《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高壓軟起動中晶閘管的選型及應(yīng)用
摘要: 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,晶閘管軟起動裝置應(yīng)運(yùn)而生,。三相異步電動機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化,。晶閘管軟起動產(chǎn)品問世不過30年左右的時(shí)間,,而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動、液阻軟起動等傳統(tǒng)軟起動方式,。它的體積小,,結(jié)構(gòu)緊湊,幾乎免維護(hù),,功能齊全,,起動重復(fù)性好,保護(hù)周全,,目前已成為軟起動領(lǐng)域中的佼佼者,。
Abstract:
Key words :

 

 1 引言

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,晶閘管軟起動裝置應(yīng)運(yùn)而生,。三相異步電動機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化,。晶閘管軟起動產(chǎn)品問世不過30年左右的時(shí)間,而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動,、液阻軟起動等傳統(tǒng)軟起動方式,。它的體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,,幾乎免維護(hù),,功能齊全,起動重復(fù)性好,,保護(hù)周全,,目前已成為軟起動領(lǐng)域中的佼佼者。

  2 晶閘管簡介

  晶閘管(thyristor)是晶體閘流管的簡稱,,又可稱做可控硅整流器,,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第一個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),,它有三個(gè)極:陽極,,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流。其派生器件有:快速晶閘管,,雙向晶閘管,,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,,在電路中用文字符號為“v”,、“vt”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“scr”表示)。

  晶閘管具有硅整流器件的特性,,能在高電壓,、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,。

  3 晶閘管參數(shù)說明

  為了正確地選擇和使用晶閘管,對其主要參數(shù)應(yīng)有所了解才能正確地選型,。晶閘管的主要參數(shù)有:

  (1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓udrm

  是指晶閘管在正向阻斷時(shí),,允許加在a、k,,如圖1所示,,a是晶閘管的陽極,k是晶閘管的陰極,,g是晶閘管的門極,。極間最大的峰值電壓。此電壓約為不重復(fù)峰值電壓udsm的90%,。

  

 

  (2)反向重復(fù)峰值電壓urrm

  在控制極斷路時(shí),,允許重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓,稱為反向阻斷峰值電壓,。此電壓約為不重復(fù)峰值電壓ursm的90%,。

  udrm和urrm在數(shù)值上一般相近,,統(tǒng)稱為晶閘管的阻斷峰值電壓,。通常把其中較小的那個(gè)數(shù)值作為該型號器件上的額定電壓值。

  由于瞬時(shí)過電壓也會使晶閘管損壞,,因此晶閘管的額定電壓應(yīng)選為正常工作峰值電壓的2~3倍,,以確保安全。

  (3)額定正向平均電流if

  在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)散熱條件和環(huán)境溫度(40℃)下,,晶閘管的陽極和陰極間允許連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值,,稱為額定正向平均電流。

  由于晶閘管的過載能力小,,選用晶閘管的額定正向平均電流時(shí),,至少應(yīng)大于正常工作平均電流的1.5~2倍,以留有一定的余地,。

  (4)維持電流ih

  在室溫下,,控制極開路時(shí),,維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通所必須的最小電流,稱為維持電流,。當(dāng)正向電流小于ih值時(shí),,晶閘管就自行關(guān)斷。ih值一般為幾十至一百多毫安,。

  (5)控制極觸發(fā)電壓vg,、觸發(fā)電流ig

  在室溫下,陽極加正向電壓為直流6v時(shí),,使晶閘管由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通所需要的最小控制極電壓和電流,,稱為控制極觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。vg一般為3.5~5v,,ig約為幾十至幾百毫安,。實(shí)際應(yīng)用時(shí),加到控制極的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流應(yīng)比額定值稍微大點(diǎn),,以保證可靠觸發(fā),。

  (6)電壓上升率dv/dt

  晶閘管阻斷時(shí)其陰陽極之間相當(dāng)于一個(gè)結(jié)電容當(dāng)突加陽極電壓時(shí)會產(chǎn)生充電電容電流,此電流可能導(dǎo)致晶閘管誤導(dǎo)通,,因此對管子的最大正向電壓上升率必須加以限制,,一般采用阻容吸收元件并聯(lián)在晶閘管兩端的辦法加以限制。

  (7)電流上升率di/dt

  晶閘管開通時(shí)電流是從靠近門極區(qū)的陰極開始導(dǎo)通然后逐漸擴(kuò)展到整個(gè)陰極區(qū)直至全部導(dǎo)通,,這個(gè)過程需要一定的時(shí)間,,如陽極電流上升太快,使電流來不及擴(kuò)展到整個(gè)管子的pn結(jié)面,,造成門極附近的陰極因電流密度過大,,發(fā)熱過于集中pn結(jié),結(jié)溫會很快超過額定結(jié)溫而燒毀晶閘管,,故必須限定晶閘管的電流上升臨界值di/dt,,一般在橋臂中串入電感或鐵淦氧磁環(huán)。

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