《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay發(fā)布首顆用于軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞碾p片600V快速體二極管N溝道MOSFET

2014-12-09
來(lái)源:Vishay

    日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,,發(fā)布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復(fù)電荷和導(dǎo)通電阻,,能夠在工業(yè)、電信,、計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中提高可靠性,,節(jié)約能源。

    今天推出的600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級(jí)結(jié)技術(shù)制造,,很好地補(bǔ)充了Vishay現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)E系列元器件,,擴(kuò)充類(lèi)似相移橋和LLC轉(zhuǎn)換器半橋等可用于零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)/軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞漠a(chǎn)品。

     SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復(fù)電荷(Qrr)比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低10倍以上,,可在這些應(yīng)用中提高可靠性,。低反向恢復(fù)電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓,有助于避免因擊穿和熱過(guò)應(yīng)力而失效,。另外,,減小Qrr使器件的反向恢復(fù)損耗低于標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET。

    28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝,,分別具有123Ω和98Ω的超低導(dǎo)通電阻及柵極電荷,,能夠在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng),、ATX/銀盒PC開(kāi)關(guān)電源,、焊接設(shè)備、UPS,、電池充電器,、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,以及LED和HID照明等高功率,、高性能的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用里實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,,從而節(jié)約能源,。

    這些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脈沖,保證極限值100%通過(guò)UIS測(cè)試,。MEOSFET符合RoHS,,無(wú)鹵素。

 器件規(guī)格表:

編號(hào)

VDS(V)

(最小值)

ID(A) @ 25 °C

RDS(on)(m?) @ 10 V (最大值)

Q(nC) @ 10 V (典型值)

封裝

SiHP28N60EF

600

28

123

80

TO-220

SiHB28N60EF

600

28

123

80

TO-263

SiHF28N60EF

600

28

123

80

TO-220F

SiHG28N60EF

600

28

123

80

TO-247AC

SiHP33N60EF

600

33

98

103

TO-220

SiHB33N60EF

600

33

98

103

TO-263

SiHG33N60EF

600

33

98

103

TO-247AC

VISHAY簡(jiǎn)介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,,是全球分立半導(dǎo)體(二極管,、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器,、電容器)的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算,、汽車(chē),、消費(fèi)、電信,、軍事,、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com

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