在使用 MCU 的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,,當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或 SRAM 時(shí),開(kāi)發(fā)者通??紤]使用 SDRAM,。
別問(wèn)我為什么你的 MCU 不支持 SDRAM。
SDRAM 是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě),。在微控制器應(yīng)用中,,微控制器通過(guò)使用外部存儲(chǔ)控制器(EMC)操作訪問(wèn) SDRAM ,SDRAM 時(shí)鐘頻率通常為 100MHz 或 133MHz,。
外部存儲(chǔ)控制器通常不支持 DDR SDRAM,, 數(shù)據(jù)只是單邊沿采樣,即并行數(shù)據(jù)總線可以接受一個(gè)命令并在每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)字,。
在 SDRAM 中執(zhí)行程序是使用 SDRAM 的一種典型用法,, 小編這里就介紹一下 SDRAM 中執(zhí)行程序的方法和 SDRAM 執(zhí)行程序的性能基準(zhǔn)。
SDRAM 初始化
SDRAM 必須在使用前進(jìn)行配置,,SDRAM 初始化分為 6 個(gè)步驟,。
配置 EMC 寄存器的 SDRAM 時(shí)鐘頻率、字節(jié)順序和時(shí)序參數(shù),。
SDRAM 的時(shí)序比較復(fù)雜,,用戶需要通過(guò)查閱相關(guān) SDRAM 芯片的手冊(cè)獲得時(shí)序參數(shù)(如刷新周期、預(yù)充電命令周期,、自刷新退出時(shí)間,、寫(xiě)恢復(fù)時(shí)間等等)。
發(fā)送 NOP 命令
發(fā)送預(yù)充電命令
發(fā)送兩次自動(dòng)刷新命令
設(shè)置 SDRAM 模式
發(fā)送正常運(yùn)行命令
系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí),,SDRAM 尚未初始化,。理論上,程序在系統(tǒng)啟動(dòng)后的任何時(shí)刻都可以進(jìn)行 SDRAM 初始化,。然而,,由于 SDRAM 初始化過(guò)程比較復(fù)雜,使用的系統(tǒng)資源較多,,SDRAM 初始化必須在所需的系統(tǒng)資源初始化完成后再進(jìn)行,。
具體上講,開(kāi)發(fā)者在芯片剛剛啟動(dòng)時(shí)(如 Reset_Handler 中)初始化 SDRAM 需要留心以下細(xì)節(jié):
由于 SDRAM 初始化函數(shù)使用系統(tǒng)堆?;蛉肿兞?,開(kāi)發(fā)者必須確保系統(tǒng)堆棧或全局變量所在的物理內(nèi)存上電及時(shí)鐘使能,。
在程序跳轉(zhuǎn)到主程序啟動(dòng)之前,,全局變量未清零或初始化,如果在主函數(shù)之前執(zhí)行 SDRAM 初始化,,開(kāi)發(fā)者必須手動(dòng)初始化變量,。
舉個(gè)例子,,在 LPC5460x 中,開(kāi)發(fā)者需要在 SystemInit 函數(shù)中初始化 SDRAM,,該函數(shù)(SystemInit)由 Reset_Handler 調(diào)用,。在調(diào)用系統(tǒng)初始化之前,要通過(guò)設(shè)置 AHBCLKCTRLSET0 寄存器將 SRAM 時(shí)鐘使能,。
Reset_HandlerPROC EXPORTReset_Handler [WEAK] IMPORTSystemInitIMPORT__main ;clock control SRAM1/SRAM2/SRAM3 for stack LDRr0,, = 0x40000220 ; AHBCLKCTRLSET0 MOVr1, #0x38 STRr1,, [r0] LDRr0,, =SystemInit BLXr0 LDRr0, =__main BXr0 ENDP
SDRAM 存儲(chǔ)器布局
當(dāng)使用 SDRAM 時(shí),,外部存儲(chǔ)控制器(EMC)分配 SDRAM 一定的地址空間,。開(kāi)發(fā)者可以使用鏈接描述文件將代碼或數(shù)據(jù)分配到 SDRAM 中。值得注意的是,,鏈接器腳本編程在不同 IDE 之間是不同的,。
以 LPC5460x 系列微控制器為例,SDRAM 支持 4 個(gè)片選區(qū),,每個(gè)片選區(qū)最大支持 256MB 空間,。
SDRAM 片選地址范圍
00xA0000000 - 0xA7FFFFFF
10xA8000000 - 0xAFFFFFFF
20xB0000000 - 0xB7FFFFFF
30xB8000000 - 0xBFFFFFFF
當(dāng) SDRAM 的硬件連接使用 SDRAM 片選 0 的情況下,在 KEIL 平臺(tái)下,,將加載在 SPI FLASH 的 Coremark 基準(zhǔn)測(cè)試程序拷貝到 SDRAM 中執(zhí)行需要以下幾步,。(coremark 基準(zhǔn)測(cè)試程序包括 core_list_join.c,,core_matrix.c,,core_state.c 及 core_uTIl.c)。
定義 SDRAM 區(qū)域,,從 0xA0000000 開(kāi)始,,大小為 0x80000。定義 SPI FLASH 區(qū)域,,大小為 0x80000(SPI FLASH 存儲(chǔ)器的起始地址為 0x10000000),。
在 C 源碼中使用“SDRAM_Data” 和 “SDRAM_FuncTIon”屬性,標(biāo)記放在 SDRAM 區(qū)域中的數(shù)據(jù)或程序,。(SDRAM_Data 和 SDRAM_FuncTIon 只是文本名字),。
也可以將整個(gè)目標(biāo)文件的數(shù)據(jù)和程序段配置到 SDRAM
# definem_spifi_start 0x10000000 # definem_spifi_size 0x800000 # definem_sdram_start 0xA0000000 # definem_sdram_size 0x80000 LR_m_text2 m_spifi_start m_spifi_size { ; load to SPIFI LR_m_sdram_text m_sdram_start m_sdram_size { *(SDRAM_Data) *(SDRAM_FuncTIon) core_list_join.o core_matrix.o core_state.o core_util.o }
配置 MPU
在 SDRAM 中運(yùn)行程序,開(kāi)發(fā)者可能需要配置 ARM 內(nèi)核內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),。
內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)是一個(gè)可編程單元,,用于定義內(nèi)存訪問(wèn)權(quán)限。當(dāng) MPU 沒(méi)有使能時(shí),,內(nèi)存地址空間具有默認(rèn)的訪問(wèn)權(quán)限,。
如 ARM Cortex?-M4 器件通用用戶指南中所述,,當(dāng)程序執(zhí)行 SDRAM 中的代碼且 SDRAM 內(nèi)存影射地址的默認(rèn)屬性為禁止執(zhí)行時(shí), 內(nèi)核就會(huì)產(chǎn)生 HARDFAULT 異常,,且指令訪問(wèn)沖突標(biāo)志 SCB-》CFSR 為 1,,該異常表示處理器嘗試從不允許執(zhí)行的位置獲取指令。
因此,,當(dāng) SDRAM 被影射到默認(rèn)不可執(zhí)行的地址空間時(shí)(如在 LPC5460x 中,,SDRAM 影射到 0xA0000000 起始的地址),開(kāi)發(fā)者必須配置并使能 MPU 才能在 SDRAM 中執(zhí)行代碼,。如下例中,,代碼配置并使能 MPU,允許從 0xA0000000 到 0xA0100000 的內(nèi)存區(qū)域是可執(zhí)行的,。
MPU-》RNR = 0; //Region number 0 MPU-》RBAR = 0xA0000000; //Region base address/* Full Access | TEX: 000 | S: 0 | C: 0 | B:0 (No cacheable,, no shareable)| 1M SIZE | ENABLE */ MPU-》RASR = ( 0《《 28) | ( 0x3《《 24) | ( 0x0《《 19) | ( 0《《 18) | ( 0《《 17) | ( 0《《 16) | ( 0xFF《 8) | ( 0x13《《 1) | ( 1《《 0); //Region size and enable MPU-》 CTRL= MPU_CTRL_ENABLE_Msk| MPU_CTRL_PRIVDEFENA_Msk;
SDRAM 性能基準(zhǔn)
最后,小編在 LPC5460x 經(jīng)過(guò)程序運(yùn)行 CoreMark 性能基準(zhǔn)測(cè)試,,總結(jié)了一點(diǎn)點(diǎn)經(jīng)驗(yàn),,分享給大家
SDRAM(16 位帶寬)中的代碼執(zhí)行效率僅為在內(nèi)部 SRAM 中執(zhí)行效率性能 40%,大約是內(nèi)部 FLASH 中運(yùn)行代碼性能的 50%,;
代碼在 SDRAM 中運(yùn)行時(shí),,較高的 CPU 頻率(CPU 沒(méi)有 Cache)不能改善執(zhí)行效率,這時(shí) SDRAM 帶寬成為系統(tǒng)性能的瓶頸,。
基于這樣的測(cè)試結(jié)果,,建議大家在要求較高性能時(shí),把程序代碼放在內(nèi)部 SRAM 執(zhí)行,,而用片外大容量的 SDRAM 存放海量的數(shù)據(jù),。