《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種數(shù)控低壓大電流脈沖電源設(shè)計(jì)方案
一種數(shù)控低壓大電流脈沖電源設(shè)計(jì)方案
摘要: 本文以ATmega16 為系統(tǒng)控制核心,,結(jié)合RT8105 所組成的DC/DC 電源電路實(shí)現(xiàn),,最終實(shí)現(xiàn)了頻率、脈寬可調(diào)低電壓大電流的脈沖電源,。
Abstract:
Key words :

     1.前言

  在一些特殊應(yīng)用場合,,需要一種低電壓大電流的電源,有時(shí)也需要電源頻率,、脈寬均可調(diào)整的脈沖電源,。本文以ATmega16 為系統(tǒng)控制核心,結(jié)合RT8105 所組成的DC/DC 電源電路實(shí)現(xiàn),,最終實(shí)現(xiàn)了頻率,、脈寬可調(diào)低電壓大電流的脈沖電源。

  2.系統(tǒng)組成

  系統(tǒng)組成框圖如圖1 所示,。

系統(tǒng)組成框圖

圖1 系統(tǒng)組成框圖

  系統(tǒng)首先由RT8105 構(gòu)成的DC-DC 電源電路產(chǎn)生穩(wěn)定的2V 電壓,,該電壓經(jīng)過一個(gè)開關(guān)管連接至負(fù)載,通過ATmega16 單片機(jī)輸出的脈沖波形配合相應(yīng)的驅(qū)動電路控制該開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷,,從而在負(fù)載上形成與該脈沖波形同頻率,、同脈寬的脈沖電流。

  此外,,系統(tǒng)中加入了鍵盤,、LED 和串口。鍵盤用于設(shè)置脈沖電源的頻率和占空比,,LED 用于顯示當(dāng)前脈沖電源的占空比,,便于用戶觀察。串口用于與PC 機(jī)進(jìn)行連接,用戶可通過相應(yīng)的上位機(jī)軟件進(jìn)行設(shè)置,,該系統(tǒng)工作安全,、穩(wěn)定,操作方便,。

  3.RT8105簡介

  RT8105 是臺灣立锜科技股份有限公司生產(chǎn)的電壓模式,、5V/12V 輸入的同步降壓式PWM 的DC-DC 控制器。具有以下特點(diǎn):開關(guān)頻率為300kHz,,輸出PWM波占空比0~100% 可調(diào),,其輸出的雙路相位差為180°的PWM 波可直接驅(qū)動所有的低功耗N-MOSFET,內(nèi)部自帶誤差比較器,,具有實(shí)時(shí)過壓,、欠壓、過流保護(hù)電路,,系統(tǒng)軟啟動等功能,。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2 所示。

RT8105內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

圖2 RT8105內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

  4,、系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

  4.1. DC/DC變換電路

  DC/DC 變換電路作為系統(tǒng)中最重要的一部分,,其輸出電壓的穩(wěn)定直接影響脈沖電源的性能。使用RT8105 可以直接驅(qū)動兩路VMOS 開關(guān)管IRF640,,電路結(jié)構(gòu)簡單,。具體電路如圖3 所示。

DC/DC變換電路原理圖

圖3 DC/DC變換電路原理圖

  圖中,,系統(tǒng)供電電壓為+12V,,T8105 輸出兩路反相PWM 波驅(qū)動Q2 和Q4,經(jīng)儲能電感L1 和電容濾波,,產(chǎn)生直流電壓再由FB 引腳反饋回RT8105 進(jìn)而調(diào)整輸出PWM 波的占空比,,形成硬件閉環(huán)電路,從而使輸出電壓穩(wěn)定到2V,。

  電路輸出電壓計(jì)算公式為:Vout=Vref×(1+R6/R4),, 其中Vref 為RT8105 芯片內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓,Vref=0.8V±2%,,當(dāng)R6=13K,,R4=8K 時(shí)輸出壓電壓達(dá)到2.1V。

  4.2. 脈沖產(chǎn)生電路

  脈沖產(chǎn)生電路由MCU 輸出波形控制開關(guān)管的通斷來實(shí)現(xiàn),。由于VMOS 導(dǎo)通時(shí)所需VGS 電壓必須大于4V,,而MCU 輸出電壓僅5V,需要電路中加入一級放大電路,,該放大電路由9012 和9013 兩只三極管實(shí)現(xiàn),,脈沖產(chǎn)生電路如圖4 所示,。

脈沖產(chǎn)生電路

圖4 脈沖產(chǎn)生電路

  圖中,PULS 為MCU 輸出的脈沖控制信號,,該信號經(jīng)過電壓放大后驅(qū)動VMOS 管,,從而使輸出至負(fù)載的Vout 信號與PULS 信號同脈寬,、同頻率,。通過改變PULS 占空比及頻率,就可以實(shí)現(xiàn)Vout 輸出的脈寬,、頻率可調(diào),。

  4.3. 開關(guān)型降壓穩(wěn)壓電路

  MCU 及電路中其它部分所需要的5V 電源由開關(guān)型降壓穩(wěn)壓芯片LM2576 產(chǎn)生,其電路結(jié)構(gòu)簡單,。具體電路如圖5 所示,。

開關(guān)型降壓穩(wěn)壓電路

圖5 開關(guān)型降壓穩(wěn)壓電路

  系統(tǒng)中并未采用常用的線性三端穩(wěn)壓芯片LM7805,其原因是線性穩(wěn)壓電源在工作中會有大的“熱損耗”,,其工作效率低,。而開關(guān)穩(wěn)壓電源具有集成度高、外圍電路簡單,、電源效率高(70%~90%)等優(yōu)點(diǎn),,開關(guān)穩(wěn)壓電源已經(jīng)取代效率較低的線性穩(wěn)壓器, 成為現(xiàn)代超大規(guī)模集成系統(tǒng)中不可或缺的部分,。

  4.4. 單片機(jī)及人機(jī)接口電路

  系統(tǒng)中使用了5 個(gè)按鍵,,用于設(shè)置輸出的周期及占空比。使用4 個(gè)8 段LED 用于顯示當(dāng)前周期和占空比,。

  具體電路圖如圖6 所示,。

單片機(jī)及人機(jī)接口電路

圖6 單片機(jī)及人機(jī)接口電路

  數(shù)碼管D7 顯示當(dāng)前功能模式代碼(0 表示占空比模式,1 表示周期模式),,D8~D10 用于顯示占空比或周期值,。按鍵K1~K5 用于參數(shù)的設(shè)置,分別完成左移,,右移,,OK,加,,減功能,。按鍵控制分兩種模式,設(shè)置模式和非設(shè)置模式,。在設(shè)置模式下,,調(diào)整占空比和周期值的大小,左,、右移位鍵移動3 個(gè)數(shù)碼管的3 個(gè)位,,移到的位閃爍,,此時(shí)可通過加、減鍵來改變這一位的值,,按下OK 鍵完成設(shè)置,;在非設(shè)置模式下,不能改變參數(shù),,只能用加,、減鍵切換D7 的模式代碼,數(shù)碼管D8~D10 顯示該模式下的數(shù)值,。其中,,占空比的可設(shè)置范圍0~100%,周期值范圍1~999ms,,即頻率可從1Hz~1kHz 進(jìn)行設(shè)置,。

  5、系統(tǒng)測試結(jié)果及分析

  系統(tǒng)測試所使用到的儀器主要有:數(shù)字熒光示波器TDS7104,,電流探頭TCP202,,有源探頭P6243,電子負(fù)載IT8511,。

  5.1. 電壓調(diào)整率

  電壓調(diào)整率即負(fù)載固定時(shí),,輸入電壓的波動對輸出電壓的影響(即輸出電壓的變化量與輸入電壓變化量的比值)。以輸出電流6A 時(shí)對應(yīng)的輸出電壓2.04V,,2.05V,,2.05V,輸入電壓10.8V,,12.0V,,13.2V(如表1),計(jì)算電壓調(diào)整率:

  5.2. 負(fù)載調(diào)整率

  輸入電壓12V,,以及增加偏移為±10% 的10.8V 和13.2V,。輸出電流將占空比調(diào)為最大,用來測試最大負(fù)載情況,。負(fù)載以最大6A 的0%-100% 步進(jìn)20% 進(jìn)行測試,。

  測試數(shù)據(jù)如表1 所示。

表1 電流調(diào)整率測試表

 電流調(diào)整率測試表

 負(fù)載調(diào)整率是在輸入電壓固定的情況下,,負(fù)載電流IO 從0 變化到最大額定性(滿載)時(shí)所引起輸出電壓的變化,。以輸入電壓12.0V 對應(yīng)的輸出電壓,輸出電流0 ~ 6A 變化,,計(jì)算負(fù)載調(diào)整率:

  5.3. 電源轉(zhuǎn)換效率

  電源的轉(zhuǎn)換效率反應(yīng)電路的電能損耗情況,,是電源設(shè)計(jì)的一個(gè)重要參數(shù),表2 給出的效率數(shù)據(jù)是根據(jù)公式計(jì)算的:

 

 

表2 電源轉(zhuǎn)換效率測試表

 

 

電源轉(zhuǎn)換效率測試表

  5.4. 輸出脈沖

  圖7 為電路輸出的2V/6A 脈沖,,圖中上邊是DC/DC輸出電壓波形,,下邊是脈沖輸出電流波形,,波形參數(shù)如圖所示。

輸出2V/6A脈沖

圖7 輸出2V/6A脈沖

  6,、小結(jié)

  此電源的設(shè)計(jì)方法,、結(jié)構(gòu)、原理比較簡單,,通過合理的選用器件和PCB 布線,、正確的運(yùn)用調(diào)試方法,使電路設(shè)計(jì)得到了優(yōu)化,。選用的器件RT8105,,其內(nèi)嵌的MOSFET 場效應(yīng)管驅(qū)動電路簡化了外圍電路的設(shè)計(jì),內(nèi)部集成的補(bǔ)償電路減少了電路中元器件的數(shù)量,;并且它的各種保護(hù)電路提高了器件的使用壽命和電路的安全性和穩(wěn)定性。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),,未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載,。