2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年,。受惠于全球智慧型手機(jī)持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式記憶體,； TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預(yù)估,， 2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機(jī)會(huì)突破40%大關(guān),。
DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示,，拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出相對減少,，反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位,，2014年4GB模組均價(jià)約32美元， 標(biāo)準(zhǔn)型記憶體毛利率平均達(dá)40%以上,。各DRAM廠朝向全面獲利的狀態(tài),，寡占市場格局與需求端的市場變化都將牽動(dòng)2015年DRAM產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展。
DRAMeXchange 預(yù)測 2015年 DRAM 產(chǎn)業(yè)五大市場趨勢如下：
(1) DRAM成長趨緩但各廠皆以獲利為優(yōu)先
DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為寡占市場結(jié)構(gòu),，僅存的三大DRAM廠皆以獲利導(dǎo)向?yàn)閮?yōu)先,，謹(jǐn)慎控制產(chǎn)出與產(chǎn)品類別的調(diào)整,，加上全球智慧型手機(jī)持續(xù)維持高度成長，亦 讓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向行動(dòng)式記憶體,，擠壓到標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出,，讓標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場價(jià)格維持高價(jià)水位，儼然成為DRAM廠的金雞母,，因此在獲利方面都交出亮眼的成績 單,。DRAMeXchange預(yù)估 2015年的DRAM產(chǎn)值將達(dá)541億美元，年成長為16%,，為市場穩(wěn)定成長獲利的一年,。
(2) 三星與SK海力士皆有新廠完工，視市場需求動(dòng)態(tài)調(diào)整產(chǎn)能
三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)不約而同在2014年宣布擴(kuò)建新廠的消息,，產(chǎn)能競賽再起的傳聞甚囂塵上,，但 DRAMeXchange指出，事實(shí)上三星在擴(kuò)建Line17的同時(shí),，Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用,。而SK海力士M14預(yù)計(jì)在明年第四季才有少量投片，較大規(guī)模的投片將在2016年才會(huì)浮現(xiàn),。
整體而言,，DRAMeXchange認(rèn)為由于市場的需求仍會(huì)持續(xù)成長，工廠只是為未來需求而興建,，只要投片產(chǎn)出是有計(jì)劃性的,，后續(xù)價(jià)格雖然會(huì)逐季下降，但只要制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)進(jìn)行,，DRAM廠獲利仍能夠保持在現(xiàn)有水位,。
(3) 行動(dòng)式記憶體躍居主流，LPDDR4明年現(xiàn)身
2014年智慧型手機(jī)走入平價(jià)化,，不少高規(guī)低價(jià)機(jī)種在全球市場攻城掠地,，讓新興市場掀起一股智慧型手機(jī)的換機(jī)潮。 郭祚榮表示,，在智慧型手機(jī)市場不停擴(kuò)大的同時(shí),，2015年行動(dòng)式記憶體市占也逼近全球市場的40%，相較于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體27%的占比,，行動(dòng)式記憶體已躍升 全球DRAM市場主流產(chǎn)品,。
另一方面，從行動(dòng)式記憶體做觀察,，2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3,，產(chǎn)出量達(dá)60%以上，而新規(guī)格LPDDR4將在明年首度應(yīng)用在旗艦智慧型手機(jī)機(jī)種,，無論省電機(jī)制與時(shí)脈更勝LPDDR3,，預(yù)計(jì)2015年市占率將達(dá)到15%,。
(4) 20nm成為主戰(zhàn)場，然而資本支出增加將讓制程轉(zhuǎn)進(jìn)趨緩
韓系DRAM廠25nm制程在2014年下半年已邁入成熟期,，無論良率與投片規(guī)模都成為DRAM主流規(guī)格,。至于20nm制程，三星已進(jìn)入驗(yàn)證階 段,，SK海力士預(yù)計(jì)在明年第二季初進(jìn)入市場,；相較之下，美光(Micron)目前規(guī)劃只有華亞科才有20nm制程的標(biāo)準(zhǔn)型記憶體,，轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度較兩大韓廠落 后,，目標(biāo)2015年底達(dá)到80K投片量。
DRAMeXchange表示,，由于進(jìn)入20nm制程需要更多的設(shè)備來生產(chǎn),，意味著需要更多的資本支出，然而在獲利導(dǎo)向下,，各廠20nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)比重將會(huì)趨緩,。
(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大關(guān)
在英特爾(Intel)強(qiáng)勢主導(dǎo)與DRAM廠的全力配合下,，DDR4記憶體將在伺服器領(lǐng)域率先切入,。郭祚榮表示，伺服器記憶體除了穩(wěn)定性的要求外,， 近期更著墨于低電壓與速度兼顧,。根據(jù)JEDEC的規(guī)范，DDR4電壓值僅有1.2V,，未來速度更可高達(dá)3200Mhz,。而價(jià)格部分也正與伺服器用DDR3 逐步貼近，DRAMeXchange預(yù)計(jì)DDR4最快于2015年底取代DDR3,，正式成為伺服器市場記憶體主流,。