《電子技術(shù)應(yīng)用》
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CCD和CMOS主要技術(shù)分析
摘要: CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項成像技術(shù),,它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,,就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣,。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術(shù),,便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果,。另外,,還可看到,COMS作為極具發(fā)展?jié)摿Φ某上窦夹g(shù),,較CCD有著更強勁的優(yōu)勢。本文將對CCD和CMOS主要技術(shù)作簡要分析,,并作出選擇判斷,。
Abstract:
Key words :

CCDCMOS是當(dāng)前主要的兩項成像技術(shù),它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,,就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣,。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術(shù),,便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果,。另外,還可看到,,COMS作為極具發(fā)展?jié)摿Φ某上窦夹g(shù),,較CCD有著更強勁的優(yōu)勢。本文將對CCD和CMOS主要技術(shù)作簡要分析,,并作出選擇判斷,。

  無論是交通抓拍,還是高清視頻監(jiān)控,,只要應(yīng)用到視覺成像技術(shù),,就會涉及到感光傳感器——即CCD或CMOS成像技術(shù)。
 

  CCD和CMOS主要技術(shù)特性比較

  對于交通抓拍和視頻監(jiān)控,,對前端成像傳感器CCD和CMOS比較關(guān)注的技術(shù)特性主要有以下幾點,。

  電子快門Electronic Shutter

  電子快門用來控制芯片從開始到結(jié)束的電荷積分時間。由于CCD芯片暴露在光線下,,即使把電荷轉(zhuǎn)移也還會有電荷累積,。因此,如果被測的是運動目標(biāo),,就會產(chǎn)生常說的Smear(拖影)現(xiàn)象,。CCD是用行間轉(zhuǎn)移(ILT)的方式解決電荷累積問題的,每個像素被分為感光區(qū)和電荷轉(zhuǎn)移區(qū),,電荷轉(zhuǎn)移區(qū)不感光,,這樣在曝光結(jié)束時先將電荷一次性轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移區(qū),再讀出,,這樣讀出過程就沒有電荷積分,,不會產(chǎn)生因目標(biāo)運動而引起的Smear現(xiàn)象。但顯然ILT方式減少了像素的感光面積,,降低了靈敏度,。這時,,通常在像素上增加微透鏡來收集更多的電荷。

  CMOS芯片上電荷都是在每個像素上讀出的,,不存在CCD芯片的問題,,它的電子快門分Rolling shutter和Global shutter兩種,Rolling shutter通常采用的都是3T像素結(jié)構(gòu),,每次僅能對一行像素進行曝光控制(如圖1-1),,即一行曝光后再對下一行進行曝光,這樣就會出現(xiàn)如圖1-2所示的情形,。Global shutter的芯片需要具備5T的結(jié)構(gòu),,使整幅圖像所有像素同時開始和結(jié)束曝光,圖1-3是Global shutter的成像效果,。但5個光電二極管的結(jié)構(gòu)同樣減小了感光面積,,這也可以通過增加微透鏡的方式來彌補。

  

 

  幀率:Frame Rate

  另外一個需要重點考慮的是幀率,。對于CCD感光器來說,,抓拍和監(jiān)控速度主要受制于電荷的讀出速度,讀出時鐘又決定了電荷讀出速度的快慢,,分辨率越高,,CCD芯片讀出的速度就越慢。實際上,,讀出時鐘的上限取決于光-電轉(zhuǎn)換的讀出放大器的帶寬,,更高的讀出速率要求有更寬的帶寬;但另一方面,帶寬越大又會帶來更多的噪聲,,同時高速高帶寬的讀出放大器功率也會增加,。因此,對CCD感光器而言,,高速是在像素分辨率,、噪聲、功耗之間的平衡,。多通道可以在一定程度上解決讀出速度的問題,,將圖像分成多個區(qū)域,分別用讀出放大器讀出,,再進行拼合,。由于多通道電路使攝像機體積更大、功耗更高,,故不適合于所有應(yīng)用,。

  對于CMOS芯片而言,以單個像素為單位將電荷轉(zhuǎn)化為電壓,讀出放大器就不再需要提高速度來支持更高的幀率,。因此,,CMOS芯片更易獲得更高幀率。與此同時,,與CCD不一樣,,CMOS得到的圖像數(shù)據(jù)能夠清零而無需被讀出。這就解決了機器視覺系統(tǒng)僅對圖像里感興趣區(qū)域成像,、只需讀出部分圖像信息的問題,。當(dāng)只需讀出感興趣區(qū)域的應(yīng)用場合,CMOS芯片能夠在不增加像素頻率的基礎(chǔ)上支持更高的幀率,。

  微光成像(低照度成像)Low-light Operation

  當(dāng)需要在微光下成像時,,CCD和CMOS感光器采用的技術(shù)是不同的,,在微光條件下,,讀出放大器非常重要,CCD采用統(tǒng)一的放大器讀出,,相應(yīng)的,,一致性比CMOS要好。微光條件意味著信號和噪聲的量級接近,,噪聲對圖像的質(zhì)量影響會很大,。每個CMOS感光器像素上的讀出放大器都是低帶寬放大器,比CCD感光器中用的高帶寬放大器噪聲更小,,因此,,可以通過提高信號增益來獲得更好的信噪比。而通常CCD比CMOS的填充因子要高,,同樣條件下收集的電荷數(shù)會更多,。同時CCD可以通過電荷倍增技術(shù),在讀出前,,通過多級的電荷倍增,,每次增加小幅度增益,獲得更高的信噪比,。此外,,像素組合功能(Binning)也可以提高CCD的靈敏度,對N個像素進行Binning可將信噪比提升N倍,。CMOS也可以進行類似的Binning,,往往是對相鄰像素電壓信號進行采樣疊加,由于采樣也會引入一定的隨機噪聲,,因此,,CMOS中對N個像素進行Binning所得的信噪比的提升只能達到倍。非可見光成像Other Wavelenghs

 

  CCD和CMOS感光器在對可見光以外的光譜成像方面也有很大的不同,,如紅外光(IR)射到傳感芯片上時會比可見光打得更深,,因此要想充分收集這些電荷,,就需要將硅襯底做得更厚些。這對于CCD芯片,,在工藝上會容易些,。而對于CMOS,工藝還會有些問題,。將感光部分硅襯底做得更厚,,意味著要將其他的光電二極管做得同樣厚,這樣會影響這些控制門,、放大器等器件的性能,。

  對于紫外光(UV),無法透過大多數(shù)集成電路電極層,,或者是電路電機層對紫外線根本不響應(yīng),。這就導(dǎo)致如果采用前照的方式,紫外光引起的響應(yīng)會很弱,,要解決這個效應(yīng)問題,,可以通過去掉基底層,采用背照的方式來實現(xiàn),。CCD感光器的減薄技術(shù)已經(jīng)非常成熟,,而CMOS的減薄技術(shù)也取得了很大的突破。

  CCD還是CMOS?作出選擇

  從CCD和CMOS感光器對電子快門,、幀率,、微光成像及非可見光成像的不同工藝技術(shù)所帶來的不同影響,可以不難看出,,選擇CCD或CMOS傳感器應(yīng)取決于具體應(yīng)用(圖2),。對于需要微光或非可見光成像的應(yīng)用,CCD技術(shù)的優(yōu)勢非常明顯;對于需要高幀率和低能耗的應(yīng)用,,或需要對一些感興趣區(qū)域成像的應(yīng)用,,CMOS則是更好的選擇;如果對電子快門有特別的需求,這兩種技術(shù)則各有利弊,。

  

CCD內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

 

  圖2 CCD內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

  可以看到,,對于交通抓拍而言,傳感器必須要Global shutter的,,這樣才能避免車牌的變形(圖3);同時,,如果對夜間效果要求比較高,最好是選擇靈敏度高的傳感器(CCD或者高端CMOS芯片);而為了避免產(chǎn)生拖影擋住車牌,,應(yīng)選擇CMOS,,以有效彌補這個缺陷;而對于視頻監(jiān)控而言,圖像的實時性和流暢性更為重要,所以幀率更具優(yōu)勢的CMOS就成為最佳選擇,。

  針對交通抓拍和高清視頻監(jiān)控,,現(xiàn)在有廠商推出將各類主要成熟技術(shù)集成在高端CMOS傳感器上的整體解決方案。

  CMOS后勁勃發(fā)

  CCD和CMOS的主要區(qū)別是感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同,。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,,以電荷方式存貯并以電荷轉(zhuǎn)移的方式順序輸出,需要專用的工藝制程實現(xiàn),。CMOS圖像感光單元為光電二極管,,可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現(xiàn),除此之外還可將圖像處理電路集成,,實現(xiàn)更高的集成度和更低的功耗,。

  由于CCD技術(shù)出現(xiàn)較早,相對成熟,,占據(jù)了絕大部分的高端市場,。早期CMOS與CCD相比,僅只功耗與成本優(yōu)勢,,現(xiàn)在隨著CMOS技術(shù)的不斷進步,,性能已不斷提升,,而CCD技術(shù)提升空間有限,,進步緩慢。

  目前,,圖像傳感器技術(shù)趨勢是向高速發(fā)展,,而CMOS是高速成像所青睞的技術(shù)。有資料說,,高速圖像傳感器有三大發(fā)展動向,,一是向超高速、二是向單片上多功能集成,、三是向通用高速圖像傳感器方向發(fā)展,。

  現(xiàn)在,CMOS不僅占據(jù)幾乎全部的便攜產(chǎn)品和部分高端DSC(Digital Still Camera)市場,,更是向CCD傳統(tǒng)優(yōu)勢市場——監(jiān)控市場發(fā)起了沖擊,。

  結(jié)語

  CMOS作為上升的感光傳感器技術(shù),盡管現(xiàn)在仍有一些性能比不上CCD,,但CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集成在半導(dǎo)體單晶材料上,,而CMOS是集成在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料上,工作原理沒有本質(zhì)區(qū)別,,CCD制造工藝較復(fù)雜,。目前CCD和CMOS實際效果的差距已大大縮小,與CCD相比,CMOS體積小,、耗電量低,、成本低廉;CMOS是標(biāo)準(zhǔn)工藝制造,可利用現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)備,,品質(zhì)可隨半導(dǎo)體技術(shù)的提升而進步;CMOS傳感器具有高度系統(tǒng)整合的條件,,即圖像傳感器所需的功能,都可集成在一顆晶片上,。

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