《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)[圖]
摘要: 分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu),并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明,,同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),,該電路對逆變器的設(shè)計(jì)有一定的應(yīng)用價(jià)值,。
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0 引言

電能分為交流電能與直流電能,,由交流電能變?yōu)橹绷麟娔艿倪^程稱為整流,,由直流電能變?yōu)榻涣麟娔艿倪^程稱為逆變,。逆變器就是一種完成直流電能向交流電能變換的裝置,。

交流電機(jī)一般采用交-直-交逆變電源的供電方式,,即現(xiàn)在電網(wǎng)提供的交流電通過整流、濾波變成直流電,,再通過逆變器將直流電變成所需要的交流電源,,給電機(jī)供電。因此逆變器是其中較關(guān)鍵的技術(shù)裝置之一,。隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展,,IGBT越來越多的被應(yīng)用到交流傳動(dòng)技術(shù)中。本文主要分析IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)用逆變器的主電路結(jié)構(gòu),,包括主電路形式,、驅(qū)動(dòng)電路與緩沖吸收保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)。

1 主電路結(jié)構(gòu)原理圖

圖1為典型的逆變器結(jié)構(gòu)原理圖,。它由三部分組成:逆變電路,、驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、控制與信號采集電路,。

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

逆變電路主要負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)化,即將輸入的直流電能轉(zhuǎn)化為電機(jī)負(fù)載可用的三相交流電能,,為電機(jī)提供能源,。圖2所示為逆變電路原理圖,這個(gè)逆變電路由6個(gè)絕緣柵雙極晶體管T1~T6及續(xù)流二極管D1~D6組成,。通過控制IGBT管T1~T6的通關(guān)斷將輸入的直流電源逆變成頻率可調(diào)的矩形波交流電輸出到三相電機(jī),。其續(xù)流二極管D1~D6的作用是當(dāng)T1~T6由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí),為儲存在電動(dòng)機(jī)線圈中的電能提供釋放通道,;當(dāng)電動(dòng)機(jī)制動(dòng)時(shí),,為再生電流提供回流到直流電源的通道。

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

2 保護(hù)吸收電路結(jié)構(gòu)

由于電路中分布電感的存在,,加之IGBT開關(guān)速度較高,,當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆相恢復(fù)時(shí),會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt,,從而威脅IGBT的安全,。因此必須采取措施抑制浪涌電壓,保護(hù)IGBT不被損壞,??梢圆捎眉友b保護(hù)吸收電路的辦法來抑制浪涌電壓。其原理圖如圖3所示,,該保護(hù)吸收電路有良好的抑制效果,,具有保護(hù)吸收中發(fā)生損耗小的優(yōu)點(diǎn),。

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

2.1 保護(hù)電路原理分析

以開關(guān)管T1關(guān)斷時(shí)刻為起點(diǎn)來分析吸收電路的工作原理,其工作過程可分為:線性化換流,、母線寄生電感Lp諧振能量和吸收電容Cs放點(diǎn)共3個(gè)階段,。

線性化換流階段從開關(guān)管T1接收關(guān)斷信號開始到開關(guān)管T1全截止結(jié)束。流過母線寄生電感Lp的母線電流經(jīng)T1和吸收電路2條支路分流,。

在線性化換流階段結(jié)束后,,開關(guān)管T1完全截止。此時(shí),,主回路寄生電感Lp與吸收電容Cs產(chǎn)生諧振,,Lp中儲存的能量向Cs轉(zhuǎn)移。當(dāng)吸收電容上電壓達(dá)到最大值,,即諧振峰值時(shí),,諧振電流i為零,吸收電路二極管D2截止,,箝位電壓防止有振蕩,。

在第二階段結(jié)束之后,吸收電容Cs上過沖能量通過吸收電阻R,、電源和負(fù)載放電,。在放電過程中,近似認(rèn)為負(fù)載是恒流源,。

2.2 元件參數(shù)選取

a.緩沖電容Cs選取

緩沖電路中緩沖電容Cs的電容取值為:

 IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

其中,,L是主電路的寄生電感,Io為IGBT關(guān)斷時(shí)的集電極電流,,VCEP是緩沖電容器電壓最終到達(dá)值,,Ed為直流電源電壓。

b.緩沖電阻Rs的取值

緩沖電阻的作用是在IGBI下一次關(guān)斷前,,將緩沖電容器電荷釋放,。因此在IGBT進(jìn)行下一次動(dòng)作之前,在儲存電荷的90%放電條件下,,緩沖電阻取值公式應(yīng)滿足下列公式:

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

其中,,f為交換頻率。

3 驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)

要保證IGBT工作可靠,,其驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用,。

3.1 IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有以下幾點(diǎn):

(1)驅(qū)動(dòng)電路必須十分可靠,要保證為IGBT的柵極電容提供一個(gè)低阻抗的充放電回路,;
     (2)在滿足開關(guān)特性和功耗允許的情況下,,門極電阻可以適當(dāng)增大,用于限制瞬時(shí)壓降尖峰,;
     (3)驅(qū)動(dòng)電路能夠傳遞kHz級的高頻脈沖信號,;
     (4)IGBT門極與發(fā)射極電壓極限壓降為±20V,。通常選用正向驅(qū)動(dòng)電壓為+15V,反向驅(qū)動(dòng)電壓為-8V,。

3.2 M57959L構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路

根據(jù)上述驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則,,按照不同要求可以設(shè)計(jì)出多種形式的驅(qū)動(dòng)電路。常用的驅(qū)動(dòng)電路有分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路和專用集成驅(qū)動(dòng)電路,。相對于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,,專用集成驅(qū)動(dòng)電路抗干擾能力強(qiáng)、集成化程度高,、速度快,、保護(hù)功能完善,可實(shí)現(xiàn)IGBT的最佳驅(qū)動(dòng),。

M57959L是日本三菱公司生產(chǎn)的混合集成IGBT驅(qū)動(dòng)器,,其內(nèi)部原理結(jié)構(gòu)如圖4所示。它由高速光電隔離輸入,,絕緣強(qiáng)度高,,可與TTL電平兼容。內(nèi)藏定時(shí)邏輯短路保護(hù)電路,,并具有保護(hù)延時(shí)特性,。芯片由正負(fù)電源供電,克服了單電源供電時(shí)負(fù)電壓不穩(wěn)的缺點(diǎn),,驅(qū)動(dòng)功率大,,可驅(qū)動(dòng)200A/600V或100A/1200V的IGBT模塊。由M57959L構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路如圖5所示,。

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

使用時(shí)應(yīng)注意柵極電阻的取值。柵極電阻Rext的取值能夠影響振蕩的抑制效果,、減緩開關(guān)開通時(shí)的di/dt,、改善電流上沖波形、減小浪涌電壓,。從安全角度考慮,,Rext應(yīng)取較大值,但是較大的Rext影響開關(guān)速度,,增加開關(guān)損耗,;從提高工作頻率出發(fā),應(yīng)取較小值,。在滿足開關(guān)頻率的情況下,,應(yīng)取較大的Rext。

4 主電路安裝與布局

由于IGBT開關(guān)頻率非???,同時(shí)功率也很高,,由IGBT構(gòu)成的逆變器會(huì)對其他部件產(chǎn)生很強(qiáng)的干擾。這些干擾不僅影響電路的正常工作,,甚至有可能會(huì)使逆變器因?yàn)樗矔r(shí)短路而損壞,。因此,應(yīng)對電磁干擾給予足夠的重視,,而合理的安裝與布局能夠減少電磁干擾,。

常見的干擾及相應(yīng)的措施有:

(1)隔離供電抑制IGBT開關(guān)干擾由于供電變壓器的分布電容和耦合電感的影響,當(dāng)其中一個(gè)IGBT導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的強(qiáng)尖峰脈沖會(huì)通過分布電容(電感)干擾其它IGBT的正常工作,。因此,,全橋逆變器的每一個(gè)觸發(fā)電路必須隔離供電來抑制這種干擾。

(2)由于逆變器的平均工作電流和瞬時(shí)峰值電流很大,,逆變電路中的漏電感,,甚至很小的引線電感也不能忽略。如果不仔細(xì)設(shè)計(jì)PCB的布局,,這些磁通會(huì)穿過閉合的PCB導(dǎo)線而形成電流,。為此,可采取以下措施抑制干擾:

a,,每一個(gè)IGBT的觸發(fā)電路元件應(yīng)集中在一個(gè)狹窄的區(qū)域,,避免互相交叉;

b,,同一相位的觸發(fā)電路應(yīng)相鄰,,而兩組之間距離應(yīng)相對較遠(yuǎn);

c,,PCB與IGBT之間的引線應(yīng)盡可能短并互相絞合,。

5 IGBT電壓電流參數(shù)選取

在保護(hù)吸收電路中,當(dāng)T1導(dǎo)通,,T2截止時(shí),,T2承受的電壓Uce2為:IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

考慮電網(wǎng)波動(dòng)為+/-10%,T2成熟的電壓為Uce2為:IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

再考慮到電路中開通關(guān)斷瞬時(shí)電壓,,及IGBT模塊承受電壓應(yīng)留有50%~80%的裕量,,其所選模塊電壓BVce應(yīng)為:IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

考慮電網(wǎng)的波動(dòng)、啟動(dòng)時(shí)電流尖峰的影響,,選擇的IGBT模塊Icm為:IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)

其中,,Pn為逆變器輸出功率。δ為脈沖占空比,,η為逆變器效率,。

6 結(jié)束語

本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機(jī)傳動(dòng)用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇,驅(qū)動(dòng)電路,、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應(yīng)注意的問題,,對實(shí)際應(yīng)用中的逆變器設(shè)計(jì)有一定價(jià)值,。

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