日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出采用小尺寸,、散熱增強型PowerPAK^®MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower^®集成DrMOS新品---SiC620,。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,，但效率更高出3%,，最高可達95%。這些器件封裝的寄生參數(shù)比離散方案小,，使開關頻率可以達到1.5MHz,，能有效提高功率密度，降低總體方案成本,。

該器件包含的高端和低邊TrenchFET^®Gen IV N溝道低導通阻抗的MOSFET,，先進的MOSFET驅(qū)動IC，以及自舉的肖特基勢壘二極管,，全部集成在小尺寸25mm²面積內(nèi),。SiC620的驅(qū)動IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯,。

SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標準,，針對筆記本電腦、服務器,、游戲機,、圖形卡、交換機和存儲系統(tǒng),，以及其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中的高功率,、多相降壓穩(wěn)壓器，以及大電流的非隔離負載點模塊,。Buck變換器在12V輸入時是最優(yōu)的，輸入電壓可以從4.5V到16V的范圍,，PWM傳輸延遲小于20ns,。器件具有優(yōu)異的散熱性能，工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上,。

器件的驅(qū)動IC集成了零電流檢測電路,，可以改善輕負載條件下的效率，且自適應式死區(qū)時間控制有助于進一步提高所有負載點下的效率,。保護功能包括欠壓鎖定(UVLO),、擊穿保護和過熱警告以便在結溫過高時向系統(tǒng)發(fā)出告警,。