日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK,。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝,，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻,。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品,，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元,。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì),、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半,。

SiB455EDK具有超低的導(dǎo)通電阻,，在4.5 V、2.5 V,、1.8 V和1.5 V下的導(dǎo)通電阻分別為27mΩ,、39mΩ、69mΩ和130mΩ,，比前一代領(lǐng)先的12V P溝道器件在4.5 V,、2.5 V、1.8 V下的導(dǎo)通電阻分別低55%,、52%和39%,。

該MOSFET可用做手機(jī)、智能手機(jī),、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負(fù)載,、功放和電池開(kāi)關(guān)。SiB455EDK的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠?qū)⒐?jié)省下來(lái)的空間用于實(shí)現(xiàn)其他功能,，或是讓終端產(chǎn)品變得更加小巧,。

新器件也是僅有的同時(shí)具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導(dǎo)通的12V MOSFET，因此該器件可用在由于浪涌,、尖峰,、噪聲或過(guò)壓引起柵極驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng)的應(yīng)用中，同時(shí)也為更小的輸入電壓提供更安全的設(shè)計(jì),。

為減少由ESD引起的現(xiàn)場(chǎng)故障,，器件的典型ESD保護(hù)電壓高達(dá)1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC,。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，將在2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為14周到16周,。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器,、MOSFET,、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器,、電感器,、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè),、計(jì)算,、汽車(chē)、消費(fèi),、電信,、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。