①平面轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)規(guī)范對于電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件,，如功率VMOS管,、高頻變壓器、整流管等,，應(yīng)盡可能地減少其電路電流的環(huán)路面積,，且不要與其他導(dǎo)帶長距離平行分布。電源的輸入正端和地線應(yīng)盡可能地靠近,，以減小差模輻射的環(huán)路面積,。設(shè)計(jì)布線時(shí)走線盡量少拐彎，拐彎處一般取圓弧形,，因?yàn)橹苯腔驃A角會(huì)產(chǎn)生電流突變,，產(chǎn)生EMI干擾。導(dǎo)帶上的線寬不要突變,，無尖刺毛邊,。

　　圖1濾波器的原理圖為減小變壓器漏感的影響，采用初,、次級(jí)交叉繞制的方法,，并使其緊密耦合。盡可能采用罐型磁芯,。由于罐型磁芯可以把所有的線圈繞組封在磁芯里面,，因此具有良好的自我屏蔽作用，可以有效地減少EMI,?！　?/p>

　　圖2輸入輸出濾波電路為吸收上升沿和下降沿產(chǎn)生的過沖，并有可能造成的自激振蕩,，在初,、次級(jí)電路中增加R、C吸收網(wǎng)絡(luò),，以減少尖峰干擾,。在調(diào)試時(shí)須仔細(xì)調(diào)整R、C的參數(shù),，確保電阻R1的值在30～200Ω,，電容C1的值在100～1000P之間,，以免影響變壓器的效率。

　?、诠β?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/開關(guān)管" title="開關(guān)管" target="_blank">開關(guān)管由于功率管工作于高頻通斷開關(guān)狀態(tài),，將產(chǎn)生電磁干擾EMI。當(dāng)開關(guān)管流過大的脈沖電流時(shí),，大體上形成了矩形波,，含有許多高頻成分。由于開關(guān)電源使用的元件參數(shù)(如開關(guān)管的存儲(chǔ)時(shí)間,、輸出級(jí)的大電流,、開關(guān)整流管的反向恢復(fù)時(shí)間)均會(huì)造成回路瞬間短路，產(chǎn)生很大短路電流,。凡有短路電流的導(dǎo)線及這種脈沖電流流經(jīng)的變壓器和電感產(chǎn)生的電磁場都可形成噪聲源,。

　　開關(guān)管的負(fù)載是高頻變壓器，在開關(guān)管導(dǎo)通的瞬間,，變壓器初級(jí)出現(xiàn)很大的涌流,，造成尖峰噪聲。這個(gè)尖峰噪聲實(shí)際上是尖脈沖,，輕者造成干擾,，重者有可能擊穿開關(guān)管。

　　因此,，須采取以下措施,。優(yōu)化功率管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。通過緩沖電路,，可以延緩功率開關(guān)管的通斷過程,。采用R,、C吸收電路,，從而在維持電路性能不變的同時(shí)，降低其電磁干擾的EMI電平,。

　?、壅?font class="f14">二極管整流二極管在關(guān)斷期，由于反向恢復(fù)時(shí)間會(huì)引起尖峰干擾,。為減少這種電磁干擾,，必須選用具有軟恢復(fù)特性的、反向恢復(fù)電流小的,、反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管,。肖特基勢壘二極管是多數(shù)載流子導(dǎo)流，不存在少子的存儲(chǔ)與復(fù)合效應(yīng),，因而也就會(huì)產(chǎn)生很小的電壓尖峰干擾,，故采取以下措施,。

　　●采用R1、C1組成旁路吸收網(wǎng)絡(luò),。

　　●采用多個(gè)肖特基并聯(lián)分擔(dān)負(fù)載電流,，有效地抑制整流二極管形成的EMI電平。3產(chǎn)品平面轉(zhuǎn)化時(shí)EMC設(shè)計(jì)技術(shù)影響產(chǎn)品EMC的方面很多,。除了在線路上進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)外,，如何在基片有限的空間內(nèi)合理的安排元器件的位置以及導(dǎo)帶的布線，也將直接影響到電路中各元器件自身的抗干擾性和產(chǎn)品的電磁兼容性EMC指標(biāo),。