日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻,，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝,。
　
　　通過推出SiA975DJ，Vishay將其第三代P溝道TrenchFET技術(shù)擴展到雙路12V功率MOSFET,，并且采用了適用于手持式電子設(shè)備的超小PowerPAK SC-70封裝,。新器件可用于游戲機及手機、智能手機,、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負載,、PA和電池開關(guān)。
　
　　對于這些設(shè)備,，SiA975DJ的更低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,，使器件能夠用比以往市場上采用超小封裝的雙路P溝道功率MOSFET更少的能量完成開關(guān)工作，從而延長兩次充電之間的電池壽命,。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著在峰值電流下的電壓降更低,，能夠更好地防止IC和負載出現(xiàn)欠壓鎖定情況。這樣,，設(shè)計者就可以使用電壓更低的電池,。
　
　　SiA975DJ具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5V,、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為41mΩ,、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P溝道器件的柵源電壓等級為8V,，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻為60mΩ和80mΩ,。這些數(shù)值分別比SiA975DJ高32%和25%。
　
　　SiA975DJ的PowerPAK SC-7封裝占位只有2mm x 2mm,，是TSOP-6尺寸的一半,，而導(dǎo)通電阻則相差無幾。MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測試,，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,，符合RoHS指令2002/95/EC。
　
　　新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、整流器、MOSFET,、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一,，這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。