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自制電源變壓器的MOS場效應管逆變器
摘要: 這里介紹的逆變器主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,,免除了煩瑣的變壓器繞制,,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程,。
Abstract:
Key words :

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用,。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程,。

 

工作原理  

一、方波的產生  這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器,。電路中R1是補償電阻,,用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩(wěn)。電路的震蕩是通過電容C1充放電完成的,。其振蕩頻率為f=1/2.2RC,。圖示電路的最大頻率為:fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz,,最小頻率為fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的誤差,,實際值會略有差異,。其它多余的發(fā)相器,輸入端接地避免影響其它電路,。

 

 由于方波信號發(fā)生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V,,為充分驅動電源開關電路,這里用TR1,、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V,。如圖3所示。

 

 場效應管是該裝置的核心,,在介紹該部分工作原理之前,,先簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。MOS場效應管也被稱為MOS FET,,即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場效應管)的縮寫,。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的是增強型MOS場效應管,,其內部結構見圖4,。

 

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成,。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用,。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程,。

 

工作原理  

一、方波的產生  這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器,。電路中R1是補償電阻,,用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩(wěn)。電路的震蕩是通過電容C1充放電完成的,。其振蕩頻率為f=1/2.2RC,。圖示電路的最大頻率為:fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz,最小頻率為fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz,。由于元件的誤差,,實際值會略有差異。其它多余的發(fā)相器,,輸入端接地避免影響其它電路,。

 

 由于方波信號發(fā)生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V,為充分驅動電源開關電路,,這里用TR1,、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V,。如圖3所示。

 

 場效應管是該裝置的核心,,在介紹該部分工作原理之前,,先簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。MOS場效應管也被稱為MOS FET,,即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場效應管)的縮寫,。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的是增強型MOS場效應管,,其內部結構見圖4,。

 

 

它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,,PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出,,對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,,同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流,。但對于場效應管,,其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場電壓)控制,可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,,這使得該器件有很高的輸入阻抗,,同時這也是我們稱之為場效應管的原因。

 

為解釋MOS場效應管的工作原理,,我們先了解一下僅含一個P—N結的二極管的工作過程,。如圖5所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,,N端接負極)時,,二極管導通,其PN結有電流通過,。這是因在P型半導體端為正電壓時,,N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動,,從而形成導通電流,。同理,當二極管加上反向電壓(P端接負極,,N端接正極時,,這時在P型半導體端為負電壓,正電子被聚集在P型半導體端,,負電子則聚集在N型半導體端,,電子不移動,,其PN結沒有電流流過,二極管截止,。


對于場效應管(圖6),,在柵極沒有電壓時,有前面的分析可知,,在源極與漏極之間不會有電流流過,,此時場效應管處于截止狀態(tài)(圖6a)。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時,,由于電場的作用,,此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,,使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中(見圖6b),,從而形成電流,使源極和漏極之間導通,。我們也可以想象為兩個N型半導體之間為一條溝,,柵極電壓的建立相當于為他們之間搭了一座橋梁,該橋梁的大小由柵壓決定,。圖8給出了P溝道場效應管的工作過程,,其工作原理類似這里就不再重復。


 

下面簡述一下用C—MOS場效應管(增強型MOS場效應管)組成的應用電路的工作過程(見圖8),。電路將一個增強型P溝道MOS場校官和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用,。

 

 

當輸入端為底電平時,P溝道MOS場效應管導通,,輸出端與電源正極接通,。當輸入端為高電平時,N溝道MOS場效應管導通,,輸出端與電源地接通,。在該電路中,P溝道MOS場效應管和N溝道場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作,,其相位輸入端和輸出端相反,。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響,,使得柵壓在還沒有到0V,,通常在柵極電壓小于1V到2V時,MOS場效應管即被關斷,。不同場效應管關斷電壓略有不同,。也以為如此,使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。

 


 

由以上分析我們可以畫出原理圖中MOS場效應管部分的工作過程(見圖9),。工作原理同前所述,,這種低電壓、大電流,、頻率為50Hz的交變信號通過變壓器的低壓繞組時,,會在變壓器的高壓側感應出高壓交流電壓,完成直流到交流的轉換,。這里需要注意的是,,在某些情況下,如振蕩部分停止工作時,,變壓器的低壓側有時會有很大的電流通過,,所以該電路的保險絲不能省略或短接。

電路板見圖11,。所用元件可參考圖12,。逆變器的變壓器采用次級為12V、電流為10A,、初級電壓為220V的成品電源變壓器,。P溝道MOS場效應管(2SJ471)最大漏極電流為30A,在場效應管導通時,,漏—源極間電阻為25毫歐。此時如果通過10A電流時會有2.5W的功率消耗,。N溝道MOS場效應管(2SK2956)最大漏極電流為50A,,場效應管導通時,漏—源極間電阻為7毫歐,,此時如果通過10A電流時消耗的功率為0.7W,。由此我們也可知在同樣的工作電流情況下,2SJ471的發(fā)熱量約為2SK2956的4倍,。所以在考慮散熱器時應注意這點,。圖13展示本文介紹的逆變器場效應管在散熱器(100mm×100mm×17mm)上的位置分布和接法。盡管場效應管工作于開關狀態(tài)時發(fā)熱量不會很大,,出于安全考慮這里選用的散熱器稍偏大,。


 

四、逆變器的性能測試        

這里測試用的輸入電源采用內阻低,、放電電流大(一般大于100AH)的12V汽車電瓶,,可為電路提供充足的輸入功率。測試用負載為普通的電燈泡,。測試的方法是通過改變負載大小,,并測量此時的輸入電流、電壓以及輸出電壓,。

 

 

其測試結果見電壓,、電流曲線關系圖(圖15),。可以看出,,輸出電壓隨負荷的增大而下降,,燈泡的消耗功率隨電壓變化而改變。我們也可以通過計算找出輸出電壓和功率的關系,。但實際上由于電燈泡的電阻會隨受加在兩端電壓變化而改變,,并且輸出電壓、電流也不是正弦波,,所以這種的計算只能看作是估算,。以負載為60W的電燈泡為例:

 

 

  假設燈泡的電阻不隨電壓變化而改變。因為R燈=V2/W=2102/60=735Ω,,所以在電壓為208V時,,W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出電壓和功率的關系,。通過測試,,我們發(fā)現(xiàn)當輸出功率約為100W時,輸入電流為10A,。此時輸出電壓為200V,。圖16為不同負載時輸出波形圖,供大家制作是參考,。再給大家看看廠家做好的逆變器產品,,只要我們大家肯動手,做出來并不比他們的差??!

 


 

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