蓄電池作為備用電源在直流系統(tǒng)中起著極其重要的作用,，從而在電力,、通信、金融,、交通等各行各業(yè)中得到廣泛的應(yīng)用,。平時蓄電池組處于浮充電備用狀態(tài)，負荷由交流供電,，只有當交流電失電時,，蓄電池組才向負荷提供能量。為了檢驗蓄電池組的實際容量,，保證系統(tǒng)的正常運行,，一般情況要對蓄電池組每年進行一次核對性放電。目前在國內(nèi)市場上的放電設(shè)備主要使用可變電阻,、電阻盤,、碳棒等，而且需要人工調(diào)節(jié)放電電流,，控制精度低,，工作繁復。

    針對現(xiàn)狀,，我們研制了自動恒流放電系統(tǒng),。本系統(tǒng)采用先進的IGBT大功率電子器件和PWM脈寬調(diào)制控制技術(shù)，同時利用康銅電阻合金作為放電電阻,，并使放電電流在大范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),，且有較高的恒流精度。該放電系統(tǒng)采用大功率的電子負載和恒流控制技術(shù)后,，能瞬間承受高達100A的沖擊電流及長時間20A恒流負載,，以實現(xiàn)對電池負荷能力的檢測和對電池容量的核對性檢測。

    主要技術(shù)指標如表1所示,。

    1 放電系統(tǒng)工作原理

    放電系統(tǒng)的組成包括了IGBT功率器件部分,、PWM集成驅(qū)動電路部分、采樣放大,、比較,、反饋部分。系統(tǒng)原理框圖如圖1所示,。

    根據(jù)設(shè)計電流精度要求,，利用分流器采樣，分流器的規(guī)格為75mV,、20A,。采樣信號經(jīng)濾波，進入精密儀表放大器INA128,，INA128是BB公司生產(chǎn)的精密,、低功耗儀表放大器,。INA128實際上是一個窗口(雙限)比較器，特別適合微電壓的放大,，只要選擇合適的外部增益電阻RG,，就可調(diào)到合適的放大倍數(shù)G＝2/0.075＝26.7。根據(jù)公式G＝1+50kΩ/RG,，可算出RG＝50kΩ/(G－1)＝1.948kΩ,，選1.2kΩ的電阻和1kΩ的精密電位器串聯(lián)即可。

    經(jīng)過INA128放大的電壓再經(jīng)一級RC濾波,，濾波后的電壓反饋到W3524的反饋端(W3524的1腳),，作為W3524內(nèi)部比較放大器的取樣電壓。

    2 控制驅(qū)動電路

    驅(qū)動電路原理圖如圖2所示,。圖中的W3524是最為流行的開關(guān)電源集成控制器,，它包括了所有無電源變壓器開關(guān)電源所要求的基本功能，如控制,、保護,、取樣放大的功能，且使用方便靈活,，同時在制造上采用常規(guī)的平面工藝,。W3524可為脈寬調(diào)制式推挽、橋式,、單端及串聯(lián)型SmPS提供全部控制電路系統(tǒng)的控制單元,。它提供電源變壓器開關(guān)電源的全部功能，而且增加了取樣比例放大器,、限流保護以及內(nèi)部電路的過流和短路保護,。由于采用斜波后沿作為死區(qū)控制，因而節(jié)省了死區(qū)時間控制器,；內(nèi)部基準源既向內(nèi),、外電路提供基準電壓，又作為內(nèi)部各部分的工作電壓,，并提供50mA輸出電流,，輸出晶體管T1、T2集電極和發(fā)射極都懸空,，這樣使用增加了靈活性,。基準源屬于常規(guī)的串聯(lián)式線性直流穩(wěn)壓電源,，它向單片內(nèi)部的斜波發(fā)生器,、比較放大器、脈寬調(diào)制器,、T型觸發(fā)器等以及通過16腳向外均提供+5V的工作電壓和基準電壓，使斜波發(fā)生器產(chǎn)生幅度在1.2～3.6V的連續(xù)不對稱三角波，由內(nèi)部直接輸入到脈寬調(diào)制器的同相端,。

    與此同時,，斜波發(fā)生器又向下一級的T型觸發(fā)器和“或非”門提供一個同步方波脈沖。它們的頻率由6,、7腳的外接電阻RT和電容CT所決定,，一般可以從100kHz調(diào)到500kHz，由它構(gòu)成的PWM型開關(guān)電源的工作頻率可達100kHz,。當取樣電壓和基準電壓分別通過1,、2腳送入內(nèi)部的比較放大器比較放大時，輸出的控制電壓送到脈寬調(diào)制器的反向端,。脈寬調(diào)制器把控制電壓與斜波基準電壓進行比較,，輸出一個寬度受控制電壓所調(diào)制的方波脈沖，然后同時送往兩個前級“或非”門的輸入端,。

    工作頻率由6,、7腳的外接電阻RT和電容CT所決定，fPWM＝1.15/(RT×CT),?？紤]到對CT的充電電流為(1.2～3.6/RT一般為30μA到2mA)。因此RT取值為1.8kΩ到100kΩ,。同時9腳對地串接有0.1μf的電容和30kΩ的電阻,，以實現(xiàn)頻率補償，用作內(nèi)部誤差放大器的相位補償,，否則會有自激產(chǎn)生,。

    3 估算發(fā)熱

    根據(jù)上述對IGBT的分析研究，三棱H系列IGBT器件—CT60是基于第三代IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管技術(shù),，為功率電路設(shè)計,、緩沖電路(吸收回路)設(shè)計及熱設(shè)計而采用的大功率器件。它的最大允許峰值電壓VCES為1000V,；最大通過峰值電流IC為60A,；T＝25°C時IGBT的最大允許功耗為250W；T＝25°C時IGBT結(jié)溫的允許范圍為－40～150°C,；在規(guī)定條件和額定集電極電流下,，IGBT的飽和壓降(通態(tài)電壓)VCE(sat)為2.6V；開通和過渡時間Td(on)為0.15μS,；上升時間TR為0.3μS,；關(guān)斷過渡時間Td(off)為0.3μS；續(xù)流二極管的正向壓降VEC為3V,。

    由此可知最大導通功耗：

    在計算了IGBT的總平均功耗PC＝193.25W后,，就可估算IGBT表面部分的平均結(jié)溫Tj＝TC+PC×RTH(j－C),，其中TC為環(huán)境溫度(假設(shè)環(huán)境溫度為30°C)，PC為總平均功耗,，RTH(j－C)為標定的結(jié)殼熱阻(查CT60的標定結(jié)殼熱阻為0.4°C/W),，則IGBT的表面平均結(jié)溫：

    通過計算可知，不能忽視IGBT在運行中所發(fā)生的巨大導通功耗和開關(guān)功耗,。而這些功耗通常表現(xiàn)為熱,，所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導到外部環(huán)境中去。當把IGBT安裝在散熱器上時,，還應(yīng)注意避免安裝受力不均勻,，因此使用平面度為150μm的散熱器。為了達到有效地把熱量傳導到外部散熱器,，在傳熱界面要選擇使用在工作溫度內(nèi)性能穩(wěn)定并且在裝置壽命期內(nèi)性能不發(fā)生變化的導熱硅脂,。

    4 系統(tǒng)保護

    由于實際的功率電路線路中總有寄生漏電感，當IGBT被關(guān)斷時,，感性負載中的電流不可能立刻發(fā)生變化,，該負載電感兩端產(chǎn)生阻止母線電流減少的電壓V(V＝LdI/dT)。它與電源電壓相迭加并以浪涌電壓的形式加在IGBT的兩端,。在極端情況下,，該浪涌電壓會超過IGBT的額定值VCES并導致它損壞。在IGBT功率回路中引起浪涌電壓的能量與1/2LPI2成比例,，LP是母線的寄生電感,，I是工作電流。由此可見,，在使用大電流的器件時更加需要降低功率回路的電感,。因此為了得到一種適合大電流工作的低母線電感電路，就需要特殊的母線結(jié)構(gòu),。有交錯鍍銅層和絕緣層構(gòu)層的迭層母線設(shè)計,，可以使電感量降低。迭層母線中被絕緣層隔離的寬板用于正極和負極母線的連接,，這種寬板起到了防止功率回路中寄生電感的作用,。

    其次，好的緩沖電路可以有效控制浪涌電壓的關(guān)斷和用續(xù)流二極管恢復浪涌電壓,，用以減少功率器件的開關(guān)損耗,。IGBT緩沖電路與傳統(tǒng)的雙極晶體管緩沖電路存在兩個方面的區(qū)別：一是IGBT具有強大的開關(guān)工作區(qū)，緩沖電路只需控制瞬態(tài)電壓而不需要保護就可以抑制伴生達林頓晶體管的二次擊穿超限,；二是IGBT常工作在比達林頓高得多的頻率范圍,。三種IGBT緩沖電路如圖3所示。

    緩沖電路“B”使用快恢復二極管可箝住瞬變電壓,，從而抑制振蕩的發(fā)生,。緩沖電路“B”的RC時間常數(shù),，應(yīng)該設(shè)為該開關(guān)周期的約1/3(τ＝T/3＝1/3f)。但對于大功率級別的IGBT工作,，緩沖電路“B”的回路寄生電感將變得很大,，以至不能有效地控制瞬變電壓。由于大功率IGBT電路需要極低電感量的緩沖電路,，而且緩沖電路必須盡可能地聯(lián)到IGBT上，設(shè)計緩沖電路時,，得考慮二極管封裝內(nèi)的寄生電感和緩沖電容引線的寄生電感,。通常，小電容并聯(lián)或二極管并聯(lián)產(chǎn)生的電感量比大的單電容或單二極管產(chǎn)生的電感量更低,。

    IGBT在運行中會有導通功耗與開關(guān)功耗發(fā)生,。這些功耗通常表現(xiàn)為熱，所以必須采用散熱器把這些熱量從功率芯片傳導到外部環(huán)境中去,。如熱系統(tǒng)設(shè)計不當,，功率器件將過熱并導致?lián)p壞。導通損耗伴隨IGBT處于通態(tài)并傳導電流而發(fā)生,。導通期間的總功耗是由通態(tài)飽和電壓與通態(tài)電流的乘積來計算的,。在PWM的應(yīng)用中，導通損耗須與占空比因子相乘,，從而得到平均功率,。導通損耗的一次近似可通過IGBT的額定VCE(sat)值與期待的器件平均電流值的乘積來得到，即PSS＝VCE(sat)×IC,。開關(guān)損耗是在IGBT開通與關(guān)斷過渡過程期間的功率損耗,。當PWM信號頻率高于5kHz時，開關(guān)損耗會非常顯著,，一定要在熱設(shè)計中予以考慮,。得到開關(guān)損耗的最精確的方法是測量在開關(guān)過渡過程中IC與VCE的波形。將此波形逐點相乘,，從而得到功率的瞬時波形,，此功率波形下面的面積就是以焦耳/脈沖為單位的開關(guān)能量，這一面積通常通過作圖積分來計算,?？傞_關(guān)能量是開通與關(guān)斷過程所耗能量之和，平均開關(guān)損耗是由單脈沖總開關(guān)能量^[1]與PWM頻率相乘得到,，即：平均開關(guān)功耗PSW＝fPWM×[ESW(on)+ESW(off)],。而總功耗為導通功耗與開關(guān)功耗之和，即PC＝PSS+PSW,。此放電系統(tǒng)也將利用該公式來估算IGBT器件的平均功耗,。

    5 PCB的總體可靠性設(shè)計

    良好的電路布局是保證設(shè)備和電路安全運行及長壽命的重要前提,，同時工藝限制也對PCB提出了嚴格的要求，應(yīng)遵循以下幾條原則：

    ·PCB可靠性設(shè)計應(yīng)做到系統(tǒng)集成化,、專業(yè)化設(shè)計,。總體考慮電源地線布置,、去耦與排線設(shè)計,。區(qū)域分配應(yīng)注意模擬電路、數(shù)字電路,、功率器件的布局^[2],。

    ·可靠的電源、地線設(shè)計應(yīng)做到模擬,、數(shù)字的分別供電,，減少地線公共阻抗，防止形成地線回路,，同時保證一點接地以及電源入口的去耦設(shè)計,。

    該自動恒流放電模塊可配合智能蓄電池組監(jiān)測系統(tǒng)使用，當放電時放電電流連續(xù)可調(diào),，此時智能蓄電池組監(jiān)測系統(tǒng)將監(jiān)測每節(jié)電池的電壓變化,，當有任一節(jié)電池電壓低于設(shè)定值時(或交流停電)，放電自動停止,，顯示放電時間,，并予以記錄。該模塊也可單獨使用,，當放電時放電電流連續(xù)可調(diào),，此時需人工監(jiān)測每節(jié)電池的電壓，控制放電模塊停止放電,。本設(shè)備使用簡單,，安全可靠，恒流精度高,，可廣泛應(yīng)用于需要對蓄電池或電源進行恒流負載放電的場合,。

    參考文獻

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