《電子技術(shù)應(yīng)用》
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電源管理:三款手機(jī)充電器解決方案比較
摘要: 本文涉及TH102手機(jī)充電器解決方案設(shè)計(jì)技術(shù)細(xì)節(jié),,以及與兩款手機(jī)充電器競(jìng)爭(zhēng)方案(POWER INTEGRATIONS INC的TNY264,ST的PIVer12A)的比較,。
Abstract:
Key words :

中心議題:

.TH102手機(jī)充電器解決方案設(shè)計(jì)
.與兩款手機(jī)充電器競(jìng)爭(zhēng)方案的比較
解決方案:
.三種充電器均采用單端
反激式變換電路
.TH102需外置高阻
電阻,、開(kāi)關(guān)功率管
.采用光耦隔離反饋電路

概述
本文涉及TH102手機(jī)充電器解決方案設(shè)計(jì)技術(shù)細(xì)節(jié),以及與兩款手機(jī)充電器競(jìng)爭(zhēng)方案(POWER INTEGRATIONS INC的TNY264,,ST的PIVer12A)的比較,。

變換電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
TH102、TNY264,、PIVer12A手機(jī)充電器均采用單端反激式變換電路,;輸入整流濾波電路、輸出整流濾波電路也一致,。手機(jī)充電器
電源輸入端串聯(lián)電阻(圖2,,R1;圖3,,R1;圖5,,RF1,;圖7,R1)為保險(xiǎn)電阻,;輸入濾波電路采用CLC濾波電路(圖2,、圖3中C1、L1,、C2,;圖5中C1,、L1、L2,、C2,;圖7中C1、I1,、C2,;其中TNY264的L2加強(qiáng)了高頻濾波),可以滿足EMC檢測(cè),;輸出濾波電路也采用CLC濾波電路,,保證較小的輸出紋波。

  

圖1,、TH102原理框圖

 

圖2,、TH102手機(jī)充電器方案一

 

圖3、TH102手機(jī)充電器解決二

IC工藝
TH102采用雙極工藝,,需外置開(kāi)關(guān)功率管,,但成本較低廉;TNY264和PIVer12A均采用先進(jìn)的700V高壓
MOS工藝,,內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)功率管,,但目前成本較高。

啟動(dòng)電路
TH102需外置高阻電阻(圖2,、圖3中R2),、開(kāi)關(guān)功率管(圖2、圖3中Q1),,在TH102的控制下完成啟動(dòng),;TNY264和PIVer12A均采用內(nèi)置可控高壓
電流源供給啟動(dòng)電流,工藝先進(jìn),。

待機(jī)功耗或零負(fù)載功耗
TH102零負(fù)載功耗包括:高壓?jiǎn)?dòng)電阻(圖2,、圖3中R2)靜態(tài)功耗,約30mW左右,;開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)損耗,;磁復(fù)位損耗,圖2,、圖3采用RCD電路(圖中R5,、C5、D5)損耗較大,,若采用齊納
二極管磁復(fù)位電路能降低損耗,,但成本較高;開(kāi)關(guān)變壓器開(kāi)關(guān)損耗,;TH102工作損耗,;和輸出反饋損耗,;按圖2、圖3方案,,零負(fù)載功耗小于0.3W,,圖中D8在零負(fù)載和小負(fù)載時(shí)將增大開(kāi)關(guān)周期,減小開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)損耗,。

TNY264零負(fù)載功耗包括:內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)損耗,,由于MOS開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)速度比雙極開(kāi)關(guān)功率管快,因而開(kāi)關(guān)損耗也??;磁復(fù)位損耗,圖5采用齊納二極管磁復(fù)位電路(圖中D5,、VR1,、C3);開(kāi)關(guān)變壓器開(kāi)關(guān)損耗,;TNY264工作損耗,;和輸出反饋損耗;由于TNY264每個(gè)開(kāi)關(guān)周期均為最大輸出周期,,因而在零負(fù)載和小負(fù)載時(shí)TNY264開(kāi)關(guān)周期將變得很大,,因而MOS開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)損耗減小,零負(fù)載功耗會(huì)很小,,但如反饋,、變壓器等設(shè)計(jì)不好,紋波將增加,,或采用經(jīng)濟(jì)的RCD電路時(shí)零負(fù)載功耗顯著增加,。

PIVer12A零負(fù)載功耗包括:內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)功率管開(kāi)關(guān)損耗;磁復(fù)位損耗,,圖7采用齊納二極管磁復(fù)位電路,;開(kāi)關(guān)變壓器開(kāi)關(guān)損耗;PIVer12A工作損耗,;和輸出反饋損耗,。

盡管TH102方案待機(jī)功耗不如TNY264和PIVer12A,但小于0.3W和低價(jià)位,,具有更高的性價(jià)比,。

輸出電壓基準(zhǔn)和反饋
TH102采用穩(wěn)壓管、光耦發(fā)光管(圖2中Z1,、U3、RZ)為輸出電壓基準(zhǔn),,RZ基于光耦發(fā)光管壓降為Z1提供基電流,,改變?cè)摶娏鳎雀淖僐Z)可小幅改變Z1穩(wěn)壓值,,因此,若需較高精度輸出電壓可調(diào)校RZ,,調(diào)校RZ可采用成批穩(wěn)壓管分為幾檔,,每檔穩(wěn)壓管對(duì)應(yīng)一個(gè)RZ;或TH102采用TL431(圖3中U2,、R6,、R7、R8,、R9,、R10、C9)電路為輸出電壓基準(zhǔn),,基準(zhǔn)精度較高和無(wú)需調(diào)校,。TH102采用光耦隔離反饋電路(圖2中Z1、U3,、RZ,、C4,圖3中U2,、R6,、R7、R8,、R9,、R10、C9,、C4),。

TNY264采用穩(wěn)壓管、光耦發(fā)射二極管為輸出電壓基準(zhǔn)和光耦隔離反饋電路,。

PIVer12A采用穩(wěn)壓管,、光耦發(fā)射二極管為輸出電壓基準(zhǔn)和光耦隔離反饋電路。其光耦隔離反饋電路原理與TH102相似,。

變壓器
TH102,、TNY264、PIVer12A變壓器設(shè)計(jì)基本相似,,而且價(jià)格也相當(dāng),,變壓器有主繞組、參考繞組,、和輸出繞組,,繞組之比需考慮退磁電壓、TH102或TNY264或PIVer12A的工作電壓,、輸出電壓,、整流二極管壓降,,退磁電壓設(shè)計(jì)還需顧及整流二極管耐壓;TH102變壓器設(shè)計(jì),,輸出整流二極管1N5819,,EE13磁心,退磁電壓75V,,工作電壓10V,,輸出電壓5.5V,則繞組之比為150:22:12,,主繞組4mH,。
輸出濾波
電容紋波電流
TH102、TNY264,、PIVer12A在輸出電壓和輸出電流相同時(shí),,按參考設(shè)計(jì)其濾波電容的紋波電流基本相同,如輸出
5.5V@500mA則紋波電流略小于500mA,,輸出一次濾波電容應(yīng)選擇能耐500mA的低ESR電解電容,。

安全保護(hù)
TH102、TNY264,、PIVer12A均有過(guò)載,、短路等保護(hù),但圖5和圖7還依然設(shè)有分立元件過(guò)載保護(hù)電路(圖5中U2,、Q1,、R3、R4,、R5,、VR3、其中R5輸出電流檢測(cè),;圖7中T1,、R5、R6,、R7,、R8、C8,,其中R6,、R7、R8輸出電流檢測(cè)),,原因在于按TNY264,、PIVer12A內(nèi)MOS開(kāi)關(guān)功率管400mA的能力,不是輸出電流遠(yuǎn)大于需要電流就是變壓器有飽和輸出隱患,而且輸出電流越大其輸出紋波電流也越大,,濾波電容將承受更大的紋波電流,,因此需額外設(shè)置電路加以保護(hù)。而TH102通過(guò)IS功率管電流輸入端的電流檢測(cè)電阻(圖2,、圖3中R3)和防過(guò)載防飽和技術(shù)較嚴(yán)格地限制功率管和變壓器電流,雖然隨著輸入電壓和輸出負(fù)載的變化,,最大輸出電流相對(duì)較寬,,但最大輸出紋波電流確比較穩(wěn)定,完全可以保證手機(jī)充電器的安全,;如因手機(jī)要求確需較嚴(yán)格的輸出電流限制,,可以采用圖5和圖7中保護(hù)電路。

 

圖4,、TNY264原理框圖400mA,132KHz

 

圖5,、TNY264手機(jī)充電器

 

圖6、VIPer12A原理框圖400mA,60KHz

 

圖7,、VIPer12A手機(jī)充電器

應(yīng)用指南:某款充電器部品清單,,輸出5.5V 

 
手機(jī)充電器開(kāi)關(guān)變壓器繞制(5.5V輸出) 
 
 
注:主繞組電感,4mH±10% ,;飛線1,、飛線2線頭長(zhǎng)15mm,并有5mm浸錫,;
5.5V繞組采用Φ0.40mm三層絕緣線,;需去掉EE13腳:Pin3、Pin6,、Pin7,、Pin9、Pin10,;安規(guī)要求:3700Vac,1mA,。

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