L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm,，考慮其他走線因素,，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm,。

Rg為柵極驅(qū)動電阻,，設(shè)驅(qū)動信號為12V峰值的方波。

Cgs為MOSFET柵源極電容，不同的管子及不同的驅(qū)動電壓時(shí)會不一樣,，這兒取1nF,。

VL+VRg+VCgs=12V

計(jì)算式

這是個(gè)3階系統(tǒng)，當(dāng)其極點(diǎn)為3個(gè)不同實(shí)根時(shí)是個(gè)過阻尼震蕩,，有兩個(gè)相同實(shí)根時(shí)是臨界阻尼震蕩,，當(dāng)有虛根時(shí)是欠阻尼震蕩，此時(shí)會在MOSFET柵極產(chǎn)生上下震蕩的波形,，這是我們不希望看到的,，因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態(tài)，考慮到參數(shù)誤差實(shí)際上都是工作在過阻尼狀態(tài),。

根據(jù)以上得到

計(jì)算式

因此根據(jù)走線長度可以得到Rg最小取值范圍,。

等效驅(qū)動電路圖

分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH，L70=80nH,， 則Rg20=8.94Ω,，Rg70=17.89Ω，

以下分別是電壓電流波形：

電壓電流波形

可以看到當(dāng)Rg比較小時(shí)驅(qū)動電壓上沖會比較高,，震蕩比較多,，L越大越明顯，此時(shí)會對MOSFET及其他器件性能產(chǎn)生影響,。但是阻值過大時(shí)驅(qū)動波形上升比較慢,，當(dāng)MOSFET有較大電流通過時(shí)會有不利影響。

MOSFET有較大電流通過時(shí)

此外也要看到,，當(dāng)L比較小時(shí),，此時(shí)驅(qū)動電流的峰值比較大，而一般IC的驅(qū)動電流輸出能力都是有一定限制的,，當(dāng)實(shí)際驅(qū)動電流達(dá)到IC輸出的最大值時(shí),，此時(shí)IC輸出相當(dāng)于一個(gè)恒流源，對Cgs線性充電,，驅(qū)動電壓波形的上升率會變慢,。電流曲線就可能如左圖所示（此時(shí)由于電流不變，電感不起作用）,。這樣可能會對IC的可靠性產(chǎn)生影響，電壓波形上升段可能會產(chǎn)生一個(gè)小的臺階或毛刺,。

IC的PWM OUT輸出

一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示,，內(nèi)部集成了限流電阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅(qū)動輸出能力在0.5A左右,，因此Rsource在20Ω左右,。

由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,，并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制?？紤]到走線分布電容的影響,，這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。

表

可以看到L對上升時(shí)間的影響比較小,，主要還是Rg影響比較大,。上升時(shí)間可以用2*Rg*Cgs來近似估算，通常上升時(shí)間小于導(dǎo)通時(shí)間的二十分之一時(shí),，MOSFET開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗不致于會太大造成發(fā)熱問題,，因此當(dāng)MOSFET的最小導(dǎo)通時(shí)間確定后Rg最大值也就確定了 ，一般Rg在取值范圍內(nèi)越小越好,，但是考慮EMI的話可以適當(dāng)取大,。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時(shí)阻值要盡量小,，這也是Rsink

圖

實(shí)際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個(gè)電容Cgd的影響，MOSFET ON時(shí)Rg還要對Cgd充電，會改變電壓上升斜率,，OFF時(shí)VCC會通過Cgd向Cgs充電,，此時(shí)必須保證Cgs上的電荷快速放掉，否則會導(dǎo)致MOSFET的異常導(dǎo)通,。