L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH）,，其中Length單位取mm。
Cgs為MOSFET柵源極電容，不同的管子及不同的驅動電壓時會不一樣,，這兒取1nF,。
VL+VRg+VCgs=12V
計算式
這是個3階系統(tǒng)，當其極點為3個不同實根時是個過阻尼震蕩,，有兩個相同實根時是臨界阻尼震蕩,，當有虛根時是欠阻尼震蕩，此時會在MOSFET柵極產生上下震蕩的波形,，這是我們不希望看到的,，因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態(tài)，考慮到參數(shù)誤差實際上都是工作在過阻尼狀態(tài),。
根據(jù)以上得到
計算式
因此根據(jù)走線長度可以得到Rg最小取值范圍,。
等效驅動電路圖
分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH，L70=80nH,， 則Rg20=8.94Ω,，Rg70=17.89Ω，
以下分別是電壓電流波形：
電壓電流波形
可以看到當Rg比較小時驅動電壓上沖會比較高,，震蕩比較多,，L越大越明顯，此時會對MOSFET及其他器件性能產生影響。但是阻值過大時驅動波形上升比較慢,，當MOSFET有較大電流通過時會有不利影響,。
MOSFET有較大電流通過時
此外也要看到，當L比較小時,，此時驅動電流的峰值比較大,，而一般IC的驅動電流輸出能力都是有一定限制的，當實際驅動電流達到IC輸出的最大值時,，此時IC輸出相當于一個恒流源,，對Cgs線性充電，驅動電壓波形的上升率會變慢,。電流曲線就可能如左圖所示（此時由于電流不變,，電感不起作用）。這樣可能會對IC的可靠性產生影響,，電壓波形上升段可能會產生一個小的臺階或毛刺,。
IC的PWM OUT輸出
一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示，內部集成了限流電阻Rsource和Rsink,，通常Rsource>Rsink，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅動輸出能力有關,，可以近似認為R=Vcc/Ipeak,。一般IC的驅動輸出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右,。
由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應用中IC的驅動可以直接驅動MOSFET,，但是考慮到通常驅動走線不是直線，感量可能會更大,，并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅動電阻進行抑制?？紤]到走線分布電容的影響,，這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。
表
可以看到L對上升時間的影響比較小,，主要還是Rg影響比較大,。上升時間可以用2*Rg*Cgs來近似估算，通常上升時間小于導通時間的二十分之一時,，MOSFET開關導通時的損耗不致于會太大造成發(fā)熱問題,，因此當MOSFET的最小導通時間確定后Rg最大值也就確定了 ，一般Rg在取值范圍內越小越好,，但是考慮EMI的話可以適當取大,。
以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小,，這也是Rsink
圖
實際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個電容Cgd的影響,，MOSFET ON時Rg還要對Cgd充電，會改變電壓上升斜率,，OFF時VCC會通過Cgd向Cgs充電,，此時必須保證Cgs上的電荷快速放掉，否則會導致MOSFET的異常導通,。