《電子技術(shù)應(yīng)用》
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光存儲技術(shù)發(fā)展方向和關(guān)鍵技術(shù)
摘要: 隨著光學(xué)技術(shù),、激光技術(shù)、微電子技術(shù)、材料科學(xué),、細(xì)微加工技術(shù),、計算機與自動控制技術(shù)的發(fā)展,,光存儲技術(shù)在記錄密度,、容量、數(shù)據(jù)傳輸率,、尋址時間等關(guān)鍵技術(shù)上將有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?
Abstract:
Key words :
</a>光存儲技術(shù)" title="光存儲技術(shù)">光存儲技術(shù)" title="光存儲技術(shù)">光存儲技術(shù)在記錄密度,、容量、數(shù)據(jù)傳輸率,、尋址時間等關(guān)鍵技術(shù)上將有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

        一,、光存儲技術(shù)的發(fā)展方向

        以光學(xué),、集成光學(xué)、光子效應(yīng),、體全息技術(shù),、光感生或磁感生超分辨率等原理為基礎(chǔ)的新一代光存儲技術(shù)將朝著以下幾個方向發(fā)展:

      (1)利用光學(xué)非輻射場與光學(xué)超衍射極限分辨率的研究成果,進一步減小記錄信息符尺寸,。因光束照射到物體表面時,,無論透射或反射都會形成傳播場(傳播波)和非輻射(隱失波)。傳播波攜帶著物體結(jié)構(gòu)的低頻信息,,容易被探測器探測,。隱失波攜帶描述物體精細(xì)結(jié)構(gòu)的高頻信息,沿物體表面?zhèn)鞑?。只要把這一部分信息撲捉到,,就可提高系統(tǒng)的分辨率。

      (2)采用近場光學(xué)原理設(shè)計超分辨率的光學(xué)系統(tǒng),,使數(shù)值孔徑超過1.0,,相當(dāng)于探測器進入介質(zhì)的輻射場,從而能夠得到超精細(xì)結(jié)構(gòu)信息,,突破衍射極限,,獲得更高的分辨率,,可使經(jīng)典光學(xué)顯微鏡的分辨率提高兩個數(shù)量級,,面密度提高4個數(shù)量級。

      (3)以光量子效應(yīng)代替目前的光熱效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與讀出,,從原理上將存儲密度提高到分子量級甚至原子量級,,而且由于量子效應(yīng)沒有熱學(xué)過程,其反應(yīng)速度可達到皮秒量級(1O-12秒),,另外,,由于記錄介質(zhì)的反應(yīng)與其吸收的光子數(shù)有關(guān),可以使記錄方式從目前的二存儲變成多值存儲,,使存儲容量提高許多倍,。

      (4)三維多重體全息存儲,利用某些光學(xué)晶體的光折變效應(yīng)記錄全息圖形圖像,,包括二值的或有灰階的圖像信息,,由于全息圖像對空間位置的敏感性,這種方法可以得到極高的存儲容量,,并基于光柵空間相位的變化,,體全息存儲器還有可能進行選擇性擦除及重寫。

      (5)利用當(dāng)代物理學(xué)的其它成就,,包括光子回波時域相干光子存儲原理,、光子俘獲存儲原理、共振熒光、超熒光和光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng),、光子誘發(fā)光致變色的光化學(xué)效應(yīng),、雙光子三維體相光致變色效應(yīng),以及借助許多新的工具和技術(shù),,諸如掃描隧道顯微鏡(STM),、原子力顯微鏡(AFM)、光學(xué)集成技術(shù)及微光纖陣列技術(shù)等,,提高存儲密度和構(gòu)成多層,、多重、多灰階,、高速,、并行讀寫海量存儲系統(tǒng)。實驗已證明目前的技術(shù)可使光存儲密度達到40-100Gbits/in2,。

        二,、光存儲發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

      (1)高密、高效,、高速的母盤刻錄技術(shù)

        采用短波激光和大數(shù)值孔徑的物鏡,,可使道間距減小,比特長度減小,,從而可提高光盤的刻錄密度,;采用脈寬調(diào)制,可顯著提高記錄效率,。

      (2)DVD單面盤的精密注塑及雙盤的封裝技術(shù)

        將DVD母盤,、模板生產(chǎn)線挑選出的合格模板,用精密注塑機注塑成形,,制得的DVD半成品經(jīng)適當(dāng)冷卻,,送入濺射室,根據(jù)不同要求,,分別濺射金或鉛,,然后進行粘合劑旋涂、封裝,、紫外光固化,、在線檢測、商標(biāo)印刷等,,制成DVD只讀光盤,。

      (3)光盤記錄介質(zhì)

        DVD-RAM光盤是否穩(wěn)定可靠,記錄介質(zhì)是關(guān)鍵,,而材料設(shè)計能否滿足高速存儲的要求,,又取決于記錄介質(zhì)能否在兩個穩(wěn)定態(tài)之間實現(xiàn)快速可逆相變,。國內(nèi)外傳統(tǒng)相變介質(zhì)材料設(shè)計都是基于激光的熱效應(yīng),信息寫入用液相快淬實現(xiàn),;信息的擦除用晶核形成,、晶粒長大來完成。由于熱效應(yīng)是能量積累過程,,寫入一個比特需較長時間,,約幾十納秒,而且介質(zhì)在經(jīng)歷幾十萬次的寫/擦循環(huán)后會出現(xiàn)信噪比下降的熱疲勞,。隨著記錄激光采用短波長,,激光的熱效應(yīng)逐漸減弱,而激光光子的激發(fā)作用變得突出,;所以新的材料設(shè)計基于激光的光效應(yīng),。對半導(dǎo)體類型介質(zhì)來講,寫入一個比特只要幾十皮秒,,使記錄速率獲得數(shù)量級的提高,。這種基于非線性光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)變化效應(yīng)的記錄介質(zhì)稱為光雙穩(wěn)態(tài)記錄介質(zhì),它可以是無機材料,,也可以是有機材料或無機-有機復(fù)合材料,。

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