富士通微電子業(yè)界首推兩款125°C規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器
2009-05-25
作者：富士通微電子（上海）有限公司
富士通微電子（上海）有限公司今日宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM（*1）存儲(chǔ)器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）,。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口,，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至
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如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)（SoC）整合了新型FCRAM芯片,，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí)，存儲(chǔ)器也不會(huì)對(duì)操作造成影響或限制,，客戶將從中受益,。此外，它還具有其它優(yōu)勢(shì),，如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)難度,，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量（詳細(xì)信息請(qǐng)參照附件1）,。?
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目前,，市場(chǎng)對(duì)消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來(lái)越高,。為滿足這些需求,，就會(huì)更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲(chǔ)器芯片,。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間,，進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡(jiǎn)化高速存儲(chǔ)器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。?
圖1: 存儲(chǔ)器SiP上的散熱設(shè)計(jì)方案比較：顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性?
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如圖1所示,，迄今為止,，使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，SiP發(fā)揮受限,，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問(wèn)題,。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C,。因?yàn)镾oC的最高溫度額定為125 °C,，所以操作能夠正常進(jìn)行，但使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器僅可在最高為95 °C的溫度環(huán)境下運(yùn)行,，因此不能使用這一SiP架構(gòu),。?
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要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件,。如圖1(b)所示,，這一方案可使SiP溫度降低到90°C，器件可以運(yùn)行,，但是增加了成本和電路板占用面積,。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴(kuò)大存儲(chǔ)器的工作溫度范圍,。?
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富士通微電子正是應(yīng)對(duì)這一需求而開發(fā)出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費(fèi)類FCRAM產(chǎn)品,。如1(c)所示，使用額定為125°C的FCRAM,，即使整合一顆高功耗的SoC,，SiP也能運(yùn)行良好，無(wú)需添加散熱器,。這就解決了使用額定為95 °C的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問(wèn)題,。?
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而且，即使在125°C的環(huán)境下運(yùn)行,，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率,，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上,，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比,，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以,，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%（詳細(xì)信息請(qǐng)參照附件2）。?
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富士通微電子將繼續(xù)為SiP開發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品,，從而為消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案,。?
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樣片提供?
產(chǎn)品? |
產(chǎn)品型號(hào)? |
提供時(shí)間? |
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512 Mb FCRAM? |
MB81EDS516545? |
2009年5月19日起? |
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256 Mb FCRAM? |
MB81EDS256545? |
2009年5月19日起? |
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銷售目標(biāo)?
每月共銷售一百萬(wàn)片?
產(chǎn)品特性?
1. 業(yè)界首推在125 °C下運(yùn)行的芯片?
這些新型FCRAM最高工作溫度為125 °C，與傳統(tǒng)SDRAM存儲(chǔ)器最高85°C或者95°C的溫度規(guī)格相比，提高了系統(tǒng)內(nèi)的允許功耗,。因此,，可以實(shí)現(xiàn)SiP解決方案，而這在以前是不可能的,，例如：高性能數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的高功耗SoC若整合了存儲(chǔ)器會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱,。而且該產(chǎn)品可以使用低成本封裝，無(wú)需高溫規(guī)格,。?
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2. 低功耗?
通過(guò)將總線寬擴(kuò)大至64 bit,、減少工作頻率和使用終端電阻（*2），與兩個(gè)使用16 bit總線寬的傳統(tǒng)DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器芯片相比,，新型FCRAM可降低功耗最高達(dá)50%,。這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。?
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3. 高速數(shù)據(jù)帶寬?
工作溫度是125 °C時(shí),，新型FCRAM通過(guò)使用64 bit總線寬并在最高工作頻率為200 MHz運(yùn)行時(shí),，可以提供3.2 GB/秒的數(shù)據(jù)傳輸率，這是傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM速度的兩倍,。若工作溫度不高于105 °C（≤ 105 °C）,，在216 MHz的工作頻率下運(yùn)行時(shí)，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率將增加到3.46 GB/秒,。?
附件?
512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要規(guī)格?
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術(shù)語(yǔ)和注釋?
*1. 消費(fèi)類FCRAM：FCRAM（快速循環(huán)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是富士通微電子具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的RAM內(nèi)核系統(tǒng),，以高速度和低功耗出名。消費(fèi)類FCRAM是指使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)低功耗SDRAM接口的FCRAM內(nèi)核,，最適宜于消費(fèi)類電子產(chǎn)品,。
*2. 終端電阻：終端電阻是指在電線或信號(hào)終端跨接的電阻，用于消除信號(hào)反射帶來(lái)的干擾,，但是其功耗較高,。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片（ODT：片內(nèi)終結(jié)）。
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更多信息,，請(qǐng)瀏覽:?
富士通微電子株式會(huì)社FCRAM產(chǎn)品網(wǎng)站：http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/?
關(guān)于富士通微電子（上海）有限公司?
富士通微電子（上海）有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部,，于2003年8月成立，在北京,、深圳,、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷售、市場(chǎng)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù),。?
富士通微電子（上海）有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路（ASIC）,、單片機(jī)（MCU）、專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）/片上系統(tǒng)（SoC）和系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,，并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域,。在技術(shù)支持方面,，分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心,通過(guò)與客戶,、設(shè)計(jì)伙伴,、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào),，共同開發(fā)完整的解決方案,，從而形成一個(gè)包括中國(guó)在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò),。欲了解更多信息,，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：http://cn.fujitsu.com/fmc?
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文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標(biāo)或者注冊(cè)商標(biāo)。該新聞稿中的信息在發(fā)布時(shí)是準(zhǔn)確無(wú)誤的,，可能隨時(shí)發(fā)生變化,，恕不先行通知。??
附件?
512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要規(guī)格?
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存儲(chǔ)器架構(gòu)? |
2M word × 64 bit × 4 banks? | |
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電壓? |
1.7 V ~ 1.9 V? | |
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接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
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工作溫度范圍（結(jié)溫）? |
-10 ℃ ~ +125 ℃? | |
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突發(fā)工作頻率? |
最高：105 °C? |
216 MHz（最高）? |
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最高：125 °C? |
200 MHz（最高）? | |
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數(shù)據(jù)傳輸率? |
最高：105 °C? |
3.46 GB/秒（最高）? |
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最高：125 °C? |
3.2 GB/秒（最高）? | |
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256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要規(guī)格?
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存儲(chǔ)器架構(gòu)? |
1M word × 64 bit × 4 banks? | |
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電壓? |
1.7 V ~ 1.95 V? | |
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接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
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工作溫度范圍（結(jié)溫）? |
-10 °C ~ +125 °C? | |
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突發(fā)工作頻率? |
最高：105 °C? |
216 MHz（最高）? |
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最高：125 °C? |
200 MHz（最高）? | |
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數(shù)據(jù)傳輸率? |
最高：105 °C? |
3.46 GB/秒（最高）? |
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最高：125 °C? |
3.2 GB/秒（最高）? | |
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