日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善,。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,，柵極電荷為34nC,。
　
　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI,，實現(xiàn)更高的效率,，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復故障。
　
　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級,，在10V柵極驅動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗,，可以在用于LIPS逆變器,、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC,、全橋,、半橋和雙管正激拓撲中節(jié)省能源。
　
　　為了能可靠地工作,，該器件進行了完備的雪崩測試,，可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結溫限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝,，符合RoHS指令2002/95/EC,。
　
　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周,。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管,、整流器,、MOSFET,、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器,、電感器,、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè),、計算,、汽車、消費,、電信,、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者,。有關 Vishay 的詳細信息,，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。