《電子技術(shù)應(yīng)用》
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NAND閃存芯片利用3D堆疊技術(shù)成功解決體積壓縮難題
來源:ZDNet
摘要: 堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內(nèi)成為閃存芯片市場上的主流方案,。根據(jù)分析企業(yè)IHS的推測,這項新技術(shù)的出現(xiàn)將令當(dāng)下閃存制造商們所大肆宣揚(yáng)的芯片尺寸壓縮方案變得黯然失色,,并在未來成為削減產(chǎn)品尺寸,、擴(kuò)大產(chǎn)品容量的首先機(jī)制...
關(guān)鍵詞: 3D 閃存 NAND
Abstract:
Key words :

 堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內(nèi)成為閃存芯片市場上的主流方案,。根據(jù)分析企業(yè)IHS的推測,這項新技術(shù)的出現(xiàn)將令當(dāng)下閃存制造商們所大肆宣揚(yáng)的芯片尺寸壓縮方案變得黯然失色,,并在未來成為削減產(chǎn)品尺寸,、擴(kuò)大產(chǎn)品容量的首先機(jī)制。

 
這家技術(shù)分析企業(yè)還就此制作了一份圖表,,其中顯示3D NAND方案到2017年將占據(jù)超過三分之二的閃存市場份額——相比之下,,目前其市場占有率僅為1%到2%。
 
全球3D NAND出貨量在整體NAND閃存出貨量當(dāng)中所占比例(來源:HIS,,2013年10月)
 
為什么會這樣?簡而言之:目前16到19納米工藝已經(jīng)是NAND閃存產(chǎn)品的極限,,任何進(jìn)一步壓縮尺寸的嘗試都會帶來極高的成本且導(dǎo)致存儲位不再穩(wěn)定可靠。有鑒于此,,要想在同樣體積的閃存產(chǎn)品中獲得更大存儲空間,,我們就必須往芯片里塞進(jìn)更多閃存單元層。
 
三星公司于今年八月宣布,,他們正在利用其V-NAND技術(shù)將3D堆疊方案變成現(xiàn)實,。
 
IHS公司內(nèi)存與存儲高級分析師Dee Robinson在一份錄音聲明中這樣解讀上述圖表:“目前大部分技術(shù)人員已經(jīng)達(dá)成共識,NAND閃存再有一到兩代產(chǎn)品就將逼近傳統(tǒng)單導(dǎo)體技術(shù)的理論極限,。隨著光刻技術(shù)精度的進(jìn)一步提升,,產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠性將大幅退化,。如此一來,NAND根本無法以足夠低廉的成本廣泛普及到各種應(yīng)用領(lǐng)域,。”
 
在芯片上進(jìn)行存儲層堆疊則不僅能夠增加容量,,更可能在未來將閃存產(chǎn)品的成本控制到較低水平。
 
HIS公司的分析人士也表示:“這很可能成為NAND進(jìn)入新水平的最具成本效益的方式,,因為大部分現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備都能夠與新產(chǎn)品順利對接,,這一方面能夠最大限度減少開支、另一方面則有效提高了投資回報率,。”不過需要指出的是,,“由于堆疊式技術(shù)所使用的多級結(jié)構(gòu),故障分析工作會變得難于進(jìn)行,。”
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