市場(chǎng)傳出,，韓國(guó)三星的14奈米FinFET制程良率近期已有明顯改善，引發(fā)臺(tái)積電(2330)大客戶手機(jī)晶片龍頭廠高通(Qualcomm)在臺(tái)積電試產(chǎn)16奈米FinFET制程喊卡,，加上高通高階S810晶片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,，3月上市時(shí)間延宕，市場(chǎng)預(yù)期將沖擊臺(tái)積電南科廠先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營(yíng)運(yùn),。

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)本周四舉行法說(shuō)會(huì),，屆時(shí)將會(huì)針對(duì)市場(chǎng)傳聞與營(yíng)運(yùn)展望提出說(shuō)明。不過(guò),，上周已有外資法人認(rèn)為臺(tái)積電今年面臨競(jìng)爭(zhēng)恐將加劇,，獲利成長(zhǎng)可能 趨緩，率先調(diào)降投資評(píng)等,，引發(fā)外資連續(xù)多個(gè)交易日賣超,，不過(guò)，昨日外資賣超已縮小為8000多張,，股價(jià)小漲0.5元,，以132.5元作收 。

　　去年7月中旬,，臺(tái)積電因先量產(chǎn)20奈米制程,，16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星晚，導(dǎo)致大客戶高通轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),，臺(tái)積電也坦承今年在此一制程市占率會(huì)較低,，預(yù)期隨著今年下半年產(chǎn)能開出后，明年將搶回市占率,。

　　臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家在去年10月法說(shuō)會(huì)更指出,，16奈米FinFET制程試產(chǎn)進(jìn)度超過(guò)預(yù)期且順利，將提早到今年第二季導(dǎo)入量產(chǎn),，第三季投片 量放大并開始貢獻(xiàn)營(yíng)收,，第四季挹注營(yíng)收會(huì)很顯著，此制程生產(chǎn)效能超過(guò)臺(tái)積電歷代制程,，貢獻(xiàn)營(yíng)運(yùn)的成長(zhǎng)斜度也會(huì)比20奈米制程更大,。

　　不過(guò),，市場(chǎng)傳出,，韓國(guó)三星的14奈米FinFET制程良率近期明顯改善，加上價(jià)格策略搶單搶得兇，吸引高通全面轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),，原在臺(tái)積電試產(chǎn) 16奈米FinFET制程則喊卡;高通高階S810晶片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,，3月上市時(shí)間延宕，蘋果iPhone 6拉貨旺季又已過(guò),，臺(tái)積電先進(jìn)制程主力廠南科14廠產(chǎn)能利用率恐受沖擊,，傳出決定先行暫時(shí)停產(chǎn)20奈米2成產(chǎn)能，這可能影響臺(tái)積電第一季營(yíng)運(yùn)下滑幅度比預(yù) 期高,。