2024 年 11月 13 日，中國——意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù),、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu),。

STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),，STGAP3S提高了空調(diào),、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性,。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用,，包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng),、功率因數(shù)校正 (PFC),、直流-直流轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器。

STGAP3S 產(chǎn)品系列為開發(fā)者提供不同的產(chǎn)品型號(hào)選擇 ,，其中包括驅(qū)動(dòng)電流 10A 和 6A的產(chǎn)品,，兩種產(chǎn)品都具有不同的欠壓鎖定 (UVLO) 和去飽和干預(yù)閾值，幫助設(shè)計(jì)人員選擇與其所選的SiC MOSFET 或 IGBT 功率開關(guān)管性能最匹配的驅(qū)動(dòng)器。

去飽和保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)了對(duì)外部功率開關(guān)管的過載和短路保護(hù),，可以使用外部電阻調(diào)整功率開關(guān)管的關(guān)斷策略,，調(diào)整關(guān)斷速度來最大限度地提高保護(hù)功能，同時(shí)避免出現(xiàn)過多的過壓尖峰,。欠壓鎖定保護(hù)可防止驅(qū)動(dòng)電壓不足時(shí)導(dǎo)通。

驅(qū)動(dòng)器集成的米勒鉗位架構(gòu)為外部 N 溝道 MOSFET 提供一個(gè)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,。因此,，設(shè)計(jì)人員可以靈活地選擇合適的干預(yù)速度，以防止感應(yīng)導(dǎo)通,，并避免交叉導(dǎo)通,。

現(xiàn)有的產(chǎn)品型號(hào)包括驅(qū)動(dòng)能力10A 拉/灌電流和6A拉/灌電流的驅(qū)動(dòng)器，針對(duì) IGBT 或 SiC 優(yōu)化的去飽和檢測和 UVLO 閾值,，讓開發(fā)者所選的功率開關(guān)發(fā)揮極致性能,。去飽和、UVLO 和過熱保護(hù)的故障情況通過兩個(gè)專用的開漏診斷引腳通知控制器,。

STGAP3SXS現(xiàn)已投產(chǎn),，采用 SO-16W 寬體封裝。詢價(jià)和申請(qǐng)樣片,，請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)匾夥ò雽?dǎo)體銷售辦事處,。