《電子技術(shù)應(yīng)用》
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兩種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
摘要: 兩種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),。
Abstract:
Key words :

由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示),,驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下:

  A.當(dāng)HS為高電平時(shí),,Q7、Q4導(dǎo)通,,Q6關(guān)閉,,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3,、R6加到Q5的柵極,,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動(dòng),電容C4亦稱為自舉電容,。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通,。

  B. 當(dāng)HS為低電平時(shí),,Q7、Q4關(guān)閉,,Q6導(dǎo)通,,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關(guān)閉,。當(dāng)Q5關(guān)閉后,,由于下管的開通或負(fù)載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,,從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電,,為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。

  C. 當(dāng)LS為低電平時(shí),,Q8,、Q11導(dǎo)通,Q10關(guān)閉,,驅(qū)動(dòng)電路通過R11為下管Q9的柵極充電,,使Q9導(dǎo)通。

  D. 當(dāng)LS為高電平時(shí),,Q8,、Q11關(guān)閉,Q10導(dǎo)通,,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷,。

  E. 當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí),上管開通下管關(guān)閉,。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí),,上管關(guān)閉下管開通。在實(shí)際應(yīng)用中,,為了避免上下管同時(shí)開通,,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

  半橋驅(qū)" title="半橋驅(qū)">半橋驅(qū)動(dòng)芯片組成的驅(qū)動(dòng)電路

  半橋驅(qū)動(dòng)芯片組成的驅(qū)動(dòng)電路如圖所示,,工作原理如下:

  A.當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí),,HO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出,使Q1開通,。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí),,LO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出,使Q2開通,。

  B.電容C2與分立器件驅(qū)動(dòng)電路里的C4作用相同,,同樣為自舉電容。

  C.電容C1為去藕電容,,為抑制功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET開關(guān)時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路浮動(dòng)電源部分的干擾,,一般應(yīng)加上此電容,。

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