《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
摘要: 本文利用高電源抑制比電路設(shè)計的和式偏置電流源進(jìn)一步提高了電源抑制比,并利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向但不同數(shù)量的溫度系數(shù),,設(shè)計了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準(zhǔn),。該設(shè)計充分利用CMOS器件高輸入阻抗、低功耗的特點,,利用相同電流減少了載流子遷移率對溫度性能的影響,,利用VRHN和VTHP溫度系數(shù)抵消原理和高電源抑制比和式電流源,大大降低了基準(zhǔn)的溫度系數(shù),,提高了電源抑制特性,,使電路的性能得到優(yōu)化。
Abstract:
Key words :
 

  基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路,、數(shù)/?;旌闲盘?font class="f14">集成電路和系統(tǒng)集成芯片(SoC)中,是集成電路的一個基本元件,,其穩(wěn)定性直接影響到整個系統(tǒng)的精度,。然而,傳統(tǒng)的高性能基準(zhǔn)電路普遍采用帶隙基準(zhǔn)電路,,與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝不兼容,。為了解決帶隙基準(zhǔn)電路與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝不兼容問題,一些學(xué)者提出了一定的解決方法,,例如:利用N阱的寄生二極管設(shè)計帶隙基準(zhǔn),,利用CMOS管的亞閾值區(qū)工作原理設(shè)計基準(zhǔn),利用載流子和閾值電壓在不同溫度下的特性設(shè)計基準(zhǔn)等,。但是他們的電源抑制比普遍偏低,,且溫度系數(shù)較大。

  本文利用高電源抑制比電路設(shè)計的和式偏置電流源進(jìn)一步提高了電源抑制比,并利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向但不同數(shù)量的溫度系數(shù),,設(shè)計了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準(zhǔn),。該設(shè)計充分利用CMOS器件高輸入阻抗、低功耗的特點,,利用相同電流減少了載流子遷移率對溫度性能的影響,,利用VRHN和VTHP溫度系數(shù)抵消原理和高電源抑制比和式電流源,大大降低了基準(zhǔn)的溫度系數(shù),,提高了電源抑制特性,,使電路的性能得到優(yōu)化。

  1 傳統(tǒng)帶隙電路原理

  如圖1所示,,傳統(tǒng)的帶隙電路主要是利用雙極型晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù),,而兩個不同電流密度的雙極型晶體管之間的基極一發(fā)射極電壓差△VBE具有正溫度系數(shù),將其乘以合適的系數(shù)K后,,再與前者進(jìn)行加權(quán),,即:VREF=VBEK△VBE,從而在一定范圍內(nèi)就可以抵消VBE的溫度漂移效應(yīng),,得到低溫漂的輸出電壓VREF,。K值將通過把VBE的表達(dá)式帶入VREF中,在參考溫度T0處令a.jpg求得,。

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  但是使用BJT管會占用很大的芯片面積且與在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中不能很好的兼容,。

  2 新型CMOS基準(zhǔn)電路原理

  對于CMOS器件,其閾值電壓VTH和載流子遷移率μ是主要的受溫度因數(shù)影響的參量,。雖然閾值電壓VTH和載流子遷移率μ的值都隨著溫度的升高而減小,,但是MOS器件閾值電壓VTH和載流子遷移率μ的下降對于MOS管的漏電流ID有著完全相反的效果:閾值電壓VTH越低,漏電流ID越大,;而載流子遷移率μ越小,,漏電流ID越小。

  由文獻(xiàn)可知,,閾值電壓VTH與環(huán)境溫度有著近似的線性關(guān)系:

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  式中:aVT是閾值電壓VTH的溫度系數(shù),,其值介于1~4 mV/℃之間,對NMOS和PMOS是相互獨立且不同的,。

  載流子遷移率μ和環(huán)境溫度的關(guān)系為:

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  式中:μ(T0)是某基準(zhǔn)溫度時的載流子遷移率,,且m介于1~2.5之間。

  由式(1)可知,,VTHN和VTHP具有不同的負(fù)溫度系數(shù),,只要取合適的系數(shù)K時:

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  就可以得到不隨溫度變化的基準(zhǔn)電壓VREF。

  3 新型CMOS基準(zhǔn)電路設(shè)計

  圖2為本文利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計的基準(zhǔn)電路,。該電路主要由啟動電路,、和式電流產(chǎn)生電路、有效負(fù)載電路構(gòu)成。電路的基本原理是利用高性能和式電流源產(chǎn)生高電源抑制比的PTAT電流,,再利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VTHN和VTHP具有相同方向,,但不同數(shù)量的溫度系數(shù)設(shè)計了一種基于不同VTH值的新型CMOS基準(zhǔn)。

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  3.1 和式電流源電路

  由圖2可見,,和式電流產(chǎn)生電路由自舉式偏置電路(由MOS管M6~M9和電阻R2構(gòu)成)產(chǎn)生偏置電流,。設(shè)M9與M8的寬長比為K1,則有:

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  但是由于體效應(yīng)的存在,,使得R2中的電流隨電源電壓VDD的變化有一定改變,。所以文中引入和式電流產(chǎn)生電路。

  如圖2可知,,電阻R1中的電流值為:

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  式中:K2為M5與M6的寬長比,。

  由于MOS管的柵源電壓VGS幾乎不隨電源電壓的變化而變化,由式(6),、式(7)可知MOS管M4中的電流IM4的變化方向與R2中的電流IR2隨電源電壓的變化方向相反。

  由圖2可知,,取K3,,K4分別為M10與M7,M11與M2的寬長比,,M13與M12,,M15與M14的寬長比為1,則MOS管ML1中的電流I為:

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  合理選擇式(8)中的K3,,K4就能減小電源電壓VDD對電流I的影響,。

  由上面的分析和式電流源電路可以進(jìn)一步減小電源電壓對輸出電流的影響。

  3.2 有效負(fù)載電路

  由圖2可知,,電流I流過MOS管M15,,ML1時:

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  由式(2)可知,載流子遷移率μ是溫度的高階函數(shù),,若近似認(rèn)為μN,,μP的溫度變化量相等,可將K看作常數(shù),,可得:

m.jpg

  由式(3)和式(13)可知,,取恰當(dāng)?shù)腒值,即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長比,,就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數(shù)相抵消,,使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。

  3.3 電路的優(yōu)化

  在圖2中MOS管M12,,M13,,M14,M15起電流鏡像作用,可以將這4個管子省去,,直接將負(fù)載管ML1接到M10和M11的漏極,。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個MOS管,節(jié)省版圖面積,。

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  4 仿真與分析

  通過上面的分析,,初步確定該電路各器件尺寸,在0.6μm CMOS工藝下采用HSpice軟件進(jìn)行仿真可以得出,,在3.3 V電源電壓下對溫度在-40~85℃范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描,,基準(zhǔn)電壓曲線如圖4所示。在25℃下,,對電源電壓在2.6~5.5 V的范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描,,基準(zhǔn)電壓曲線如圖5所示。據(jù)此計算出的基準(zhǔn)電壓電源電壓調(diào)整率,、溫度系數(shù)見表1,。

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  與國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路的主要指標(biāo)進(jìn)行比較,結(jié)果如表2所示,??梢钥闯觯疚脑O(shè)計的CMOS基準(zhǔn)的溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路,。

  5 結(jié)語

  本文所設(shè)計的基于CMOS工藝的基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)較簡單,,既沒有放大器,也沒有BJT,,適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝生產(chǎn),。通過HSpice驗證,其輸出基準(zhǔn)電壓為1.22 V,,在-40~85℃內(nèi)溫度系數(shù)僅為30 ppm/℃,。當(dāng)電源電壓為2.6~5.5 V時,電源電壓調(diào)整率為1.996 mV/V,,且溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路,,比較適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。



 

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