瑞薩電子公司(TSE: 6723),，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商,，今天宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷,，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng),、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺(tái),，同時(shí)結(jié)合了快速體二極管的性能,，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率,，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機(jī)的家電,。

    近年來(lái)，對(duì)于環(huán)保的日益重視使人們不斷致力于提高電子設(shè)備的能源效率并減少能源消耗,。特別是對(duì)于空調(diào)和電視等家用電器中的電源電路,，更加強(qiáng)調(diào)要降低能耗并提高效率,。這就催生了對(duì)于降低這些產(chǎn)品中，功率器件功耗的需求（這是更低導(dǎo)通電阻和更好的開(kāi)關(guān)特性的功能）,，從而提高整體的能源使用效率,。

    過(guò)去，采用高壓,、高速電機(jī)和逆變器的空調(diào)和其它家用電器,，一般會(huì)在一個(gè)封裝中采用帶分立式快恢復(fù)二極管（FRD）的IGBT，以實(shí)現(xiàn)短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),。目前,，對(duì)于更加高速開(kāi)關(guān)的需求，以及在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求,，產(chǎn)生了對(duì)于帶快速恢復(fù)體二極管特性的超級(jí)結(jié)MOSFET的需求,。與傳統(tǒng)的平面架構(gòu)不同，超級(jí)結(jié)MOSFET在不降低器件耐壓能力的情況下,，降低了導(dǎo)通電阻,，使其可以產(chǎn)生具有每單位面積更低的導(dǎo)通電阻。隨著行業(yè)向著更加節(jié)能的方向發(fā)展,，為了滿(mǎn)足對(duì)于這些器件日益增長(zhǎng)的需求,，瑞薩公司利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，新開(kāi)發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級(jí)結(jié)MOSFET,，實(shí)現(xiàn)了低功耗,，并提升了高速開(kāi)關(guān)性能,。

新款超級(jí)結(jié)MOSFET的主要特性：

(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻

    憑借從早期為PC服務(wù)器和LCD TV等應(yīng)用所設(shè)計(jì)的超級(jí)結(jié)MOSFET器件中積累的經(jīng)驗(yàn),，瑞薩已經(jīng)在具有低柵極電壓的600V功率半導(dǎo)體器件上實(shí)現(xiàn)了150 mΩ（典型值）的導(dǎo)通電阻。這就為采用高速電機(jī)和逆變控制的家用電器等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了電源效率的改善,。

(2)更短的反向恢復(fù)時(shí)間

    新款超級(jí)結(jié)MOSFET器件具有內(nèi)置的快速體二極管,，其規(guī)格優(yōu)化用于高速電機(jī)控制應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時(shí)間顯著縮短,，僅為150ns,，約為現(xiàn)有類(lèi)似功率超級(jí)結(jié)MOSFET器件中二極管的三分之一。

(3)高速開(kāi)關(guān)性能,，顯著降低鳴響等副作用

   瑞薩通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu),，改進(jìn)了漏柵電容，從而最大限度地減少鳴響,，同時(shí)還保證了高速的開(kāi)關(guān)性能,。這一改進(jìn)有助于降低功耗和穩(wěn)定操作，特別適用于三相橋式電路,，廣泛用于高速電機(jī)和逆變器控制應(yīng)用中,。

    瑞薩通過(guò)提供總的信號(hào)鏈解決方案持續(xù)為客戶(hù)提供技術(shù)支持,，方案將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結(jié)合，并希望增加其作為功率半導(dǎo)體器件全球領(lǐng)先供應(yīng)商的地位,。瑞薩考慮將這一新的高精度超級(jí)結(jié)MOSET器件系列作為其高壓功率器件陣列的核心,，旨在進(jìn)一步增強(qiáng)其產(chǎn)品系列。瑞薩還將針對(duì)電機(jī)和反極器應(yīng)用擴(kuò)大其配套解決方案的范圍,，將新的超級(jí)結(jié)MOSFET器件與瑞薩RL78系列低功率MCU,，RX系列中檔MCU、以及用以驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的光耦相結(jié)合,。整合了新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的參考開(kāi)發(fā)板也計(jì)劃推出,，從而為客戶(hù)提供配套評(píng)估和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的支持。

    超級(jí)結(jié)MOSFET器件的外形可采用相當(dāng)于下列工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

價(jià)格和供貨情況

瑞薩電子新款RJL60S5DPP,、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET將于2012年9月推出,，價(jià)格為每片US$2.0。量產(chǎn)計(jì)劃于2012年12月進(jìn)行,，到2013年3月三種產(chǎn)品的月產(chǎn)量總額將達(dá)到500,000片,。（價(jià)格和供貨情況如有變化，恕不另行通知,。）

請(qǐng)參考附表,，了新產(chǎn)品的主要技術(shù)規(guī)格。

(注1)超級(jí)結(jié)MOSFET (超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管):

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)布局,。與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)不同,，它可以在不降低器件耐壓能力的條件下，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻,。這就意味著可以降低每個(gè)單位面積的導(dǎo)通電阻,。

附表

新型超級(jí)結(jié)MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格　

• 所有產(chǎn)品版本共有的項(xiàng)目

■ 額定通道溫度(Tch): +150°C

■ 額定漏極電壓(VDSS): 600 V

■ 額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V

■ 額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C

■ 導(dǎo)通電阻(RDS(on))，典型值: 150 mΩ (當(dāng)ID = 10 A, VGS = 10 V時(shí))

■ 反向傳輸電容(Crss),，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)

■ 柵極源闕值電壓(VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大5 V

■ 體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當(dāng)IF = 10 A時(shí))

■ 體二極管FRD 反向恢復(fù)時(shí)間(trr): 150 ns (當(dāng)ID = 20 A時(shí))

• 封裝

■ RJL60S5DPP-E0: TO-220FP

■ RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG

■ RJL60S5DPE-00: LDPAK