富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族,，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號,，并從即日起開始為客戶提供樣片。
FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器）將SRAM 的快寫與閃存的非易失性優(yōu)勢集中在一塊芯片上,。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號：MB85RS256A,、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit,、128Kbit和64Kbit三個密度級,。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為100億次,，數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達10年,，且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產(chǎn)品在寫處理時無需電壓增壓器,，非常適合低功率應(yīng)用,。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片,。
SPI FRAM產(chǎn)品陣容
|
產(chǎn)品型號 |
存儲器容量 |
電源電壓 |
工作溫度 |
寫/擦次數(shù) |
數(shù)據(jù)保持 |
封裝 |
|
MB85RS256A |
256K bit |
3.0—3.6v |
-40—85 |
100億次 |
10年 |
SOP-8 |
|
MB85RS128A |
128K bit |
3.0—3.6v |
-40—85 |
100億次 |
10年 |
SOP-8 |
|
MB85RS64A |
64K bit |
3.0—3.6v |
-40—85 |
100億次 |
10年 |
SOP-8 |
FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量,、工廠自動化應(yīng)用以及需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè),。對客戶來說,，F(xiàn)RAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案，同時也是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)品。除 SPI FRAM家族之外,，富士通半導(dǎo)體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片,，密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外,，富士通還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求,。憑借領(lǐng)先的技術(shù)開發(fā)和完善的制造工藝，富士通半導(dǎo)體不斷優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計,，并加強與工廠間的密切合作,，為向市場穩(wěn)定地提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。