幫助蜂窩手機(jī)及其他便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)人員改善電池充電和負(fù)載開關(guān)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)經(jīng)擴(kuò)大了其mosfets/powertrench.html"> P 通道 PowerTrench® MOSFET 產(chǎn)品線。

FDMA910PZ和FDME910PZT具備MicroFET™ MOSFET 包裝,，并按照它們的物理尺寸(2X 2 mm 和1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能,，讓它們完全匹配開關(guān)和線性模式應(yīng)用。  在20V 的額定電壓下,，設(shè)備提供低通路電阻,。為預(yù)防靜電放電(ESD) 失敗，F(xiàn)DMA910PZ 和FDME910PZT  裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護(hù)設(shè)備,，這也將使最大額定IGSS 泄漏從10μA 降至1μA,。

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特色及優(yōu)勢：

FDMA910PZ

·        最大R_DS = 20 mΩ,，需V_GS = -4.5V，I_D = -9.4 A

·        最大R_DS = 24 mΩ,，需V_GS = -2.5V,，I_D = -8.6 A

·        最大R_DS = 34 mΩ，需V_GS = -1.8V,，I_D = -7.2 A

·        低配置－配備HBM ESD 保護(hù)的MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為0.8 mm

級(jí)別> 2.8kV 標(biāo)準(zhǔn)

PDME910PZT

·        最大R_DS= 24mΩ,，需V_GS = -4.5 V，I_D = -8A

·        最大R_DS= 31mΩ,，需V_GS = -2.5 V,，I_D = -7A

·        最大R_DS= 45mΩ，需V_GS = -1.8 V,，I_D = -6A

·        低配置：配備HBM ESD 保護(hù)的MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為0.55 mm

級(jí)別> 2kV 標(biāo)準(zhǔn)

FDMA910PZ 和FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,，并且為RoHS 兼容。兩種設(shè)備都提供低電壓安全操作,，并適用于手機(jī)和便攜式設(shè)備,。

飛兆半導(dǎo)體是移動(dòng)科技領(lǐng)導(dǎo)者，可提供大量模擬和電源IP 系列產(chǎn)品,，并可定制以滿足特殊設(shè)計(jì)需求,。飛兆半導(dǎo)體通過將領(lǐng)先的電路技術(shù)集成在微型高級(jí)包裝中,，為便攜產(chǎn)品用戶提供重要的優(yōu)勢，同時(shí)能夠減小設(shè)計(jì)的尺寸,、成本和功耗,。飛兆半導(dǎo)體的便攜IP 已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。

飛兆半導(dǎo)體：解決方案助您成功,！

價(jià)格：訂購1,000個(gè)

FDMA910PZ：          每個(gè)0.36美元

FDME910PZT： 每個(gè)0.33美元

供貨:按請求提供樣品

交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)

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