日前,，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。LM5114 可驅(qū)動同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應用中的 GaN FET 與 MOSFET,。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動器 LM5113,，可為高性能電信,、網(wǎng)絡以及數(shù)據(jù)中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動器解決方案。如欲了解詳情或訂購樣片與評估板,，敬請訪問：www.ti.com/gan-pr,。
　　
　　LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出（sink and source output）驅(qū)動標準 MOSFET 與 GaN FET,。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外,，提高的下拉強度還有助于該器件驅(qū)動 GaN FET,。獨立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動器路徑中的二極管，準確控制升降時間,。
　　
　　LM5114 低側(cè)柵極驅(qū)動器的主要特性與優(yōu)勢：
　　•可優(yōu)化升降時間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率,；
　　•+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用,；
　　•0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通,；
　　•7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅(qū)動器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響,；
　　•匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間,，可降低停滯時間損耗,；
　　•12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時,，支持高開關頻率,；
　　•高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）,；
　　•-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度,。
　　 
供貨情況與封裝
　　LM5114 現(xiàn)已開始批量供貨,，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進行訂購。該器件采用 6 引腳 SOT-23 封裝或裸焊盤 6 引腳 LLP 封裝,。
　　
　　了解有關 TI 電源管理產(chǎn)品系列的更多詳情：
　　•訂購最新 GaN FET 驅(qū)動器的樣片與評估板：www.ti.com/lm5114-prcn ,；
　　•全面了解所有 TI GaN FET 驅(qū)動器解決方案：www.ti.com/gan-pr；
　　•觀看 LM5113 的實驗室演示：http://www.ti.com/lm5113-prv,；
　　•通過 德州儀器在線技術支持社區(qū)咨詢問題： www.deyisupport.com,。
　　
商標
　　所有注冊商標與其它商標均歸其各自所有者所有。