日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220),、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK),、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220,、TO-220F,、TO-247和TO-263封裝。
　　新的SiHP22N60S(TO-220),、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK),、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電阻僅有0.190Ω,。低RDS(on)意味著更低的導通損耗,，從而在液晶電視、個人電腦,、服務器,、開關電源和通信系統(tǒng)等各種電子系統(tǒng)中減少功率因數(shù)矯正(PFC)和脈寬調制(PWM)應用的能量損耗。
　　除低導通電阻之外,，這些器件的柵電荷只有98nc,。柵電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC,。
　　為可靠起見,，這些器件均進行了完整的雪崩測試，具有很高的重復(EAR)雪崩能量,。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續(xù)電流,。這四款器件均具有有效輸出容值標準。
　　與前一代600V功率MOSFET相比,，新器件改善了跨導和反向恢復特性,。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
　　新款Super Junction FET MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，將于2010年第一季度實現(xiàn)量產,，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”,，是全球分立半導體（二極管,、整流器、MOSFET,、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一,，這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備,。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者,。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com,。
　　Super Junction FET@ 是Vishay Intertechnology公司的注冊商標,。