隨著智能手機(jī)的興起,，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視,，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì),。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)（ECM）,，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC（∑-Δ ADC）電路,，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件,，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置,。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹,，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異,。
電容式微麥克風(fēng)原理
MEMS微麥克風(fēng)是一種微型的傳感器,。其原理是利用聲音變化產(chǎn)生的壓力梯度使電容式微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜受聲壓干擾而產(chǎn)生形變，進(jìn)而改變聲學(xué)振膜與硅背極板之間的電容值,。該電容值的變化由電容電壓轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)化為電壓值的輸出變化,，再經(jīng)過放大電路將MEMS傳感器產(chǎn)生得到電壓放大輸出，從而將聲壓信號(hào)轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào),。在此必須采用一個(gè)高阻抗的電阻為MEMS傳感器提供一個(gè)偏置電壓VPP,，借以在MEMS傳感器上產(chǎn)生固定電荷，最后的輸出電壓將與VPP及振膜的形變Δd成正比,。振膜的形變與其剛性有關(guān),，剛性越低則形變?cè)酱螅涣硪环矫?，輸出電壓與d（氣隙）成反比,，因此氣隙越低，則輸出電壓及靈敏度越優(yōu),，但這都將受限于MEMS傳感器的吸合電壓,，也就是受限于MEMS傳感器靜電場(chǎng)的最大極限值（圖1）。
CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)電路設(shè)計(jì)
在CMOS微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)中,，電路是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié),，它將影響到微麥克風(fēng)的操作、感測(cè),，以及系統(tǒng)的靈敏度,。以圖2為例，駐極式電容微麥克風(fēng)的感應(yīng)電荷由駐極體材料本身提供的駐極電荷所產(chǎn)生,，而凝縮式電容微麥克風(fēng)則是采用從CMOS的操作電壓中抽取一個(gè)偏置電壓,，再通過一個(gè)高阻抗電阻提供給微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜來提供固定的電荷源,。此時(shí)，若聲學(xué)振膜受到聲壓驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生位移變化,，則電極板（感測(cè)端）的電壓將會(huì)發(fā)生變化,。最后，通過電路放大器將信號(hào)放大,，則可實(shí)現(xiàn)模擬麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì),；如果再加上一個(gè)∑-Δ ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，便可完成數(shù)字麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì)（一般數(shù)字麥克風(fēng)的輸出信號(hào)為1比特PDM輸出）,。
CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)工藝分類
從微機(jī)電麥克風(fēng)的制造來看,，就目前的技術(shù)層面而言，集成CMOS電路的MEMS元件可分為三種,。Pre-CMOS MEMS工藝：先制作MEMS結(jié)構(gòu),，再制作CMOS元件；Intra-CMOS MEMS工藝：CMOS與MEMS元件工藝混合制造,；Post-CMOS MEMS工藝：先實(shí)現(xiàn)CMOS元件,，再進(jìn)行MEMS結(jié)構(gòu)制造。一般而言,，前兩種方法無法在傳統(tǒng)的晶圓廠進(jìn)行,，而Post-CMOS MEMS則可以在半導(dǎo)體晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)。
圖3簡(jiǎn)述了Post-CMOS MEMS的制造方式,。在Post-CMOS MEMS工藝中需特別注意,，不能讓額外的熱處理或高溫工藝影響到CMOS組件的物理特性及MEMS的應(yīng)力狀態(tài)，以免影響到振膜的初始應(yīng)力,。鑫創(chuàng)科技公司克服了諸多的技術(shù)難題,，完全采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝來同時(shí)制造電路元件及微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。在CMOS部分完成后,，將芯片的背面研磨至適當(dāng)厚度以符合封裝要求,。最后，利用氫氟酸溶液（HF）去除犧牲氧化物來釋放懸浮結(jié)構(gòu),。此外,，在設(shè)計(jì)中還需考慮可完全去除犧牲材料而又不損害麥克風(fēng)振膜的蝕刻方法，并應(yīng)避免麥克風(fēng)振膜與背電極板之間產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象,。
粘黏現(xiàn)象：由于麥克風(fēng)振膜與背電極板之間的距離僅為數(shù)微米,，在該尺寸下，當(dāng)表面張力,、范德華力,、靜電力、離子鍵等作用力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力時(shí),，麥克風(fēng)振膜將產(chǎn)生永久形變而附著于背電極板上,，從而無法產(chǎn)生振動(dòng),。通常，微機(jī)電懸浮結(jié)構(gòu)粘黏現(xiàn)象的主要成因可以分為兩類：第一類發(fā)生在麥克風(fēng)振膜釋放后,，麥克風(fēng)振膜受到表面張力影響,，因而被拉近到與背電極板的距離非常靠近,，若此時(shí)范德華力或氫鍵力等表面力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力,，則結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象而無法回復(fù)；第二類是懸浮結(jié)構(gòu)在使用中受到外力沖擊或是靜電力吸引而落入表面力較回復(fù)力大的區(qū)域,，則也會(huì)發(fā)生粘黏現(xiàn)象,。因此，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,，必須特別考慮麥克風(fēng)振膜在釋放后的結(jié)構(gòu)變形問題,，并在重要的結(jié)構(gòu)部位予以強(qiáng)化，利用特殊設(shè)計(jì)來減少粘黏現(xiàn)象的發(fā)生,。
隨著智能手機(jī)的興起,，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì),。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)（ECM）,，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作,，這便于集成模擬放大電路及ADC（∑-Δ ADC）電路,，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件,，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置,。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異,。
電容式微麥克風(fēng)原理
MEMS微麥克風(fēng)是一種微型的傳感器,。其原理是利用聲音變化產(chǎn)生的壓力梯度使電容式微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜受聲壓干擾而產(chǎn)生形變，進(jìn)而改變聲學(xué)振膜與硅背極板之間的電容值,。該電容值的變化由電容電壓轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)化為電壓值的輸出變化,，再經(jīng)過放大電路將MEMS傳感器產(chǎn)生得到電壓放大輸出，從而將聲壓信號(hào)轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào),。在此必須采用一個(gè)高阻抗的電阻為MEMS傳感器提供一個(gè)偏置電壓VPP,，借以在MEMS傳感器上產(chǎn)生固定電荷，最后的輸出電壓將與VPP及振膜的形變Δd成正比,。振膜的形變與其剛性有關(guān),，剛性越低則形變?cè)酱螅涣硪环矫?，輸出電壓與d（氣隙）成反比,，因此氣隙越低,，則輸出電壓及靈敏度越優(yōu)，但這都將受限于MEMS傳感器的吸合電壓,，也就是受限于MEMS傳感器靜電場(chǎng)的最大極限值（圖1）,。
CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)電路設(shè)計(jì)
在CMOS微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)中，電路是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié),，它將影響到微麥克風(fēng)的操作,、感測(cè)，以及系統(tǒng)的靈敏度,。以圖2為例,，駐極式電容微麥克風(fēng)的感應(yīng)電荷由駐極體材料本身提供的駐極電荷所產(chǎn)生，而凝縮式電容微麥克風(fēng)則是采用從CMOS的操作電壓中抽取一個(gè)偏置電壓,，再通過一個(gè)高阻抗電阻提供給微麥克風(fēng)的聲學(xué)振膜來提供固定的電荷源,。此時(shí)，若聲學(xué)振膜受到聲壓驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生位移變化,，則電極板（感測(cè)端）的電壓將會(huì)發(fā)生變化,。最后，通過電路放大器將信號(hào)放大,，則可實(shí)現(xiàn)模擬麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì),；如果再加上一個(gè)∑-Δ ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，便可完成數(shù)字麥克風(fēng)的電路設(shè)計(jì)（一般數(shù)字麥克風(fēng)的輸出信號(hào)為1比特PDM輸出）,。
CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)工藝分類
從微機(jī)電麥克風(fēng)的制造來看,，就目前的技術(shù)層面而言，集成CMOS電路的MEMS元件可分為三種,。Pre-CMOS MEMS工藝：先制作MEMS結(jié)構(gòu),，再制作CMOS元件；Intra-CMOS MEMS工藝：CMOS與MEMS元件工藝混合制造,；Post-CMOS MEMS工藝：先實(shí)現(xiàn)CMOS元件,，再進(jìn)行MEMS結(jié)構(gòu)制造。一般而言,，前兩種方法無法在傳統(tǒng)的晶圓廠進(jìn)行,，而Post-CMOS MEMS則可以在半導(dǎo)體晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)。
圖3簡(jiǎn)述了Post-CMOS MEMS的制造方式,。在Post-CMOS MEMS工藝中需特別注意,，不能讓額外的熱處理或高溫工藝影響到CMOS組件的物理特性及MEMS的應(yīng)力狀態(tài)，以免影響到振膜的初始應(yīng)力,。鑫創(chuàng)科技公司克服了諸多的技術(shù)難題,，完全采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝來同時(shí)制造電路元件及微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。在CMOS部分完成后,，將芯片的背面研磨至適當(dāng)厚度以符合封裝要求,。最后,，利用氫氟酸溶液（HF）去除犧牲氧化物來釋放懸浮結(jié)構(gòu)。此外,，在設(shè)計(jì)中還需考慮可完全去除犧牲材料而又不損害麥克風(fēng)振膜的蝕刻方法,，并應(yīng)避免麥克風(fēng)振膜與背電極板之間產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象。
粘黏現(xiàn)象：由于麥克風(fēng)振膜與背電極板之間的距離僅為數(shù)微米,，在該尺寸下,，當(dāng)表面張力、范德華力,、靜電力,、離子鍵等作用力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力時(shí)，麥克風(fēng)振膜將產(chǎn)生永久形變而附著于背電極板上,，從而無法產(chǎn)生振動(dòng),。通常，微機(jī)電懸浮結(jié)構(gòu)粘黏現(xiàn)象的主要成因可以分為兩類：第一類發(fā)生在麥克風(fēng)振膜釋放后,，麥克風(fēng)振膜受到表面張力影響,，因而被拉近到與背電極板的距離非常靠近,，若此時(shí)范德華力或氫鍵力等表面力大于麥克風(fēng)振膜的回復(fù)力,，則結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生粘黏現(xiàn)象而無法回復(fù)；第二類是懸浮結(jié)構(gòu)在使用中受到外力沖擊或是靜電力吸引而落入表面力較回復(fù)力大的區(qū)域,，則也會(huì)發(fā)生粘黏現(xiàn)象,。因此，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,，必須特別考慮麥克風(fēng)振膜在釋放后的結(jié)構(gòu)變形問題,，并在重要的結(jié)構(gòu)部位予以強(qiáng)化，利用特殊設(shè)計(jì)來減少粘黏現(xiàn)象的發(fā)生,。
純MEMS與CMOS工藝的差異
多數(shù)企業(yè)所開發(fā)的MEMS微麥克風(fēng)主要分為兩種形態(tài)：第一種是利用專業(yè)的MEMS代工廠制造出MEMS IC，再加上一個(gè)ASIC放大器,，將MEMS IC及ASIC IC用SIP封裝方式封裝成MEMS麥克風(fēng)芯片,。這一部分在IC封裝過程中必須保護(hù)振膜不被破壞，其封裝成本相對(duì)較高,；另一種是先利用CMOS晶圓廠制造出ASIC部分,，再利用后工藝來形成MEMS的結(jié)構(gòu)部分。其MEMS工藝技術(shù)目前似乎還無法在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS晶圓廠完成,，這主要是由于振膜需沉積高分子聚合物材料,，而高分子聚合物材料還未用于目前的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體IC工藝。另外,，在CMOS工藝完成后,，需分別在芯片的正面蝕刻出振膜并在其背面蝕刻出腔體及聲學(xué)孔,。該步驟通過載體晶圓（Carrier Wafer）來完成，在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS鑄造廠目前尚未創(chuàng)建出這樣的環(huán)境,。
目前,，最大的課題是如何突破這兩種形態(tài)MEMS麥克風(fēng)的封裝技術(shù)。其專利均由美國的微麥克風(fēng)企業(yè)所掌控,，因此,，MEMS麥克風(fēng)市場(chǎng)占有率主要分布在少數(shù)企業(yè)手上。
鑫創(chuàng)科技采取的方式是在CMOS工藝完成后,，從芯片的背面形成腔體和聲學(xué)孔作為MEMS結(jié)構(gòu)的釋放,。這一部分無需使用特殊的機(jī)器和材料，可在現(xiàn)有的CMOS晶圓廠內(nèi)完成,，因而能夠降低開發(fā)成本,。另外，鑫創(chuàng)科技的產(chǎn)品可直接利用晶圓級(jí)封裝技術(shù)將CMOS電路與微麥克風(fēng)集成在同一塊芯片上,，同樣可避免在封裝過程中對(duì)振膜產(chǎn)生破壞（圖4）,。
MEMS麥克風(fēng)目前已經(jīng)取代ECM麥克風(fēng)被廣泛應(yīng)用于手機(jī)中（尤其是智能手機(jī)），其主要原因是MEMS麥克風(fēng)具有耐候性佳,、尺寸小及易于數(shù)字化的優(yōu)點(diǎn),。MEMS麥克風(fēng)采用半導(dǎo)體材質(zhì)，特性穩(wěn)定,，不會(huì)受到環(huán)境溫濕度的影響而發(fā)生改變,，因而可以維持穩(wěn)定的音質(zhì)。電子產(chǎn)品組裝在過錫爐時(shí)的溫度高達(dá)260℃,，常會(huì)破壞ECM麥克風(fēng)的振膜而必須返工,，這將增加額外的成本。采用MEMS麥克風(fēng)則不會(huì)因?yàn)殄a爐的高溫而影響到材質(zhì),，適合于SMT的自動(dòng)組裝,。麥克風(fēng)信號(hào)在數(shù)字化后，可以對(duì)其進(jìn)行去噪,、聲音集束及回聲消除等信號(hào)處理,，從而能夠提供優(yōu)異的通話品質(zhì)。目前已有多款智能手機(jī)采用數(shù)字化技術(shù),，在功能手機(jī)中也有加速采用的跡象,。此外，筆記本電腦也是目前使用MEMS麥克風(fēng)的主流,，而機(jī)頂盒生產(chǎn)企業(yè)同樣在積極嘗試將MEMS麥克風(fēng)應(yīng)用于開發(fā)聲控型機(jī)頂盒,。
作者：林育川
鑫創(chuàng)科技股份有限公司