高亮發(fā)光二極管(High brightness light emitting diodes,，HBLED)綜合具備了高輸出,、高效率和長壽命等優(yōu)勢(shì)。圖1示出了典型的二極管的電I-V特性曲線,。雖然一個(gè)完整的測試程序可以包括數(shù)百個(gè)點(diǎn),，但對(duì)一個(gè)有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測試需要以一個(gè)已知的電流信號(hào)源驅(qū)動(dòng)器件并相應(yīng)測量其電壓,，或者反過來,。同時(shí)具備了可同步動(dòng)作的信號(hào)源和測量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測試可以在管芯層次(圓片和封裝)或者模塊/子組件水平上進(jìn)行,。在模塊/子組件水平上,，HBLED可以采取串聯(lián)和/或并聯(lián)方式;于是一般需要使用更高的電流，有時(shí)達(dá)50A或者更高,，具體則取決于實(shí)際應(yīng)用,。有些管芯級(jí)的測試所用的電流在5～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸,。

　　1　正向電壓測試

　　要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料,，如石墨烯、碳納米管,、硅納米線或者量子點(diǎn),，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻,、電阻率,、遷移率和電導(dǎo)率的計(jì)測手段。這常常需要對(duì)極低的電流和電壓進(jìn)行測量,。對(duì)于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言,，在納米尺度上進(jìn)行精確的、可重復(fù)的測量的能力顯得極為重要,。

　　2　漏電流測試

　　當(dāng)施加一個(gè)低于擊穿電壓的反向電壓時(shí),，對(duì)HBLED兩端的漏電流(IL)的測量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測試中,，常見的做法是僅確保漏電流不不至于超過一個(gè)特定的閾值,。

　　3　提升HBLED的生產(chǎn)測試的吞吐率

　　過去，HBLED的生產(chǎn)測試的所有環(huán)節(jié)都由單臺(tái)PC來控制,。換而言之，在測試程序的每個(gè)要素中，必須針對(duì)每次測試配置信號(hào)源和測量裝置,，并在執(zhí)行預(yù)期的行動(dòng)后,，將書記返回給PC?？刂芇C根據(jù)通過/不通過的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)估,，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過程將耗費(fèi)大量的時(shí)間,。

　　最新一代的智能儀器,，包括吉時(shí)利公司最新的大功率2651A系統(tǒng)信號(hào)源/測量儀(SourceMeter)，由于可以最大限度減少通信的流量,，從而可以大幅度提升測試吞吐率,。測試程序的主體嵌入到儀器中的一個(gè)Test 處理器(TSP)中，該處理器是一個(gè)用于控制測試步驟的測試程序引擎,，內(nèi)置通過/不通過標(biāo)準(zhǔn),、計(jì)算和數(shù)字I/O的控制。一個(gè)TSP可以將用戶定義的測試程序存放到存儲(chǔ)器中,，并根據(jù)用戶需要來執(zhí)行該程序,，從而減少了測試程序中每個(gè)步驟的建立和配置時(shí)間。

　　4　單器件的LED測試系統(tǒng)

　　元器件操控器將單個(gè)HBLED(或者一組HBLED)運(yùn)送到一個(gè)測試夾具上,，夾具可以屏蔽環(huán)境光,，且內(nèi)帶一個(gè)用于光測量的光電探測器(PD)。需要使用兩個(gè)SMU：SMU#1向HBLED提供測試信號(hào),，并測量其電響應(yīng);SMU#2則在光學(xué)測量過程中檢測光電探測器,。

　　測試程序可以被編程設(shè)定為，在一根來自于元器件操控器的數(shù)字信號(hào)線作為“測試啟動(dòng)”(SOT)控制下啟動(dòng),。當(dāng)儀器探測到該信號(hào)時(shí),，測試程序啟動(dòng)。一旦執(zhí)行完畢,，則讓元器件操縱器的一條數(shù)字信號(hào)線發(fā)出“測試完畢”的標(biāo)志,。此外，儀器的內(nèi)建智能可以執(zhí)行所有的通過/不通過操縱并通過儀器的數(shù)字I/O端口發(fā)送數(shù)字指令至元器件操縱器,，以便讓HBLED能根據(jù)通過/不通過標(biāo)準(zhǔn)來對(duì)HBLED進(jìn)行分類,。于是可以通過編程讓兩個(gè)動(dòng)作同時(shí)執(zhí)行：數(shù)據(jù)傳送至PC進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理，而同時(shí)一個(gè)新的DUT運(yùn)送到測試夾具上,。

　　5　光學(xué)測試

　　光學(xué)測量中也需要使用正向電流偏置,，因?yàn)殡娏髋cHBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂?font class="f14">光電二極管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子,，從而可以測量光功率,。可以將發(fā)光變換為一個(gè)電流,，并用電流計(jì)或者一個(gè)信號(hào)源-測量單元的單個(gè)通道來測量該電流,。

　　6　反向擊穿電壓測試

　　對(duì)HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現(xiàn)反向擊穿電壓(VR)的測試。該測試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升,。在更高的電壓下,，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。