典型電源管理結(jié)構(gòu)

　　高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓,，因此轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高,。為了降低400V以上電壓的功率損耗，大多數(shù)電路設(shè)計(jì)人員更喜歡使用絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT),，或者最新的碳化硅(SiC)FET,。這些器件的切斷電壓可高達(dá)1200V，并且相比等效Si MOSFET擁有更低的“導(dǎo)通”電阻,。這些復(fù)雜的電源系統(tǒng)通常由一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器,、一個(gè)微控制器或者一個(gè)專用數(shù)字電源控制器來管理。因此,，它們常常會(huì)要求同時(shí)將電和信號(hào)都隔離于功率級(jí)的高噪聲開關(guān)環(huán)境,。即使在穩(wěn)態(tài)開關(guān)周期內(nèi)，電路的電壓和電流也會(huì)劇烈變化,，形成明顯的接地跳動(dòng),。

　　圖1： 風(fēng)力發(fā)電機(jī)到電網(wǎng)的簡化電力傳輸流程圖

　　圖2表明,，即使是一個(gè)單相DC到AC逆變器，也需要許多柵極驅(qū)動(dòng)器,，以正確地在功率級(jí)中對(duì)IGBT進(jìn)行開關(guān)操作,。本文講述的電源開關(guān)的驅(qū)動(dòng)是基于德州儀器單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27531,。作為一種單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,，只要具有必需的信號(hào)和偏壓隔離， UCC27531就可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)橋的任何開關(guān),。利用一個(gè)光耦合器或者數(shù)字隔離器,，實(shí)現(xiàn)信號(hào)隔離。對(duì)于偏壓隔離,，設(shè)計(jì)人員可以使用一種帶二極管和電容器的自舉電路,，或者一個(gè)隔離式偏壓電源。另一種方法是,，與控制器一樣,，連接同一個(gè)隔離端上的柵極驅(qū)動(dòng)器，然后通過柵極驅(qū)動(dòng)器后面的一個(gè)柵極變壓器驅(qū)動(dòng)開關(guān),。這種方法允許通過控制端上一個(gè)非隔離式電源,，對(duì)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行偏置。

　　圖2：單相逆變器基本結(jié)構(gòu)

　　可再生能源的柵極驅(qū)動(dòng)器

　　作為一種小型,、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,，單通道UCC27531可以很好地工作在前述環(huán)境下。它的IC輸入信號(hào)通過一個(gè)光耦合器或者數(shù)字隔離器提供,。它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V,，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。這里,，正柵極驅(qū)動(dòng)通常更高,，并且關(guān)斷時(shí)負(fù)電壓下拉，目的是防止電源開關(guān)受到錯(cuò)誤導(dǎo)通的損害,。一般而言,，SiC FET由一個(gè)相對(duì)于電源的+20/-5V柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。同樣,，就IGBT而言,，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可能會(huì)使用一個(gè)+18/-13V柵極驅(qū)動(dòng)，如圖3所示,。

　　利用FET/IGBT單柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電源開關(guān)

　　由于UCC27531是一種軌到軌驅(qū)動(dòng)器,，因此相對(duì)于發(fā)射極，OUTH上拉電源開關(guān)柵極至其18V VDD,。相對(duì)于發(fā)射極,，OUTL下拉柵極至驅(qū)動(dòng)器的–13 V GND,。驅(qū)動(dòng)器有效地從+18到-13V，或者從相對(duì)于其自有GND的VDD到31V,。另外,，35V額定電壓提供了一定的余量，可防止噪聲和振鈴產(chǎn)生的IC過電壓故障,。

　　OUTH和OUTL的分離輸出,，允許用戶單獨(dú)控制導(dǎo)通(灌)電流和關(guān)斷(拉)電流。它幫助最大化效率,，并保持開關(guān)時(shí)間控制,，從而滿足噪聲和電磁干擾要求。另外,，即使是分離輸出,，單柵極驅(qū)動(dòng)器也在輸出級(jí)保持最小電感，防止出現(xiàn)過多振鈴和過沖,。利用一種非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)(2.5A導(dǎo)通,，5A關(guān)斷)，UCC27531經(jīng)過了優(yōu)化,，適用于高功率可再生能源應(yīng)用的平均開關(guān)時(shí)序,。再者，利用低下拉阻抗,，這種驅(qū)動(dòng)器通過確保柵極不遭受電壓尖峰來增加可靠性,。由于IGBT的集電極和柵極之間以及FET的漏極和柵極之間的寄生米勒效應(yīng)電容，這些電壓尖峰可能會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)錯(cuò)誤導(dǎo)通,。開關(guān)導(dǎo)通期間集電極/漏極電壓迅速上升,，這時(shí)在柵極上拉升電壓，這種內(nèi)部電容便以此來引導(dǎo)柵極超出導(dǎo)通閾值電壓,。

　　UCC27531的輸入級(jí)也為可再生能源等高可靠性系統(tǒng)而設(shè)計(jì),。它擁有一個(gè)所謂的TTL/CMOS輸入，其與電源電壓無關(guān),，從而實(shí)現(xiàn)了與標(biāo)準(zhǔn)TTL級(jí)信號(hào)的兼容,。相比典型TTL中的常見0.5V磁滯，它擁有約1V的高磁滯,。如果輸入信號(hào)因故丟失變得不穩(wěn)定,，則拉低輸出。另外,，驅(qū)動(dòng)器IC的GND電壓較大變化時(shí),，如果在開關(guān)沿期間GND跳動(dòng)較高，則輸入信號(hào)可能表現(xiàn)為負(fù),。由于能夠連續(xù)對(duì)這些事件期間輸入(IN)或激活(EN)端上-5V電壓進(jìn)行處理,，因此驅(qū)動(dòng)器成功地解決了這個(gè)問題,。

　　UCC27531使用3 x 3mm的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，相比使用離散式電平位移器,、沒有負(fù)輸入能力或者缺少保護(hù)的離散式雙晶體管解決方案,，它擁有非常大的競爭力。除節(jié)省大量空間以外,，把UCC27531的各種功能集成到一塊單IC封裝中還提高了系統(tǒng)的整體可靠性,。

　　這種單通道驅(qū)動(dòng)器是一種引人注目的解決方案，因?yàn)樗梢苑浅,？拷娫撮_關(guān)柵極放置,。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，它的靈活度更高,。這種靈活性可幫助最小化驅(qū)動(dòng)器和電源開關(guān)之間的電感，并讓設(shè)計(jì)人員能夠更好地控制開關(guān)柵極,。圖2說明了許多高功率開關(guān)如何集成到一個(gè)DC到AC級(jí)單相中,。對(duì)于一個(gè)完整的多轉(zhuǎn)換(DC和AC之間往復(fù)轉(zhuǎn)換)三相系統(tǒng)而言，甚至一些應(yīng)用中還需要DC到DC轉(zhuǎn)換增壓級(jí),，需要許多的柵極驅(qū)動(dòng)器,。每一個(gè)驅(qū)動(dòng)器的放置都必須在PCB上安排好，以確保獲得正確的設(shè)計(jì),。

　　雖然表面看起來,，電源開關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器只是總系統(tǒng)控制和電力生產(chǎn)流程中一個(gè)小小的部件，但它們對(duì)整體設(shè)計(jì)性能卻十分的重要,。