(shí)間,。

  在讀周期時(shí)間,數(shù)據(jù)必須滿足FPGA的建立和保持時(shí)間,。

  即:

  Tco(QDR SRAM)+Tpd(Board)+Tsu(Spartan3)實(shí)際:

  2.5ns+0.6ns+1.55ns=4.65ns

  Spartan3系列FPGA的建立時(shí)間是1.55ns,。再加上QDR SRAM的時(shí)鐘輸出時(shí)間為2.5ns,這些時(shí)間要求使得系統(tǒng)工作在100MHz時(shí)鐘下就可以有很充足的時(shí)間盈余,。為確保該控制器的正常工作,,必須要求FPGA的可配置邏輯模塊數(shù)不少于100,至少2個(gè)數(shù)字時(shí)鐘管理模塊,,2個(gè)全局時(shí)鐘緩沖模塊以及119個(gè)I/O緩沖模塊,。若使用更快速的Spartan3系列FPGA可以使該設(shè)計(jì)的接口性能得到進(jìn)一步的提高。

  2.2.2設(shè)計(jì)的綜合

  經(jīng)過綜合以后的結(jié)果表明:完全控制器的邏輯圖顯示存儲(chǔ)器和它的三路18位總線之間的接口以及主機(jī)和雙重36位數(shù)據(jù)總線,、18位地址總線的接口,。Spartan3系列FPGA的內(nèi)部時(shí)鐘工作在200MHz,由于DDR接口在時(shí)鐘的上升沿和下降沿均傳輸數(shù)據(jù),,所以外部總線的時(shí)鐘只需100MHz,。來自主機(jī)的36位讀數(shù)據(jù)通路在內(nèi)部就被分為兩個(gè)18位的部分并分別設(shè)置了寄存器鎖存。這兩個(gè)寄存器工作在200MHz的時(shí)鐘下,,在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都只允許一個(gè)寄存器發(fā)送或接收數(shù)據(jù),。

  該設(shè)計(jì)旨在利用低成本的FPGA實(shí)現(xiàn)高性能QDR SRAM的接口連接。故選擇了具有低成本與豐富性能的結(jié)合Spartan-3系列的FPGA,,它能夠以最高的性價(jià)比實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)功能,。該接口設(shè)計(jì)的實(shí)際意義更在于,Spartan-3系列FPGA內(nèi)部具有的可配置I/O單元,。因?yàn)橥ㄟ^在實(shí)現(xiàn)中配置相應(yīng)選項(xiàng),,可使不同的I/O單元滿足不同的I/O標(biāo)準(zhǔn),從而使得Spartan-3系列的FPGA在通信領(lǐng)域中應(yīng)用非常便捷,。在該設(shè)計(jì)中存儲(chǔ)器控制器必須工作在HSTL電壓以便支持存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器控制器的輸入輸出的高速數(shù)據(jù)操作,。

  除此之外,在可編程的片上系統(tǒng)SOPC(System On Programmable Chip)中,,為了簡(jiǎn)化系統(tǒng)的結(jié)構(gòu),,提高系統(tǒng)的整體性能,必須接入外部存儲(chǔ)器,。SOPC技術(shù)的目標(biāo)就是試圖將盡可能大而完整的電子系統(tǒng)在單一FPGA中實(shí)現(xiàn),。這就必須在FPGA芯片上外接存儲(chǔ)器以用來存儲(chǔ)FPGA所要處理的數(shù)據(jù)或者在進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)用來對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行暫存以及輔助完成一些其他功能。SOPC的發(fā)展使得該設(shè)計(jì)的應(yīng)用進(jìn)一步推廣,。

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