《電子技術(shù)應(yīng)用》
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貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用
摘要: 光電耦合器(以下簡(jiǎn)稱光耦)是一種發(fā)光器件和光敏器件組成的光電器件。它能實(shí)現(xiàn)電—光—電信號(hào)的變換,,并且輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是隔離的。目前極大多數(shù)的光耦輸入部分采用砷化鎵紅外發(fā)光二極管,,輸出部分采用硅光電二極管、硅光電三極管及光觸發(fā)可控硅,。
關(guān)鍵詞: 貼片式 光電耦合器 光耦
Abstract:
Key words :

  光電耦合器(以下簡(jiǎn)稱光耦)是一種發(fā)光器件和光敏器件組成的光電器件,。它能實(shí)現(xiàn)電—光—電信號(hào)的變換,并且輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是隔離的,。目前極大多數(shù)的光耦輸入部分采用砷化鎵紅外發(fā)光二極管,輸出部分采用硅光電二極管,、硅光電三極管及光觸發(fā)可控硅,。這是因?yàn)榉逯挡ㄩL(zhǎng)900~940nm的砷化鎵紅外發(fā)光二極管能與硅光電器件的響應(yīng)峰值波長(zhǎng)相吻合,可獲得較高的信號(hào)傳輸效率,。

  光耦的結(jié)構(gòu)

  光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)(剖面)如圖1所示,。光耦輸入部分大都是紅外發(fā)光二極管,,輸出部分有不同的光敏器件,如圖2所示,。

 

  

 

  這里要說(shuō)明的是,,圖2(c)的輸入部分有兩個(gè)背對(duì)背的紅外發(fā)光二極管,它用于交流輸入的場(chǎng)合,;圖2(d)采用達(dá)林頓輸出結(jié)構(gòu),,它可使輸出獲得較大的電流;圖2(e),、2(f)的輸出由光觸發(fā)雙向可控硅組成,,它們主要用來(lái)驅(qū)動(dòng)交流負(fù)載。圖2(e)與圖2(f)的差別是圖2(f)有過(guò)零觸發(fā)控制(圖中的“ZC”即“過(guò)零”的意思),,而圖2(e)沒(méi)有過(guò)零觸發(fā)控制電路,。

 

  

 

  基本電路

 

  光耦的基本電路如圖3所示。圖3(a)的負(fù)載電阻RL接在發(fā)射極及地之間,,圖3(b)的負(fù)載電阻RL接在電源Vdd與集電極之間,。

  在圖3(a)中,輸入端加上Vcc電壓,,經(jīng)限流電阻Rin后,,有一定的電流IF流經(jīng)紅外發(fā)光二極管,IF與Vcc,、發(fā)光二極管的正向壓降VF及Rin的關(guān)系為:IF=(Vcc-VF)/Rin,。式中的VF取1.3V。IF的最大值由資料給出(一般工作時(shí)IF≤10mA),。

 

  

 

  發(fā)光二極管發(fā)光后,,光電三極管導(dǎo)通,集電極電流Ic由Vdd經(jīng)光電三極管流過(guò)RL到地,,使輸出電壓Vout=Ic×RL(或Vout=Vdd-VCE,,VCE為光電三極管的管壓降)。

  圖3(b)的工作原理與圖3(a)相同,,不再重復(fù),。圖3中輸入、輸出也可用各自的地,。

  從圖3(a)可以看出,;輸入端不加Vcc電壓,輸出端Vout=0V,,輸入端加了Vcc電壓,,負(fù)載得電,這個(gè)功能相當(dāng)于“繼電器”,。如果在輸入端加幅值為5V的脈沖(如圖4所示),,輸出端Vdd=12V,,RL=10kΩ,則輸出的脈沖幅值接近12V,,從這功一能來(lái)看,,相當(dāng)于“變壓器”;若輸入電壓從0躍變到+5V,,輸出則從0躍變到接近12V,,它又可用作電平轉(zhuǎn)換。

 

  

 

  特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

 

  光耦的主要特點(diǎn):輸入與輸出之間絕緣(絕緣電壓可達(dá)數(shù)千伏),;信號(hào)傳輸為單方向,,輸出信號(hào)不會(huì)對(duì)輸入信號(hào)有影響;能傳輸模擬信號(hào)也可傳輸數(shù)字信號(hào),;抗干擾能力強(qiáng),;體積小、壽命長(zhǎng),;由于無(wú)觸頭,,因此抗振性強(qiáng)。近年來(lái)由于生產(chǎn)工藝改進(jìn),,SMT的發(fā)展,,開(kāi)發(fā)出性能更好、尺寸更小的貼片式光耦,,它由DIP6管腳封裝改進(jìn)成4管腳封裝,,不僅改小尺寸,并且減小了干擾,,如圖5所示,,但有一些公司其管腳仍按6管腳排列,如圖2所示,。頂面有圓圈者為第1管腳,,如圖6所示。

 

  

 

  由于該類器件有上述特點(diǎn),,它主要應(yīng)用于隔離電路,、開(kāi)關(guān)電路、邏輯電路,、信號(hào)長(zhǎng)線傳輸,、線性放大電路、隔離反饋電路,、控制電路及電平轉(zhuǎn)換電路等,。

 

  光耦主要參數(shù)

 

  本文介紹NEC公司及TOSHIBA公司生產(chǎn)的一些常用的貼片式光耦及其主要參數(shù)。主要參數(shù)如表1及表2所示,。

 

  

 

  

 

  這里要說(shuō)明一下電流傳輸比(CTR)這個(gè)參數(shù)的意義,。CTR是Current Transfer Ratio 的縮寫(xiě)。它是在一定工作條件下(IF及VCE),,光耦的輸出電流Ic與輸入電流IF的比值,,一般用百分比表示,其值低的從幾到幾十,,高的從幾十到幾百,,達(dá)林頓輸出型可達(dá)上千。CTR大,,則在同樣的IF下,,輸出電流Ic大,驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力也強(qiáng)(或者說(shuō)IF較小可獲得大的Ic),。

  這里順便指出,,當(dāng)用光電耦合器作交流信號(hào)傳輸時(shí),必須考慮它的頻率特性,。采用GaAs發(fā)光二極管及硅光電三極管的光耦,,其最高工作頻率約為500kHz;其響應(yīng)時(shí)間小于10μs,。

  在使用時(shí)要注意的紅外發(fā)光二極管的反壓VR一般是很低的,,有的VR僅3V。因此在使用時(shí)輸入端不能接反,,防止紅外發(fā)光二極管因反壓過(guò)高而擊穿(可在1腳,、3腳接一個(gè)反向二極管來(lái)保護(hù),如圖4所示),。

 

  光耦的簡(jiǎn)易測(cè)量方法

 

  光電三極管輸出的光耦是應(yīng)用最廣泛的,,若頂面印刷字跡或圓點(diǎn)看不清楚,可采用指針式三用表來(lái)測(cè)量,,確認(rèn)哪個(gè)管腳是1腳,,并且也可簡(jiǎn)易測(cè)出光耦的好壞。

  由于它是一個(gè)二極管及一個(gè)三極管c,、e極組成的,,所以用R×1k擋來(lái)測(cè)量是十分方便的。只要測(cè)出一個(gè)二極管:黑表筆接二極管的陽(yáng)極,,紅表筆接二極管的陰極,,其阻值約30kΩ,則黑表筆端即1腳,。如圖7所示,,其它三種測(cè)量都應(yīng)是R=∞(表筆不動(dòng))。若光電三極管的測(cè)量電阻不是∞,則此光耦不能用,。

 

  

 

  應(yīng)用電路

 

  各種不同結(jié)構(gòu)的光耦可滿足輸入,、輸出隔離;輸入與輸出共地或不共地,;輸入,、輸出是直流或交流,使用極為靈活,,因此應(yīng)用極為廣泛,,這里介紹一些典型應(yīng)用電路。

  1.隔離線性放大器電路

  如果將輸入的交流信號(hào)調(diào)制成與信號(hào)電壓成比例的調(diào)制電流,,則經(jīng)光耦后再經(jīng)放大可實(shí)現(xiàn)隔離線性放大,,電路如圖1所示。

  +5V電壓及限流電阻(R1及RP)給發(fā)光二極管一個(gè)偏置電流IFO (一般IFO取得大一點(diǎn),,約10mA),,交流信號(hào)電壓經(jīng)C1、R2后加在發(fā)光二極管上,,疊加在IFO上形成調(diào)制電流,。經(jīng)光耦后輸出調(diào)制的光電流,在R3上產(chǎn)生一個(gè)與輸入電壓成比例的調(diào)制電壓,,此電壓經(jīng)C2隔直,,交流成分則經(jīng)放大器放大輸出。

  這里要指出的是經(jīng)光耦的電-光及光-電轉(zhuǎn)換,,線性度不是很高,。為了減小失真,偏置的電流IFO要大,,信號(hào)電壓產(chǎn)生的調(diào)制電流的峰值電流不超過(guò)5mA,,可使輸出電壓失真較小。這種光電隔離放大器比隔離放大器要便宜得多,。另外,,光電三極管的地用表示(說(shuō)明與輸入電壓不共地)。

  采用PS2701有較好的線性度,,輸入信號(hào)的頻率可在音頻范圍,。

 

  

 

  2.市電監(jiān)測(cè)電路

  圖2是一種市電監(jiān)測(cè)電路,當(dāng)停電時(shí)報(bào)警,。采用TLP126光耦經(jīng)限流電阻直接與市電220V連接,,使光耦的發(fā)光二極管發(fā)光,光電三極管導(dǎo)通,,使10kΩ電阻上的電壓接近Vdd(光電三極管的飽和管壓降小于0.5V),,外接功率MOSFET(VT)的-VGS<1V,,則VT截止,報(bào)警電路不工作,。3.3μF電容是用來(lái)穩(wěn)定VT柵極的電壓,,防止交流電壓過(guò)零使柵極電壓變化太大而產(chǎn)生誤動(dòng)作。

 

  

 

  市電停電時(shí),,發(fā)光二極管無(wú)電流,,光電三極管截止,VT 的-VGS=9V,,VT導(dǎo)通,報(bào)警電路工作,。

  Si9400是P溝道功率MOSFET,,其主要參數(shù)是VDS=-20V,在VGS =-10V時(shí)RDS(ON)=0.25Ω,,ID=±2.5A,。8管腳SO封裝,管腳排列如圖3所示,,使用時(shí),,四個(gè)D要焊在一起,兩個(gè)S要焊在一起以便于散熱,。

 

  

 

  3.防盜報(bào)警器電路

 

  一種用抽屜被撬防盜報(bào)警器電路如圖4所示,。它由光遮斷器、遮斷片及有關(guān)電路組成,。光遮斷器是一種光電傳感器,,它由紅外發(fā)光二極管及光電三極管及黑色塑料外殼組成,其剖面如圖4左邊所示,,其外形如圖4右邊所示,。

 

  

 

  其工作原理與光耦完全相同,區(qū)別僅僅是它由遮斷片來(lái)阻擋光路使光電三極管截止,;當(dāng)遮斷片后移,,發(fā)光二極管的紅外光照到光電三極管,光電三極管導(dǎo)通,。

  光遮斷器安裝在抽屜的底部,,遮斷片裝在抽屜上,如圖5所示,。要使防盜報(bào)警器工作,,接通Vcc(+5V)及Vdd(+9V)。抽屜未被撬時(shí),,遮斷片遮住光路,,光電三極管截止,,VT無(wú)ID,VT也截止,,光耦(TLP169G)的發(fā)光二極管無(wú)電流,,光觸發(fā)雙向可控硅截止,報(bào)警電路不工作,。

 

  

 

  當(dāng)小偷撬開(kāi)抽屜,,拉出抽屜時(shí),遮斷片退后,,光遮斷器光路通,,光電三極管導(dǎo)通,VT相繼導(dǎo)通,,光耦中的發(fā)光二極管工作,,光觸發(fā)雙向可控硅導(dǎo)通,報(bào)警器電路工作,。

  這個(gè)電路的特點(diǎn)是,,一旦報(bào)警器工作,即使將抽屜關(guān)上,,遮光片遮斷光路,,但雙向可控仍然導(dǎo)通,報(bào)警電路仍一直報(bào)警,,即使小偷發(fā)現(xiàn)光遮斷器,,將它破壞,但報(bào)警電路還工作,。按一下開(kāi)關(guān)K斷開(kāi)Vdd才能使報(bào)警電路不工作,。

  這里VCC的地與Vdd的地不共地,圖中用兩種地的符號(hào)表示,。

  由于光遮斷器有多種型號(hào),,要求發(fā)光二極管的工作電流IF各不相同,必要時(shí)要調(diào)整R1的大小,,使其滿足IF的要求,。

  TLP160G的輸出部分光觸可控硅的最大工作電流在25℃時(shí)可達(dá)100mA(隨著溫度增加而減小),。若報(bào)警電路工作電流大于80mA,,最好外接VT2,如圖6所示,。

 

  

 

  4.交流固態(tài)繼電器電路

  TLP160G光耦用得最廣的是用作交流固態(tài)繼電器,。它可以與外接雙向可控硅作簡(jiǎn)單連接來(lái)驅(qū)動(dòng)市電供電的各種負(fù)載。其電路如圖7所示,。輸入三極管VT的基極的控制信號(hào)為高電平時(shí),,VT導(dǎo)通,,紅外發(fā)光二極管也導(dǎo)通(VCC 經(jīng)RIN、紅外發(fā)光二極管,、經(jīng)VT的C,、E極到地),光觸發(fā)雙向可控硅導(dǎo)通,;這使外接功率較大的三端雙向可控硅導(dǎo)通,,負(fù)載RL得電。其工作原理相當(dāng)于圖8中的控制開(kāi)關(guān):K閉合,,雙向可控硅導(dǎo)通,;K斷開(kāi),雙向可控硅截止,。

 

  

 

  

 

  如果將虛線框內(nèi)的電路做成一個(gè)單獨(dú)的模塊,,它就是一個(gè)交流固態(tài)繼電器。圖7的電路適合于電阻性負(fù)載,,若是電感性負(fù)載,電路中增加一個(gè)RC,,如圖9所示,。

 

  

 

  這種交流固態(tài)繼電器有一個(gè)缺點(diǎn),它的雙向可控硅不是在交流電過(guò)零時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通,,其結(jié)果是正弦波不完整,,這瞬間會(huì)產(chǎn)生對(duì)電網(wǎng)的干擾。外接三端雙向可控硅耐壓要大于400V,,工作電流應(yīng)大于負(fù)載最大電流,。

  5.過(guò)零觸發(fā)交流固態(tài)繼電器電路

  采用內(nèi)部有交流電過(guò)零時(shí)觸發(fā)電路(圖10中的“ZC”部分)的ILP161G光耦,可以做成過(guò)零觸發(fā)交流固態(tài)繼電器電路,,如圖10所示,。它能在交流電過(guò)零附近觸發(fā)雙向可控硅,使交流波形完整,,不會(huì)造成對(duì)電網(wǎng)的干擾,。其工作原理與圖9相同。圖中的39Ω及0.01μF RC電路是一種浪涌電壓吸收回路,,它用來(lái)保護(hù)雙向可控硅免于瞬態(tài)的過(guò)壓而損壞,。外接的三端雙向可控硅選擇方法與圖9電路相同。

 

  

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