日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK,。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝,，占位面積為1.6mm x 1.6mm,，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導通電阻,。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品,，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元,。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細,、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半,。

SiB455EDK具有超低的導通電阻，在4.5 V、2.5 V,、1.8 V和1.5 V下的導通電阻分別為27mΩ,、39mΩ、69mΩ和130mΩ,，比前一代領先的12V P溝道器件在4.5 V,、2.5 V、1.8 V下的導通電阻分別低55%,、52%和39%,。

該MOSFET可用做手機、智能手機,、PDA和MP3播放器等手持設備中的負載,、功放和電池開關。SiB455EDK的低導通電阻意味著更低的導通損耗,，小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠將節(jié)省下來的空間用于實現(xiàn)其他功能,，或是讓終端產(chǎn)品變得更加小巧。

新器件也是僅有的同時具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導通的12V MOSFET,，因此該器件可用在由于浪涌,、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅動電壓波動的應用中,，同時也為更小的輸入電壓提供更安全的設計,。

為減少由ESD引起的現(xiàn)場故障，器件的典型ESD保護電壓高達1500V,。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC,。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為14周到16周,。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管,、整流器,、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一,，這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信,、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者,。有關 Vishay 的詳細信息,，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。