電磁兼容（EMC）在電子產(chǎn)品中是一項重要的技術(shù)指標(biāo)。 本文介紹影響固態(tài)繼電器（SSR）EMC 的主要因素、試驗方法和判定標(biāo)準(zhǔn),。同時，提出了測試時注意事項和給出了一組具有實用價值的結(jié)果,。
1 引言
影響固態(tài)繼電器(SSR)電磁兼容(EMC)的因素是多方面的,，諸如器件的選擇與搭配、電路原理,、PCB 的布線和結(jié)構(gòu)等等,。其中,，交流光耦( 光電耦合器) 對EMC 參數(shù)的影響常常被忽略,。其主要原因是對它們的應(yīng)用環(huán)境和要求了解較少,，同時對EMC 的標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備的使用和試驗方法理解不夠。因此當(dāng)使用性能較差的器件和不合理的結(jié)構(gòu)時,，固態(tài)繼電器的EMC 性能往往達(dá)不到國際上的一些標(biāo)準(zhǔn)( 如CE 等) ,。
2 固態(tài)繼電器的EMC 標(biāo)準(zhǔn)
電磁兼容包含電磁輻射(Emission)和電磁抗干擾(Immunity)。對器件來說,，歐洲客戶不要求做電磁測試( 個別有特殊要求的客戶除外) ,，通常只要求按EN50082-2 標(biāo)準(zhǔn)即1995V EN61000-6-2 進行測試。但最主要是測試ESD(EN61000-4-2);EFT/B(EN61000-4-4)和SURGE(EN61000-4-5),。在此要說明的是,，如果客戶要求測試電磁輻射時，應(yīng)按EN50081-2 標(biāo)準(zhǔn)即2001V EN61000-6-4 進行測試,。本文只對SSR 的電磁抗干擾能力進行測試和歸納,。我們在多年與歐洲客戶交流中，他們提出最多的有如下要求：
(1) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力的測試,，即上述的ESD、EFT/B 和 Surge,。其電壓等級分別為4kV的接觸放電和8kV 的空氣放電,、1kV/5kHz 快速群脈沖擾動和2 k V 浪涌沖擊，其它不做要求;
(2) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力達(dá)到等級3 的測試,，即ESD 和Surge 同上,，而EFT/B 要求達(dá)到3kV/5kHz;
(3) 特殊要求:ESD 要求6kV/10kV 和EFT/B 為4kV
(4) 其他要求:除電磁抗干擾(Immunity)外，還要求電磁輻射(Emission)測試,。
3,、影響固態(tài)繼電器EMC 的主要因素
為了找出影響固態(tài)繼電器EMC 的主要因素和組合的器件，必須了解組成S S R 的電路原理,。我們綜合了國內(nèi)外S S R 方面的主要生產(chǎn)商的電路,，得到如下幾種常見的采用交流光耦方案的電路結(jié)構(gòu)。把這些不同的電路結(jié)構(gòu)和相同的電路結(jié)構(gòu)而采用不同的器件組合來進行測試,，發(fā)現(xiàn)不同的EMC 性能,。
3.1 電路原理
圖1、圖2 和圖3 三種電路都能實現(xiàn)固態(tài)繼電器的功能,。圖1 是固態(tài)繼電器最簡單的電路原理圖,，圖中A1 是交流光耦，A 2 是雙向可控硅,。常用在小型的S S R ,，使用時，用戶往往在外面增加器件來改善性能,。圖2 是在圖1 的基礎(chǔ)上增加了RC 吸收電路和防沖擊電阻R2 ,。R 2是保護光耦，抑制在導(dǎo)通瞬間流過光耦的沖擊電流。附加這些器件后,，大大改善了SSR 的EMC 特性和浪涌對光耦的沖擊性能,。因此該電路常用在可靠性較高的場合。圖3 是一種特殊的電路,，常用在高可靠性和E M C 等級較高的SSR 設(shè)計中,。圖中的二極管D1 可防止輸入反極性。由Q1,、Q2,、R1 及R3 組成恒流電路，保證當(dāng)輸入電壓變化時,，光耦A(yù) 1 的電流恒定,。R C 電路C 1 、R 7 和R 6 的功能與圖2 的相同,。該電路還增加了壓敏電阻R V ,。R V不僅加強了S S R 的過壓保護能力，而且大大改善了其E M C 性能,。
按上述三種不同的電路和不同的結(jié)構(gòu)進行如下試驗：
3.2 試驗
采用不同的樣品(見下)進行以下兩種試驗:群脈沖試驗(見表1)和浪涌試驗(見表2),。
試驗條件為如下：
A. 輸入電壓:0V 或標(biāo)稱值。負(fù)載:40W 燈泡,；
B. 《2kV 時,，Burst 測試頻率:5kHz;》2kV 時，Burst 測試頻率:2.5kHz,。
C. 樣品: N0. 1,、N0.2 和N0.3 的結(jié)構(gòu)不相同，PCB相同,；N0.4 和N0.5 的光耦不相同,，其它相同。( 見表1 中的“產(chǎn)品／元件型號”)
D ．測試結(jié)果見表1 ,。
a. 表中“1 ”表示通過,，“0 ”表示不通過。判定標(biāo)準(zhǔn)：“1 ”: 燈泡不閃,；“0 ”:：燈泡閃爍,。
b.表中L：火線；N：零線,。
試驗不難看出：
(1)對比A 公司產(chǎn)品兩個繼電器,，其電路結(jié)構(gòu)、元器件參數(shù)完全相同,，僅僅前者多了一個散熱片,，但其burst測試只能達(dá)到2kV,，而第2 個的burst 測試可以達(dá)到4kV。由此可知,，產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化會影響到E M C 性能;
(2)RC 會很大程度的影響固體繼電器的EMC 性能;不加R C 電路的結(jié)構(gòu),，E M C 性能最差，見B 公司產(chǎn)品;
(3) 采用不同的光耦,，其EMC 性能會有很大的變化,，見N0.4 與N0.5 的試驗結(jié)果;
(4) 不同的光耦和不同的可控硅組合對EMC 性能也有較大影響;
(5) 選擇適當(dāng)?shù)腞C 組合，也可提高Burst 和Surge抗擾能力,。當(dāng)R C 中C 值一定時,，固態(tài)繼電器對B u r s t的抗擾能力與R 值成反相關(guān)關(guān)系，但當(dāng)R 小到一定的值時,，這種關(guān)系就不再明顯;
(6) 增加RV 壓敏電阻可大大增強Surge 的抗擾能力,。
4 測試方法及注意事項
為了正確獲得試驗數(shù)據(jù)必須按要求正確設(shè)計測試回路，和正確的連線,。然后設(shè)定方法和步驟,，最后按判定標(biāo)準(zhǔn)獲取數(shù)據(jù)。
4.1 測試電路
圖4 所示為測試電路,。對SSR 來說,，有信號源(穩(wěn)壓電源)、小于1 米的連線,、負(fù)載及有關(guān)儀器;圖5 為電源信號疊加干擾信號的波形。
4.2 試驗標(biāo)準(zhǔn)及要求及判定要求
表3 為EMC 的抗干擾標(biāo)準(zhǔn)：EN61000-4-4,、EN61000-4-5 和EN61000-4-2 的試驗標(biāo)準(zhǔn)及要求,。對SSR 來說，其工作狀態(tài)要求樣品處于正常關(guān)斷和接通狀態(tài)加入干擾源,，觀察樣品是否失效,。
5 試驗結(jié)論
(1) 產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化直接影響到EMC 性能。如：PCB 或DCB 的排版設(shè)計,，通常需要通過幾次調(diào)整,，如改變輸入輸出之間的走線位置、元件的擺放位置等,，才能達(dá)到最佳狀態(tài),；
(2) 所有測試的光耦中，VISHAY 光耦的性能比較突出,，其多數(shù)光耦的Burst 測試可以達(dá)到4kV,。其它廠家的光耦較少能達(dá)到4kV(關(guān)于這一點，主要取決于光耦內(nèi)部的結(jié)構(gòu)),；
(3) 壓敏電阻RV 對Burst 性能影響不明顯,，而對Surge 性能影響極大;因此在有較大浪涌電壓沖擊的場合，應(yīng)加上R V 。R V 的大小要視可控硅的阻斷電壓高低來決定,；
(4) 從試驗數(shù)據(jù)可以看出,，在耐電脈沖群沖擊方面，光耦對繼電器的影響較大(見結(jié)論的第2 點),，不同的光耦其耐沖擊性能不一樣;而在耐Surge 時,，可控硅對繼電器的影響最大(較差的可控硅如dv/dt 太低等，將被擊穿),；
(5) 對于不同的組合,，將有不同的EMC 能力。如果用EMC 較好的光耦配較差的可控硅,，將造成較差的E M C抗擾能力,。反之可得出同樣結(jié)果；
(6) 不帶RC 時,，絕大多數(shù)的光耦的抵抗群脈沖的能力都低于500V;基本上無法達(dá)到CE 的標(biāo)準(zhǔn),。為此，設(shè)計人員必須改變電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù),，方可滿足客戶的要求和C E 標(biāo)準(zhǔn),。實際應(yīng)用證明，電容C 的介質(zhì)損耗角和其溫度特性對吸收電路影響較大,。電阻R 除它的功率和熱穩(wěn)定參數(shù)外,，它的阻值對E M C 的性能影響也較大。通常C選用10 — 22nf,，而R 通常用10 — 100 歐姆,；
(7)光耦阻斷電壓的高低與它的抵抗群脈沖的能力的強弱沒有必然的聯(lián)系。但可控硅阻斷電壓的高低與抵抗浪涌電壓的能力的強弱有較大關(guān)系,。
6 存在的問題
由于光耦耐脈沖沖擊的電性能不一,，S S R 繼電器接入電機正反轉(zhuǎn)線路，以及干擾電壓的存在( 可用示波器觀看) ,，S S R 會誤導(dǎo)通,，以至燒毀。過零的繼電器也同樣如此,。理論上干擾電壓是反電勢和負(fù)載電壓之和的根號2 倍,，但實際上干擾電壓可達(dá)到負(fù)載電壓的3-5 倍，有時達(dá)到10 倍,。原因是電路的分布參數(shù)產(chǎn)生了LC 并聯(lián)諧振,。雖然諧振電壓的能量較小，高峰時持續(xù)的時間只有微秒級,，但會使SSR 誤導(dǎo)通,，即光耦失效,。因此，尚待進一步探討,。