《電子技術(shù)應(yīng)用》
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LED照明用恒流電源的最佳方案選擇
摘要: 將功率因數(shù)校正電路與主控電路分開,,采用Boost型的功率因數(shù)校正電路后接電源變換器的方案,,優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,并不涉及單片機(jī)對(duì)功率因數(shù)校正電路的控制,,只需使功率因數(shù)校正部分輸出一個(gè)穩(wěn)定的電壓即可,,缺點(diǎn)是會(huì)一定程度上降低設(shè)計(jì)的整體效率。
Abstract:
Key words :

  推薦一,、方案比較與選擇

 

  1 電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案

  方案一:采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電路,,優(yōu)點(diǎn)是將功率因數(shù)校正與電源變換器合二為一,可以大大減少電路的損耗,,提高電路的整體效率,缺點(diǎn)是應(yīng)用在反激式電路的有源功率因數(shù)校正控制芯片種類較少,,且電路比較復(fù)雜,,很難設(shè)計(jì)與單片機(jī)合適的接口電路,不容易使用單片機(jī)進(jìn)行控制,。

  方案二:將功率因數(shù)校正電路與主控電路分開,,采用Boost 型的功率因數(shù)校正電路后接電源變換器的方案,優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,并不涉及單片機(jī)對(duì)功率因數(shù)校正電路的控制,,只需使功率因數(shù)校正部分輸出一個(gè)穩(wěn)定的電壓即可,缺點(diǎn)是會(huì)一定程度上降低設(shè)計(jì)的整體效率,。

  鑒于本題要求步進(jìn)調(diào)壓的功能,,需要單片機(jī)對(duì)PWM控制芯片有一個(gè)良好而穩(wěn)定的控制,故選擇方案二,。

  2 電源變換器方案

  方案一:采用半橋變換電路,,優(yōu)點(diǎn)是高頻變壓器利用率高,傳輸功率大,,電路效率很高,,缺點(diǎn)是電路較復(fù)雜,且有直通危險(xiǎn),。

  方案二:采用單端反激變換電路,,優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,缺點(diǎn)是高頻變壓器利用率低,,需要留有氣隙,,電路效率不高。

  鑒于本題要求最大負(fù)載只有10 個(gè)1W 的LED,,傳輸功率較小,,故采用方案二,即反激式電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。

 

 

  3 閉環(huán)反饋控制方案

  方案一:采用軟件閉環(huán)反饋控制,,即使用單片機(jī)進(jìn)行各參數(shù)的采樣,,然后直接由單片機(jī)對(duì)PWM控制芯片進(jìn)行控制,調(diào)節(jié)占空比,。優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,缺點(diǎn)是反饋回路會(huì)受到采樣精度、采樣速度,、單片機(jī)運(yùn)算速度等因素的影響,,使反饋系統(tǒng)變得不穩(wěn)定。

  方案二:采用硬件閉環(huán)反饋控制,,即使用硬件電路構(gòu)建反饋電路,,由PWM控制芯片自身根據(jù)反饋信號(hào)調(diào)節(jié)占空比,而單片機(jī)對(duì)PWM控制芯片只是進(jìn)行輔助調(diào)整,。優(yōu)點(diǎn)是反饋速度快,,調(diào)節(jié)精度高,缺點(diǎn)是易受外部干擾,。

  4 有源功率因數(shù)校正方案

  方案一:采用UC3854作為有源功率因數(shù)校正電路的主控芯片,。優(yōu)點(diǎn)是功率因數(shù)校正系數(shù)可達(dá)99.5%,缺點(diǎn)是外圍電路非常復(fù)雜且調(diào)試?yán)щy,。

        方案二:采用MC33260作為有源功率有源功率因數(shù)校正電路的主控芯片,。優(yōu)點(diǎn)是外圍電路簡(jiǎn)單,缺點(diǎn)是功率因數(shù)校正率與UC3854相比略低,。

  220VAC經(jīng)工頻變壓器降壓為36VAC,,經(jīng)開機(jī)沖擊電流抑制電路輸入到功率因數(shù)校正電路中,再經(jīng)高頻隔離變壓器給串聯(lián)在一起的LED燈供電,,在LED燈處分別進(jìn)行電壓,、電流采樣,返回給PWM控制芯片和單片機(jī),,由單片機(jī)給定基準(zhǔn)電壓來控制PWM控制芯片,,進(jìn)而達(dá)到控制LED燈恒流可調(diào)的目的。

  系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,。

 

   系統(tǒng)總體框圖

  圖1 系統(tǒng)總體框圖

 

  二,、電路與程序設(shè)計(jì)

 

  1 電源變換器主回路與器件選擇

  PWM 控制芯片采用SG3525。SG3525 的主要特點(diǎn)是:輸出級(jí)采用推挽輸出,,雙通道輸出,,占空比0 - 50%可調(diào)。每一通道的驅(qū)動(dòng)電流最大值可達(dá)200mA,,灌拉電流峰值可達(dá)500mA,。

  SG3525 的1、2 引腳分別為內(nèi)部誤差放大器的反相輸入端和同相輸入端,,反相輸入端接收反饋的電壓信號(hào),,同相輸入端為給定的電壓基準(zhǔn),,一般接在16 引腳電壓基準(zhǔn)的分壓上,由于題目要求恒流輸出時(shí)電流步進(jìn)可調(diào),,故同相輸入端接單片機(jī)DAC 模塊產(chǎn)生的參考電壓,。

  負(fù)載的電流采樣由串聯(lián)在LED 負(fù)載與地之間的采樣電阻完成,經(jīng)一級(jí)跟隨,、一級(jí)同相放大之后分別給單片機(jī)和PWM控制芯片,;電壓采樣由負(fù)載和電流采樣電阻上的電壓分壓完成,經(jīng)一級(jí)跟隨分別給單片機(jī)和PWM 控制芯片,。為完成恒壓與恒流模式的切換,,分別在電壓采樣回路與電流采樣回路與PWM 控制芯片間各加入一個(gè)N 溝道MOSFET 作為電子開關(guān),完成切換,。為保證反饋的穩(wěn)定性在MOSFET 后再加一級(jí)跟隨后將反饋信號(hào)傳遞給PWM 控制芯片,。

 

  PWM 控制模塊

  圖2 PWM 控制模塊

 

  2 控制電路與控制程序設(shè)計(jì)

  由于本設(shè)計(jì)的控制部分并不需要很大的計(jì)算量,對(duì)計(jì)算速度的要求也不是很高,,但需要ADC 與DAC 模塊進(jìn)行電壓與電流的采樣和對(duì)PWM 控制芯片的控制,,因此選用C8051F020單片機(jī)作為核心處理芯片,,它擁有高速8051 微控制器內(nèi)核,,8 個(gè)12 位ADC和2 個(gè)12 位DAC,完全可以滿足設(shè)計(jì)的需求,。

  由于本LED 恒流電源工作時(shí)絕大部分時(shí)間處于穩(wěn)定狀態(tài),,且對(duì)反應(yīng)速度沒有過快要求,因此并不需要對(duì)電壓,、電流信號(hào)進(jìn)行同時(shí)的采樣,,而可以分別采樣,模式切換和基準(zhǔn)電壓的調(diào)整也不需在中斷服務(wù)中完成,,只有步進(jìn)調(diào)整電流的按鍵程序需要在中斷服務(wù)中完成,。

  3 保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  過壓保護(hù)電路并不是單獨(dú)設(shè)計(jì)的,而是整合在電流控制電路中,,由恒流控制回路與恒壓控制回路的切換完成,,當(dāng)單片機(jī)檢測(cè)到負(fù)載上的電壓高于36V 時(shí),單片機(jī)控制將恒流控制回路切換為恒壓控制回路,,將負(fù)載的電壓控制在略高于36V,,當(dāng)再次檢測(cè)到負(fù)載電流降低到設(shè)定的電流以下時(shí),重新將恒壓模式切換為恒流模式,,達(dá)到過壓保護(hù)的目的,。

 

  控制程序流程圖

  圖3 控制程序流程圖

 

  4 功率因數(shù)校正電路設(shè)計(jì)

  選用小功率功率因數(shù)校正芯片MC33260,它工作在電流臨界模式,。MC33260應(yīng)用簡(jiǎn)單可靠,。通過電流檢測(cè)和電壓反饋,,通過PI調(diào)節(jié)來保持電壓恒定。通過對(duì)開關(guān)管的PWM控制來得到所需要電壓,??蓪?shí)現(xiàn)0.998的功率因數(shù)校正和輸出穩(wěn)定直流電壓的功能。

 

  功率因數(shù)校正模塊

  圖4 功率因數(shù)校正模塊

 

  5 自動(dòng)調(diào)光電路設(shè)計(jì),,開機(jī)沖擊電路與EMI抑制電路設(shè)計(jì)

  自動(dòng)調(diào)壓電路采用光敏電阻作為感光元件,,利用比較強(qiáng)將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為高低電平信號(hào),使用單片機(jī)內(nèi)置的ADC將這個(gè)電壓信號(hào)采回單片機(jī),,當(dāng)光照強(qiáng)度較高時(shí),,單片機(jī)控制切換為恒流模式,設(shè)置的負(fù)載電流值為100mA,,使LED的亮度隨光照強(qiáng)度的增大而減少,。

  開機(jī)沖擊電路采用熱敏電阻串聯(lián)在電源輸入端,溫度較低時(shí)電阻很大,,隨著電阻發(fā)熱溫度升高,,電阻逐漸變小,達(dá)到抑制開關(guān)沖擊電流過大的目的,。

  EMI抑制電路是利用電感和電容的特性,,使平率為50Hz左右的交流電可以順利通過濾波器,但高于50Hz以上的高頻干擾雜波被濾波器濾除,,這就使開關(guān)電源產(chǎn)生的高頻諧波被濾掉而不會(huì)污染電網(wǎng),。

 

  開機(jī)沖擊電流和EMI抑制模塊

  圖5 開機(jī)沖擊電流和EMI抑制模塊

 

  三、理論分析與計(jì)算

 

  1 恒流控制方法和參數(shù)計(jì)算

  將一個(gè)電阻值較小的采樣電阻串聯(lián)在LED負(fù)載與低之間,,設(shè)流過LED的電流為I,,則采樣電阻兩端的電壓:

  

  其中R0為采樣電阻的電阻值,取R0=Ω,。一級(jí)跟隨之后電壓不變,,后為一級(jí)同相放大電路,放大倍數(shù)為:

  

  后為一級(jí)跟隨,,電壓不變,,因此返回PWM控制芯片的電壓為:

  

  單片機(jī)通過DAC給PWM控制芯片一個(gè)參考的基準(zhǔn)電壓UREF,經(jīng)過PWM控制芯片的調(diào)節(jié)占空比來調(diào)節(jié)副邊繞組的電壓進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)負(fù)載電流,。經(jīng)過閉環(huán)負(fù)反饋的調(diào)節(jié)作用,,使U0=UREF,此時(shí)流過負(fù)載的電流值為:

  

  只要時(shí)單片機(jī)DAC模塊的輸出電壓根據(jù)上面的式子調(diào)整,,就會(huì)使負(fù)載工作在某一個(gè)需要的恒定電流值上,。

  2 隔離變壓器的設(shè)計(jì)計(jì)算

  功率因數(shù)校正電路輸出的電壓為55V,要求負(fù)載為10只串聯(lián)的LED燈,實(shí)測(cè)正常工作時(shí)的電壓為34V左右,,可得變壓器的變比約為:

  

  由于PWM控制芯片輸出占空比范圍為0%~50%,,因此實(shí)際取原邊45匝,副邊56匝,,變比為1.24,。

  3 提高效率的方法

  選擇合適的主回路拓?fù)洌褂帽M可能少的元器件,,降低開關(guān)頻率,;主電路選擇導(dǎo)通損耗小的開關(guān)器件;測(cè)量及控制電路在設(shè)計(jì)時(shí)盡可能使用工作電壓低的元器件,;控制電路盡可能使用數(shù)字方法實(shí)現(xiàn)等都可以有效地提高系統(tǒng)的效率,。

  4 濾波參數(shù)計(jì)算

  反激式電壓變換器需要輸出的為直流量,因此盡量應(yīng)濾掉所有諧波,,使用 LC 無源低通濾波電路即可滿足要求,,反激式變換器的開關(guān)頻率為32kHz,設(shè)計(jì)濾波器的截止頻率應(yīng)低于32KHz,,即:

  

  由于該系統(tǒng)為恒流系統(tǒng),,應(yīng)取較大的L 值,并適當(dāng)減小C 的值,,據(jù)此設(shè)定L,、C 值。選用470μF 的電解電容,,根據(jù)計(jì)算得出電感值約為0.78mH,,采用自制的工字型濾波電感,。

 

  四,、測(cè)試方案與測(cè)試結(jié)果

 

  1 測(cè)試儀器與設(shè)備

  (1)工頻變壓器

 ?。?)四位半數(shù)字萬用表DT9203

 ?。?)安捷倫示波器DSO5012A

  2 測(cè)試數(shù)據(jù)

  (1)輸出電流跟蹤測(cè)試:

  表1 輸出電流顯示跟蹤測(cè)試

  

 

 ?。?)電壓調(diào)整率測(cè)試(設(shè)定電流為150mA):

  表2 電壓調(diào)整率測(cè)試

  

  從32V~40V 時(shí)電流變化范圍是149mA~150mA 調(diào)整率為0.6%,。電壓調(diào)整率Su≤1%。達(dá)到要求:

 ?。?)負(fù)載調(diào)整率測(cè)試

  輸入電壓為36.23V,,設(shè)定電流為300mA,負(fù)載從5 個(gè)LED 到10 個(gè)LED 時(shí)輸出電流波動(dòng)范圍是209mA~300mA,。調(diào)整率為0.4%,。負(fù)載調(diào)整率SL≤1%達(dá)到要求。

  表3 負(fù)載調(diào)整率測(cè)試

  

  (4)效率測(cè)試

  U2=36V,、負(fù)載為10個(gè)LED,、I0=300mA。

  表4 效率η參數(shù)測(cè)試

  

 ?。?)功率因數(shù)測(cè)試

  測(cè)得功率因數(shù)為0.998,,達(dá)到要求。

 

  功率因數(shù)校正波形

  圖6 功率因數(shù)校正波形

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