移動應用,、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天,、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET,。憑借該封裝方案,，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器,、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器,、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制,。它們采用熱性能增強型封裝,，為需求最大效率,、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。

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在 650/750V 狀態(tài)下,，第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm),，實現(xiàn)行業(yè)低水平，該系列的額定電阻為 9,、11,、18、23,、33,、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項,，支持更大的靈活性,，以實現(xiàn)理想成本/效率平衡，同時維持豐富的設(shè)計裕量和電路穩(wěn)健性,。這些器件利用獨到的共源共柵 SiC FET 技術(shù),，其中，處于常開狀態(tài)的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝,，產(chǎn)生處于常閉狀態(tài)的 SiC FET,，這些器件提供出色的 RDS x A 品質(zhì)因數(shù)，能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導損失,。

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）總工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內(nèi)部連接回路中的電感,，再加上附帶的開爾文源連接，能夠?qū)崿F(xiàn)低開關(guān)損耗，支持更高的工作頻率,，并提高系統(tǒng)功率密度,。此外，這些器件采用銀燒結(jié)芯片貼裝,，通過液體冷卻最大限度排出標準 PCB 和 IMS 基板上的熱量,，因此熱阻非常低?！?/p>

采用 D2PAK-7L 封裝系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售價（1000 件起,，美國離岸價）為 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通過授權(quán)經(jīng)銷商銷售,。

如需進一步了解 UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行業(yè)先進的性能品質(zhì)因數(shù),，降低傳導損失，提高更高速度時的效率,，同時改善整體成本效率,，請訪問 https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。

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