英飛凌科技股份公司今天宣布,，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解,。2008年11月,，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟,。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利,。

通過廣泛的半導體技術專利交叉許可,，雙方就上述訴訟達成和解,。根據(jù)和解協(xié)議,，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費,，但協(xié)議的具體條款和條件保密,。

英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解,，并將申請撤訴,。

作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判,。英飛凌認為,，這些談判對持續(xù)保護其知識產(chǎn)權和商業(yè)利益至關重要。

InfineonRelease" style="text-indent: 18.05pt; margin: 0cm 0cm 0pt; text-autospace: ideograph-numeric; mso-char-indent-count: 2.0"> 關于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效,、連通性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。2008財年（截止到9月份）,，公司實現(xiàn)銷售額43億歐元,，在全球擁有約29,100名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務遍及全球,，在美國苗必達,、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市,。

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場,。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,，在中國擁有1300多名員工,，已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā),、生產(chǎn),、銷售,、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,，并在銷售,、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè),、高等院校開展了深入的合作,。