恒憶(NUMONYX)取得重大設(shè)計(jì)突破,,推出業(yè)內(nèi)首款45nm NOR閃存芯片
2009-03-11
作者:恒憶(NUMONYX)
近日,恒憶(Numonyx)發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用45納米工藝技術(shù)的多級(jí)單元(MLC)NOR閃存樣片。在為客戶提供高度的產(chǎn)品連續(xù)性和可靠性的同時(shí),,新產(chǎn)品發(fā)布還使恒憶能夠大幅度提高存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能。新產(chǎn)品遙遙領(lǐng)先上一代65nm產(chǎn)品,是當(dāng)前市場上最先進(jìn)的NOR閃存,。恒憶NOR閃存芯片廣泛用于手機(jī),運(yùn)行關(guān)鍵的手機(jī)操作系統(tǒng),,管理個(gè)人數(shù)據(jù),,存儲(chǔ)相片、音樂和視頻,。
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這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于NumonyxTM StrataFlash? 存儲(chǔ)器架構(gòu),,引腳兼容恒憶目前量產(chǎn)的65nm NOR閃存芯片。產(chǎn)品架構(gòu)的兼容性和連續(xù)性使手機(jī)原始設(shè)備制造商能夠降低開發(fā)成本,,延長現(xiàn)有產(chǎn)品平臺(tái)的生命周期,,利用大容量存儲(chǔ)和速度更快的存儲(chǔ)器“立即執(zhí)行”功能,加快向市場推出新產(chǎn)品的速度,。與上一代產(chǎn)品相比,,新技術(shù)將數(shù)據(jù)寫入速度提高50%。
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“手機(jī)存儲(chǔ)市場還有很大的空間,,升級(jí)閃存制造技術(shù)的迫切要求依然來自市場對(duì)高密度,、低成本非易失性NOR閃存的需求,”恒憶首席技術(shù)官Ed Doller表示,,“通過開發(fā)新的工藝技術(shù),,在業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的45nm技術(shù)平臺(tái)上制造第7代MLC NOR閃存,恒憶工程師克服了技術(shù)升級(jí)的主要限制,,率先為客戶帶來性價(jià)比優(yōu)勢(shì),。”
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在如何設(shè)計(jì)新一代NOR閃存技術(shù)方面,,恒憶取得了一項(xiàng)重大設(shè)計(jì)突破,。新產(chǎn)品采用一個(gè)新的自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)方法,在保持與過去產(chǎn)品兼容以及高度可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí),,這種方法還使恒憶閃存產(chǎn)品得以不斷升級(jí),。“當(dāng)整個(gè)行業(yè)還在設(shè)法解決閃存技術(shù)的升級(jí)能力的時(shí)候,,恒憶推出的產(chǎn)品無論從架構(gòu)還是連續(xù)性上都達(dá)到甚至超過了客戶對(duì)成本和可靠性的要求,,這確實(shí)是一項(xiàng)了不起的成就,”Doller表示,。
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恒憶正在一定的密度和數(shù)量范圍內(nèi)檢測(cè)新產(chǎn)品樣片,,計(jì)劃今年推出采用這項(xiàng)新技術(shù)的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2010年開始量產(chǎn),。恒憶還計(jì)劃將此項(xiàng)技術(shù)部署到所有的嵌入式閃存解決方案中,,把連續(xù)性架構(gòu)的性能優(yōu)點(diǎn)以及穩(wěn)定性和可靠性擴(kuò)展到主要嵌入式市場,。?
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關(guān)于恒憶 (Numonyx)?
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恒憶設(shè)計(jì)、制造各種集成的NOR,、NAND,、RAM和相變非易失性存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品,以滿足無線,、數(shù)據(jù)和嵌入式存儲(chǔ)器市場日趨復(fù)雜的需求,。恒憶致力于為全球客戶提供高密度、低功耗存儲(chǔ)技術(shù)和封裝解決方案,。更多恒憶公司詳情敬請(qǐng)?jiān)L問 www.numonyx.com?