《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術 > 新品快遞 > Microsemi擴展RF功率MOSFET產(chǎn)品系列

Microsemi擴展RF功率MOSFET產(chǎn)品系列

采用半橋拓撲結(jié)構并將驅(qū)動器與RF功率MOSFET集于一體的DRF1400
2012-06-04

 

致力于提供幫助功率管理、安全,、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布擴展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET,。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè),、科學和醫(yī)療(ISM)領域的RF發(fā)生器中使用,例如用于半導體,、LCD和太陽能電池制造的等離子生成,,以及工作頻率高達30 MHz 的CO2激光器。

 

美高森美的DRF系列是將RF柵極驅(qū)動器,、RF功率MOSFET和相關旁路電容器集中封裝在一個高效熱性能封裝的產(chǎn)品,。DRF1400是美高森美首款采用半橋拓撲結(jié)構的器件,在輸出功率為1kW時效率優(yōu)于92%,,此外,,較低的寄生電容和電感,以及施密特(Schmitt)觸發(fā)器輸入,、開爾文(Kelvin)信號地線,、防振鈴功能、反相和同相(non-invert)引腳可選擇等附屬功能,,為kW到數(shù)千瓦的高頻ISM的應用提供了高穩(wěn)定性和靈活的控制功能,,高集成度還可縮減材料清單(bill-of-material)元件數(shù)目和降低成本。其它特點包括:

 

·        內(nèi)部集成了RF驅(qū)動器,,可以簡化驅(qū)動級設計,,允許輸入簡單的邏輯信號;

·        內(nèi)部的旁路電容器,,可以減少寄生電感并能保證電源電壓的穩(wěn)定,;

·        采用高擊穿電壓(500V)MOSFET,,通過半橋拓撲實現(xiàn)較高的功率輸出;

·        采用具有高效散熱性能的專有封裝,,能夠提供高達1.4 kW的輸出功率,。

 


供貨

 

美高森美現(xiàn)可提供DRF1400的工程樣品。與之相關的參考設計套件(13.56 MHz, Class-D半橋)可從美高森美購買,,套件包括了快速推出>1kW的RF功率設計所需的所有硬件,,同時還為RF系統(tǒng)設計人員提供了包含有基礎操作知識和設計考慮事項的設計指南(http://www.microsemi.com/en/sites/default/files/datasheets/1817%20B.pdf)。欲獲得更多信息,,請閱讀DRF1400數(shù)據(jù)表(http://www.microsemi.com/en/fulltext-search/drf1400),,或電郵[email protected]與美高森美公司聯(lián)系。

 

關于美高森美公司

 

美高森美公司(Microsemi Corporation,,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 為通信,、國防與安全、航天,,以及醫(yī)療與工業(yè)市場提供業(yè)界綜合性的半導體與系統(tǒng)解決方案系列,,包括混合信號集成電路、系統(tǒng)單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS),、可編程模擬解決方案,、功率管理產(chǎn)品、時鐘與語音處理器件,、射頻解決方案,、分立組件,以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產(chǎn)品,。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,,全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息,,請訪問網(wǎng)站:http://www.microsemi.com。 

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。