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High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導入時間

2025-07-03
來源:快科技

7月2日消息,據媒體報道,2023年末ASML英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機,業(yè)界普遍認為,High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發(fā)和下一代處理器的生產中發(fā)揮關鍵作用。

不過這種情況最近似乎發(fā)生了變化,各個晶圓代工廠都在減少對High-NA EUV依賴,并且延后引入新技術的時間。

近日投資機構下調ASML目標股價,從每股795歐元降至759歐元,降幅約5%,同時調低了2026-2027年的收益預期。不過,機構仍維持“買入”評級,認為ASML長期增長邏輯未變。

此次股價預期調整的核心原因在于High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻機)需求不及預期。美國銀行預測,ASML 2026年High-NA EUV出貨量或僅4臺,較此前預期減少50%。

行業(yè)分析指出,芯片制造技術正轉向新型晶體管結構(如GAAFET、CFET),這些設計通過“環(huán)繞式柵極”和蝕刻工藝優(yōu)化性能,降低了對光刻精度的依賴。因此,晶圓廠可能延后High-NA EUV的采用時間,轉而優(yōu)化現有EUV設備的使用效率。

盡管短期面臨High-NA EUV需求調整,但投資機構對ASML的長期前景仍持樂觀態(tài)度。AI芯片(如GPU、AI加速器)的爆發(fā)式增長推動先進制程需求,而ASML的EUV技術仍是3nm及以下工藝的關鍵設備。

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