??? 功率半導體技術的世界領導者意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新系列功率MOSFET晶體管,，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強,，電能損耗更低,，特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源,。?

??? STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產(chǎn)品,，此一新級別的產(chǎn)品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產(chǎn)品相比,，意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,，可靠性更高。高壓電源設計人員還可以使用一個 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,，從而簡化電路設計,，縮減尺寸，減少元器件數(shù)量,。?

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??? 此外,，STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產(chǎn)品，這個優(yōu)勢可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,，因為過高的浪涌電流會燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A,，而實力最接近的競爭品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A,。?

??? 除更強的耐高壓能力外，STx7N95K3系列還實現(xiàn)了導通損耗最小化,，導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下,。新產(chǎn)品的單位芯片面積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，設計人員可以提高功率密度及能效,。?

??? 同時,，因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容，這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關性能,，這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率,、尺寸更小的元器件，以進一步提高能效和功率密度,。 ?

??? STx7N95K3 MOSFET實現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代SuperMESH3?技術,。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準封裝：STF7N95K3采用 TO-220FP封裝；STP7N95K3采用標準的TO-220封裝,；STW7N95K3采用TO-247封裝,。 ?

??? 隨后將推出的新產(chǎn)品是：950V 的BVDSS STW25N95K3,、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3,。在推出這些產(chǎn)品后,，意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品，包括850V,、950V,、1050V和1200V系列產(chǎn)品。 ?

??? STx7N95K3系列已投產(chǎn),。?

??? 詳情請訪問：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.?

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??? 關于意法半導體（ST）

??? 意法半導體是微電子應用領域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商,。硅片與系統(tǒng)技術的完美結合，雄厚的制造實力,，廣泛的知識產(chǎn)權組合（IP）,，以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關系，使意法半導體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位,。在今天實現(xiàn)技術一體化的發(fā)展趨勢中,，意法半導體的產(chǎn)品扮演重要的角色。2008年,，公司凈收入98.4億美元,，公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市,。詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn,。