《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于PCI總線的GP-IB接口電路設(shè)計
摘要: 主要介紹作為從設(shè)備如何根據(jù)PCI總線協(xié)議設(shè)計PCI總線接口電路,從而實現(xiàn)基于PCI總線的GP-IB接口電路設(shè)計,,重點闡述PCI總線接口狀態(tài)機的設(shè)計,。
關(guān)鍵詞: 接口IC PCI GP-IB EPLD NAT9914
Abstract:
Key words :

       主要介紹作為從設(shè)備如何根據(jù)PCI總線協(xié)議設(shè)計PCI總線接口電路,從而實現(xiàn)基于PCI總線的GP-IB接口電路設(shè)計,,重點闡述PCI總線接口狀態(tài)機的設(shè)計,。

       前言

  基于PCI總線的GP-IB接口電路框圖如圖1所示,工控機采用PCI-104堆棧結(jié)構(gòu),,通過PCI總線和EPLD相連,,數(shù)據(jù)總線為32bit,傳輸速率為33MHz,。EPLD完成PCI總線接口電路的設(shè)計和NAT9914接口芯片的控制,,通過驅(qū)動芯片75160和75162完成GP-IB的接口通信。在此重點介紹EPLD內(nèi)部電路設(shè)計,。

GP-IB接口電路結(jié)構(gòu)框圖

圖1  GP-IB接口電路結(jié)構(gòu)框圖

        EPLD內(nèi)部電路設(shè)計

  PCI局部總線很復(fù)雜,,PCI局部總線也在不斷的發(fā)展中,,現(xiàn)在已經(jīng)衍生有CPCI,、PCI EXPRESS等總線標(biāo)準(zhǔn)。PCI局部總線定義的功能很強大,,當(dāng)然如果需要將所有的PCI局部總線的要求都能實現(xiàn),,購買PCI局部總線的專用集成電路或IP核是最佳選擇,因為PCI局部總線的硬件設(shè)計過于龐大,全部實現(xiàn)有一定的難度,。如果設(shè)備只是作為從設(shè)備,,根據(jù)設(shè)計要求實現(xiàn)起來也不是很復(fù)雜,很多功能如仲裁,、邊界掃描及錯誤報告等功能就可以不用實現(xiàn),,甚至像奇偶校驗、重試,、突發(fā)傳輸?shù)裙δ芤部梢圆挥脤崿F(xiàn),。

  根據(jù)GP-IB接口卡的功能,本文主要介紹在EPLD中實現(xiàn)PCI總線接口電路的設(shè)計,,并且能夠正確操作GP-IB總線協(xié)議的控制芯片NAT9914,。EPLD的容量較小,我們采用XILINX公司的XC95288XL器件,,只有288個宏單元,,經(jīng)過設(shè)計優(yōu)化,最終成功裝載,。其實現(xiàn)原理框圖如圖2所示,。

 EPLD內(nèi)部電路框圖

圖2  EPLD內(nèi)部電路框圖

  PCI接口信號設(shè)計

  設(shè)計PCI接口信號很關(guān)鍵,PCI總線規(guī)范定義的信號很多,,在設(shè)計過程中必須有所取舍,。下面按照PCI總線規(guī)范的要求,根據(jù)設(shè)計電路的實際需求,,設(shè)計如下接口信號:

  Rst : 上電復(fù)位信號,,低電平有效。
  Clk : 時鐘信號33MHz,。
  Cbe[3..0] : 命令,、字節(jié)使能信號。
  Ad[31..0] : 地址,、數(shù)據(jù)多路復(fù)用的三態(tài)輸入/輸出信號,。
  Frame : 幀周期信號,由主設(shè)備驅(qū)動,,表示當(dāng)前主設(shè)備一次交易的開始和持續(xù)時間,。
  Irdy : 主設(shè)備準(zhǔn)備好信號。
  Trdy : 從設(shè)備數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好信號,。
  Devsel : 從設(shè)備被選中響應(yīng)信號,。
  Inta :從設(shè)備中斷請求,低有效,。

  在設(shè)計時舍棄的信號有:Par,、Stop,、Perr、Serr,、Req,、Gnt。 

  GP-IB接口芯片控制信號設(shè)計

  根據(jù)電路要求,,設(shè)計如下接口信號,,用來完成對NAT9914和驅(qū)動芯片的控制,實現(xiàn)PCI到GP-IB接口的轉(zhuǎn)換,。

  Target_clk: GP-IB接口控制芯片時鐘,,本方案設(shè)計為33MHz時鐘的8分頻。
  Target_rst:復(fù)位脈沖信號,,低電平復(fù)位,。
  Target_ce: 讀寫使能,高電平為讀,,低電平為寫,。
  Target_sc:標(biāo)識GP-IB接口卡作為控者,還是作為普通器件,。
  Target_we:寫使能控制,,低電平有效。
  Target_int_l:控制芯片中斷輸出,,低電平有效,。
  Target_abus:有效地址輸出。
  Target_dbus:三態(tài)數(shù)據(jù)輸入/輸出總線,。
  
  電路優(yōu)化設(shè)計

  圖2給出了PCI總線接口電路的原理框圖,,由于EPLD容量較小,在設(shè)計時必須盡量減少不必要的電路設(shè)計,,并對電路設(shè)計進行優(yōu)化,,下面給出各電路模塊的功能設(shè)計:

  譯碼電路

       PCI總線命令編碼方式有12種,在本設(shè)計中我們只實現(xiàn)配置讀,、配置寫,、存儲器讀和存儲器寫四種編碼交易類型。譯碼功能電路工作在地址周期,,包括命令譯碼,、地址譯碼和命令/地址鎖存等三項功能。在Frame變低的第一個時鐘周期內(nèi),,譯碼電路對來自主設(shè)備的命令Cbe[3..0]進行譯碼,,并向狀態(tài)機控制模塊發(fā)出是配置讀寫還是存儲器讀寫命令,同時鎖存地址,。

  配置寄存器

  在PCI規(guī)范中,,配置空間是一個容量為256字節(jié)并具有特定記錄結(jié)構(gòu)或模型的地址空間,該空間又分為頭標(biāo)區(qū)和設(shè)備有關(guān)區(qū)兩部分,。在配置寄存器中不用的寄存器當(dāng)CPU讀的時候,將默認(rèn)為零,。

   重試

  GP-IB控制芯片寄存器響應(yīng)完全能夠滿足PCI規(guī)范的要求,不需要進行重試,,這部分功能不再實現(xiàn),。

  奇偶校驗

  在BIOS中可以對奇偶校驗進行屏蔽和開放,為了減少設(shè)計的復(fù)雜性,,奇偶校驗功能在EPLD中沒有實現(xiàn),,在BIOS中進行了屏蔽。

 

  NAT9914接口控制電路

  NAT9914接口控制電路主要完成內(nèi)部總線到外設(shè)的時序控制,。GP-IB總線接口采用的是負(fù)邏輯電平設(shè)計,,考慮到EPLD的容量有限,在設(shè)計時數(shù)據(jù)傳輸不支持DMA模式,,只支持單周期CPU讀寫,。由于CPU讀數(shù)據(jù)時延遲較大,在對PCI狀態(tài)機設(shè)計時必須進行讀延遲等待,。
  
        狀態(tài)機的設(shè)計與實現(xiàn)

  狀態(tài)機的設(shè)計是整個設(shè)計中的核心部分,,它主要用來控制從設(shè)備和PCI總線的時序。在本設(shè)計方案中,,配置過程的完成和存儲器的讀寫都是由狀態(tài)機來完成的,。由于EPLD的容量有限,GP-IB接口芯片的讀寫速度比較慢,,在設(shè)計狀態(tài)機時,,不支持CPU的猝發(fā)操作。表1給出了狀態(tài)機的狀態(tài)名,、狀態(tài)變量和說明,,圖3給出了狀態(tài)機的流程圖。

狀態(tài)機設(shè)計流程圖

圖3  狀態(tài)機設(shè)計流程圖

  下面根據(jù)狀態(tài)機的流程圖給出讀,、寫操作時序分析與設(shè)計要點:

  PCI規(guī)范中定義了三種讀寫操作,,即Memory和I/O讀寫及配置讀寫。本方案不支持I/O讀寫,只支持Memory和配置的讀寫,,下面給出Memory映射方式的單周期仿真讀寫時序,。
  
  存儲器寫操作

  存儲器單周期寫操作時序如圖4所示,當(dāng)frame為低電平時啟動讀寫操作,,同時給出要寫的目標(biāo)地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]=7,,cbe等于7表示寫寄存器,從設(shè)備鎖存命令和地址到緩沖區(qū),。在第2個clk,,主設(shè)備將irdy變低,,同時給出數(shù)據(jù),狀態(tài)機運行到6,,鎖存數(shù)據(jù)給緩沖區(qū),,trdy、devsel由高阻變?yōu)楦唠娖?。在?個clk,,devsel變低,給出主設(shè)備應(yīng)答信號,,表示從設(shè)備已經(jīng)響應(yīng)請求,,狀態(tài)機運行到7。根據(jù)寫操作,,target_we,、target_ce變低,并對地址進行譯碼,,放在地址總線上,,同時驅(qū)動數(shù)據(jù)總線,表示在對控制芯片進行寫操作,。在第4個clk,,檢測到目標(biāo)設(shè)備的target_ready_l為低電平,表示從設(shè)備已經(jīng)做好接受數(shù)據(jù)的準(zhǔn)備,,狀態(tài)機運行到8,,將trdy變低。在第5個clk,,狀態(tài)機運行到9,,trdy變高,同時主設(shè)備將驅(qū)動irdy變高,,表示一個寫周期結(jié)束,。狀態(tài)機運行到初始狀態(tài),等待下一次操作,。target_ce,、target_we將延遲變高,結(jié)束控制芯片寫周期,。

存儲器寫周期時序
圖4  存儲器寫周期時序

         存儲器讀操作

  存儲器單周期讀操作時序如圖5所示,,當(dāng)frame為低電平時啟動讀寫操作,同時給出要寫的目標(biāo)地址ad[31..0]和命令cbe[3..0]=6,,從設(shè)備鎖存該命令和地址,。在第2個clk,狀態(tài)機運行到6,進入讀寫等待狀態(tài),,主設(shè)備將frame變高,,表示單周期模式,trdy,、devsel,、由高阻變?yōu)楦唠娖健T诘?個clk,狀態(tài)機運行到7,,并給出應(yīng)答信號devsel,,檢測到target_ready_l為高電平,,狀態(tài)機進入等待狀態(tài),,直到為低電平,然后運行到讀等待狀態(tài)4,。在狀態(tài)機8,,trdy變低,從設(shè)備將讀數(shù)據(jù)放在ad[31..0]總線上,。在狀態(tài)機9,,trdy變高,devsel變高,,同時主設(shè)備將irdy變高,,結(jié)束單周期讀操作。devsel,、trdy回到高阻狀態(tài),,狀態(tài)機運行到初始狀態(tài),準(zhǔn)備下次操作,。

存儲器讀周期時序

圖5  存儲器讀周期時序

  結(jié)語

  本設(shè)計占用芯片的資源少,,可移植性強,根據(jù)設(shè)備不同的需求可以進行設(shè)計更改,,在很多測試儀器中都得到了廣泛的應(yīng)用,。

        參考文獻(xiàn):

  1.李貴山、陳金鵬,,PCI局部總線及其應(yīng)用,,西安電子科技大學(xué)出版社,2003
  2. 候伯亨,、顧新,,VHDL硬件描述語言與電路設(shè)計,西安電子科技大學(xué)出版社,,1997

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