恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm,、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET
2012-06-19
恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)今日推出業(yè)內首款2 mmx 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET,。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢,,與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質量更好,。
即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30V N溝道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品,。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A,10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),,因此導通損失小,,功耗更低,電池使用壽命更長,。
新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米,,比當今市場上大多數(shù)2 mmx 2 mm的產品更加輕薄,是智能手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關,、電源轉換器和充電開關的理想之選,。該款MOSFET還適用于其他空間受限應用,其中包括直流電機,、服務器和網絡通信以及LED照明,,在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一,,提供與其相當?shù)臒嶙?,能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝,如SO8封裝、3 mmx 3 mm封裝或TSSOP8封裝,。
新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產品線,,截止到今年年末將有超過60種封裝,封裝尺寸為2 mmx 2 mm或1 mmx 0.6 mm,。如今,恩智浦是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商,,提供電平場效應晶體管(FET)和雙極晶體管技術,。
有關恩智浦新型DFN2020 MOSFET的更多信息,請訪問http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets
鏈接
· PMPB11EN - Nch 30 V VDS,、20 V VGS,、12 mOhm典型RDSon(10 V時):http://www.nxp.com/pip/PMPB11EN
· PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS,、16.5 mOhm典型RDSon(10 V時):http://www.nxp.com/pip/PMPB20EN
· DFN2020MD-6封裝:http://www.nxp.com/packages/SOT1220.html
· 視頻:首款2x2mm,、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET:http://www.youtube.com/watch?v=QnEWyTKjqZk
關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬,、電源管理,、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長,,提供高性能混合信號(High Performance Mixed Signal)和標準產品解決方案,。這些創(chuàng)新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別,、無線基礎設施,、照明、工業(yè),、移動,、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構,,2011年公司營業(yè)額達到42億美元,。更多恩智浦相關信息,請登錄公司官方網站http://cn.nxp.com/查詢,。