世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片,。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品,，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案,。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay™)寫入,、高讀/寫耐用性及低功耗特性,。
Ramtron公司首席執(zhí)行官 Eric Balzer稱：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務項目的重要里程碑。這些預驗證芯片符合所有數(shù)據(jù)表規(guī)范和公司嚴格質量標準的要求,，現(xiàn)在這批樣片可以提供給客戶做產(chǎn)品評測,。在測試完成后，我們將會提供其它樣片,，包括3V I2C和3V及5V SPI產(chǎn)品,。”
FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值),，總線運行頻率最高可達1MHz,。這些器件適用于工業(yè)控制、計量,、醫(yī)療,、軍事、游戲和計算應用及其它領域,，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產(chǎn)品,。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標準8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C,。
Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節(jié)寫入速度比EEPROM快200倍,。此外，相比記錄新數(shù)據(jù)之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件,，這些器件具有無延遲特性,，能夠以標準總線速度寫入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬億個寫入周期,，而EEPROM只有100萬個寫入周期,。相比同類非易失性存儲器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流,。
關于IBM/Ramtron代工合作關系
2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務協(xié)議,，IBM在其位于美國佛蒙特（Vermont）州Burlington的先進晶圓生產(chǎn)設施中部署Ramtron的F-RAM半導體工藝技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆棧已經(jīng)整合到IBM的 0.18微米CMOS工藝中,，用于生產(chǎn)Ramtron的標志性高性能非易失性F-RAM產(chǎn)品,。IBM擁有世界級代工服務，為Ramtron現(xiàn)有產(chǎn)品及新產(chǎn)品開發(fā)計劃提供了具有成本效益的靈活制造平臺,。
關于Ramtron公司和F-RAM技術
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)公司總部設在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯,，是一家無晶圓廠半導體公司，設計,、開發(fā)和銷售用于世界范圍之廣泛產(chǎn)品應用及市場的專業(yè)半導體存儲器和集成半導體解決方案,。
Ramtron是在半導體產(chǎn)品中采用鐵電材料的先驅企業(yè),，開發(fā)了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM,。Ramtron的鐵電存儲器結合了動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數(shù)據(jù)儲存特性,，即無電存儲數(shù)據(jù)的能力。自從這項技術商業(yè)化以來,，Ramtron已經(jīng)在嚴苛的應用領域銷售了數(shù)億個F-RAM器件,，包括汽車安全和娛樂系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設備,、工業(yè)過程控制系統(tǒng),、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術是市場上功效最高的非易失性存儲器技術,，有望為超高效電池供電產(chǎn)品和能量收集應用的開發(fā)鋪平道路,。要了解更多的信息，請訪問公司網(wǎng)站www.ramtron.com,。
安全規(guī)避聲明
以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規(guī)定而發(fā)出的“安全規(guī)避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”,，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險、不確定性和假設,，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現(xiàn)重大的差異。如要探討這些風險,，請參考Ramtron提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件,。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的，Ramtron明確表示沒有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務或職責,。
