帶有片上FET功率開關(guān)的廉價(jià)升壓穩(wěn)壓器很適合用于低壓升壓轉(zhuǎn)換器SEPIC(單端初級電感轉(zhuǎn)換器),,以及反激式轉(zhuǎn)換器,。對于較高的電壓,設(shè)計(jì)者一般會(huì)采用一種成本更高的方案,,包括一個(gè)外接FET的控制器,,或一個(gè)高壓升壓穩(wěn)壓器。
還有一種簡潔而便宜的方案(圖1),。此電路使用了一只ADP1613步進(jìn)升壓DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器,,獲得一個(gè)48V、100mA電源,,滿載效率為86%(圖2),。該IC包含了一個(gè)片上功率開關(guān),在20V時(shí)的峰值輸出電流為2A,。齊納二極管作為一只并聯(lián)調(diào)節(jié)器,,為IC提供一個(gè)5V電源,并將外接FET的柵極偏置在相同電壓下,。IC內(nèi)部的FET與一個(gè)高壓FET串聯(lián),,接成級聯(lián)方式。現(xiàn)在,,IC是以共柵極模式驅(qū)動(dòng)外接FET,,切換的是外接FET源極的電壓,而不是柵極,。
圖1,,本電路設(shè)計(jì)采用ADIsimPower,用IC內(nèi)部FET開關(guān)驅(qū)動(dòng)外部FET的源極,。
然后,,內(nèi)部FET導(dǎo)通,V X結(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)至地,,而高壓FET的柵極保持恒定,,導(dǎo)通高壓FET,。較低的FET用作一個(gè)低電阻柵極驅(qū)動(dòng)器,,而FET快速導(dǎo)通,獲得了低導(dǎo)通損耗,。當(dāng)內(nèi)部FET關(guān)斷時(shí),,電感電流拉高SW結(jié)點(diǎn),, 直到外接F E T 也關(guān)斷。內(nèi)部FET可看到的最高電壓是柵極電壓減外接FET的閾值電壓,。
圖3,,級聯(lián)FET結(jié)構(gòu)獲得了快速的轉(zhuǎn)換和低損耗。這種結(jié)構(gòu)亦能實(shí)現(xiàn)更高電壓的運(yùn)行,。