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基于ADuC7060/ADuC7061的溫度監(jiān)控解決方案
摘要: 該電路提供一種簡單的高度集成溫度.解決方案,,它可以與4mA至20mA主機控制器接口,。由于絕大部分電路功能都集成在精密模擬微控制器ADuC7060/ADuC7061中,包括雙通道24位Σ-Δ型ADC,、ARM7處理器內(nèi)核以及用于控制4mA至20mA反饋電路的DAC/PWM特性,,因此本電路是一種成本非常低的溫度監(jiān)控解決方案,。
Abstract:
Key words :

電路功能與優(yōu)勢

該電路提供一種簡單的高度集成溫度.解決方案,,它可以與4 mA至20 mA主機控制器接口,。由于絕大部分電路功能都集成在精密模擬微控制器 ADuC7060/ ADuC7061 中,包括雙通道24位Σ-Δ型ADC,、ARM7處理器內(nèi)核以及用于控制4 mA至20 mA反饋電路的DAC/PWM特性,,因此本電路是一種成本非常低的溫度監(jiān)控解決方案。

  ADuC7060/ADuC7061內(nèi)集成的ADC和其它模擬電路性能優(yōu)于其它集成模擬電路的微控制器競爭產(chǎn)品,。與使用分立ADC和單獨微控制器的解決方案相比,,本電路堪稱性價比最高、功耗最低,、電路板面積最小的解決方案,。高度集成和低功耗特性,使ADuC7060/ADuC7061能夠直接采用4 mA至20 mA應用中的環(huán)路電源供電,。如果ARM7內(nèi)核在640 kHz下工作,,主ADC有效并測量外部RTD溫度傳感器,PWM控制4 mA至20 mA反饋電路,,則整個電路的功耗典型值為3.15 mA,。有關功耗的詳細信息參見電路描述部分。

溫度監(jiān)控電路原理圖 www.163.com

  圖1. ADuC7061控制4 mA至20 mA環(huán)路溫度監(jiān)控電路(原理示意圖,,未顯示去耦和所有連接)

  在溫度測量的間隙,,可以關斷ADC和RTD激勵電流源,以進一步降低功耗,。

  100 Ω Pt RTD為Enercorp #PCS11503.1,。完整電路的精度高于±1°C。此RTD的溫度范圍為?50°C至+130°C,。它采用1206尺寸的SMD封裝,,溫度系數(shù)為0.385 Ω/°C。

  ADuC7060/ADuC7061內(nèi)部主ADC的峰峰值無噪聲碼分辨率大于18位,?;赑WM的DAC輸出提供12位有效分辨率。整個電路的性能將在電路描述部分討論,。

  ADuC7061采用5 mm × 5 mm 32-LFCSP小型封裝,,因此整個電路可以放在極小的PCB上,從而進一步降低成本,。

  電路描述

  本電路由線性調(diào)節(jié)器 ADP1720 (可調(diào)版本)供電,,它將環(huán)路電源調(diào)節(jié)至2.5 V,用于ADuC7060/ADuC7061,、運算放大器 OP193和可選的基準電壓源 ADR280 ,。

  4 mA-20 mA反饋電路主要由ADuC7060的片內(nèi)16位PWM(脈沖寬度調(diào)制器)控制。PWM的占空比通過軟件配置,,以控制47.5 ΩRLOOP電阻上的電壓,,進而設置環(huán)路電流。請注意,,RLOOP上方連接到ADuC7060接地,,RLOOP下方連接到環(huán)路接地。因此,,ADuC7060/ADuC7061,、ADP1720、ADR280和OP193所引起的電流,,以及濾波PWM輸出所設置的電流,,均流經(jīng)RLOOP。

  VREF由1.2 V精密基準電壓源ADR280提供,?;蛘撸部梢耘渲肁DuC7060/ADuC7061的片內(nèi)DAC來提供1.2 V基準電壓,,但使能內(nèi)部DAC會導致額外的功耗,。

  R1與R2接點電壓可以表示為:

  



當VIN = 0時,將產(chǎn)生滿量程電流,,此時VRLOOP = VREF,。因此,,滿量程電流為VREF/RLOOP,或者約為24 mA,。當VIN = VREF/2,,無電流流動。

  VIN時放大器OP193為高阻抗狀態(tài),,不會構成PWM濾波輸出的負載,。放大器輸出的變化幅度很小,僅約為0.7 V,。

  量程極限(0 mA至4 mA和20 mA至24 mA)處的性能無關緊要;因此,,運算放大器不需要在電源軌時具有良好的性能。

  R1和R2的絕對值無關緊要,。不過應注意,,R1與R2的匹配度很重要。

  還應注意利用ADuC7060/ADuC7061上ADC0的輸入通道測量VR12點電壓的可能性,。此ADC測量結果可以用作反饋,,以便PWM控制軟件調(diào)整4 mA至20 mA電流設置。

  ADuC7060/ADuC7061的主ADC測量RTD上的電壓,。RTD由片內(nèi)激勵電流源IEXC0激勵,。建議將激勵電流配置為200 μA以降低功耗,測量間隙應將其關閉,。主ADC前端的內(nèi)部PGA增益配置為16或32,。RTD測量的基準源可以是內(nèi)部基準源或外部5.62 kΩ參考電阻。選擇外部電阻可以進一步降低功耗,。有關RTD與ADC接口和ADC結果線性化技術的詳細信息,,請參考應用筆記AN-0970和電路筆記CN-0075。

  該電路的功耗要求取決于溫度監(jiān)控模塊是直接采用4 mA至20 mA環(huán)路電源供電,,還是采用4線式有源環(huán)路供電(溫度監(jiān)控模塊采用獨立電源),。本文假設溫度監(jiān)控模塊采用環(huán)路電源供電,因此該模塊的總功耗不應超過約3.6 mA,。

  為支持低功耗運行,,可以對內(nèi)部POWCON0寄存器進行編程,以降低ADuC7060/ADuC7061內(nèi)核的工作速度,。其最高頻率10.28 MHz可以按2的冪(2至128)進行分頻,。測試期間使用的時鐘分頻值為16,此時內(nèi)核速度為640 kHz,。主ADC使能時,,增益為32。PWM也可使能。所有其它外設均禁用,。

  針對我們的電路和測試設置,,表1詳細列出了IDD的各項功耗,表2則列出了各種外設的功耗,。

  





  圖2的DNL圖顯示:在4 mA至20 mA關鍵范圍內(nèi),,DNL典型值優(yōu)于0.6 LSB。這些測試在PWM輸出端采用二階濾波器,,并使用兩個47 kΩ電阻和兩個100 nF電容,如圖1所示,。


  圖2. 電路的典型DNL性能

  利用ADC測量點VR12和電路其它點的電壓,,可以增強PWM輸出的性能。這種反饋方法可以用于校準PWM輸出,,以提供更高精度,。

  請注意,PWM電路僅用來設置0 V至600 mV范圍內(nèi)的輸出電壓,,因此代碼數(shù)量得以減少,。0以上的碼代表大于24 mA的值,因而無關緊要,。

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