IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中,。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大,、熱穩(wěn)定性好,、驅(qū)動(dòng)電路簡單,、低飽和電壓及大電流等特性，被作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制,、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域(例如：伺服電機(jī)的調(diào)速,、變頻電源)。為使我們?cè)O(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全,、更可靠的工作,，對(duì)IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。

　　IGBT失效機(jī)理：IGBT由于上述原因發(fā)生短路,，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時(shí)電流變化率di/dt過大,。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT 集電極過電壓,，而在器件內(nèi)部產(chǎn)生擎住效應(yīng),，使IGBT鎖定失效。同時(shí),，較高的過電壓會(huì)使IGBT擊穿,。IGBT由于上述原因進(jìn)入放大區(qū),，使管子開關(guān)損耗增大,。

　　IGBT失效場(chǎng)合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感,、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),、負(fù)載突變都會(huì)引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動(dòng),、電力線感應(yīng),、浪涌等。歸根結(jié)底,，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起,。

　　IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理：盡量減少主電路的布線電感量和電容量，以此來減小關(guān)斷過電壓;在集電極和發(fā)射極之間,，放置續(xù)流二極管,，并接RC電路和RCD電路等;在柵極，根據(jù)電路容量合理選擇串接阻抗,，并接穩(wěn)壓二極管防止柵極過電壓,。

　　IGBT失效防護(hù)

　　集電極過電壓、過電流防護(hù),，以IGBT變頻調(diào)速電源主電路為例(圖1),。

　　圖1：傳統(tǒng)保護(hù)模式

　　在集電極和發(fā)射極之間并接RC濾波電路，可有效地抑制關(guān)斷過電壓和開關(guān)損耗,。但在實(shí)際應(yīng)用中,，由于DC電源前端的浪涌突波會(huì)使集電極過電壓,，并使RC濾 波電路部分的抑制效果生效，IGBT通常都會(huì)被擊穿或者短路,。另外,，在電機(jī)起動(dòng)時(shí)，由于起動(dòng)時(shí)的大電流,，在主線路中分布的電感亦會(huì)造成較大程度的感應(yīng)過電壓,，使IGBT損壞。同時(shí),，電機(jī)勵(lì)磁造成的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),，對(duì)電路的破壞也相當(dāng)?shù)卮?mdash;—工程師們經(jīng)常沒有考慮到這一點(diǎn)。

　　針對(duì)上述情況,，浪涌 突波部分可以用防雷電路進(jìn)行防護(hù)(圖2),。瞬雷電子開發(fā)的藍(lán)寶寶浪涌抑制器(BPSS)，在雷擊方面既具有極大的過電流能力,，又具有極低的殘壓,。同時(shí)，針 對(duì)電機(jī)部分,，參照ISO7637的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),，該產(chǎn)品完全可以使用。而使用其他器件則不能同時(shí)達(dá)到上述兩種情況,。具體問題有：壓敏電阻在ISO7637的長 波(P5A)中容易失效,，并且不宜長期使用;陶瓷放電管不能直接用于有源電路中，常因續(xù)流問題導(dǎo)致電路短路,，并且抑制電壓過高,。

　　圖2：新型防護(hù)模式

　　柵極過電壓、過電流防護(hù)

　　傳統(tǒng)保護(hù)模式：防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件,， 如下圖的電阻RGE的作用,，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT,。另 外,，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等,。然而即使這樣,，在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具 有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%,。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌,、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐 電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,，從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞,。

　　新型保護(hù)模式：將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管(TVS),。一般柵極驅(qū)動(dòng)電壓約為15V，可以選型SMBJ15CA,。該產(chǎn)品可以通過IEC61000-4-5浪涌測(cè)試10/700US 6kV,。

　　TVS反應(yīng)速度極快(達(dá)PS級(jí))，通流能力遠(yuǎn)超穩(wěn)壓二極管(可達(dá)上千安培),，同時(shí),，TVS對(duì)靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過 IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測(cè)試,。

　　將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)(PPTC)保險(xiǎn)絲,。它既具有電阻的效果，又對(duì)溫度比較敏感,。當(dāng)內(nèi)部電流增加時(shí),，其阻抗也在增加，從而對(duì)過流具有非常好的抑制效果,。

　　圖3：傳統(tǒng)保護(hù)模式和新型保護(hù)模式電路對(duì)比