安森美半導(dǎo)體展示高能效3D傳感器層疊技術(shù)
2015-01-20
2015年1月7日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN) 成功鑒定性能并展示首款功能全面的層疊式CMOS圖像傳感器,。相比傳統(tǒng)的單片非層疊式設(shè)計,,這傳感器的裸片占用空間更少、像素表現(xiàn)更高及功耗更佳,。這技術(shù)已成功實現(xiàn)及性能被鑒定于1.1微米(µm)像素的測試芯片,,并將于本年稍以產(chǎn)品形式推出,。
傳統(tǒng)采用單片基板工藝的傳感器設(shè)計需要單獨的裸片區(qū)以支持像素陣列和輔助電路,。有了3D層疊技術(shù),,像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作,然后通過硅穿孔技術(shù)(TSV)堆疊連接,。這樣,,像素陣列就能覆蓋基本電路,實現(xiàn)更有效率的裸片分布,。這種方法讓設(shè)計工程師能夠優(yōu)化傳感器的各個部分,,如成像性能,、成本,、功率和裸片尺寸,。像素陣列的優(yōu)化能提高傳感器的像素性能,降低噪聲水平及增強像素反應(yīng),。下層電路也可以使用更嚴(yán)格的設(shè)計規(guī)則來降低功耗,。更少的總占板空間支持現(xiàn)今先進(jìn)的相機模組,這些模組整合了光學(xué)圖像穩(wěn)定(OIS)和附加數(shù)據(jù)存儲功能于同一個占用空間,。
安森美半導(dǎo)體圖像傳感器部技術(shù)副總裁Sandor Bama表示:“3D層疊技術(shù)是令人興奮的突破,,它提高了我們在優(yōu)化安森美半導(dǎo)體未來傳感器的能力。這技術(shù)帶來制造和設(shè)計的靈活性,,確保我們整個傳感器系列維持性能領(lǐng)先的地位,。”
安森美半導(dǎo)體將于美國時間1月6日到8日在拉斯維加斯舉行的2015國際消費電子展期間展示其最新的圖像傳感器技術(shù)及產(chǎn)品。如需預(yù)約私人參觀圖像傳感器現(xiàn)場演示,,請聯(lián)系安森美半導(dǎo)體銷售代表,。
關(guān)于安森美半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新,,使客戶能夠減少全球的能源使用,。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯,、分立及定制方案陣容,,幫助設(shè)計工程師解決他們在汽車、通信,、計算機,、消費電子、工業(yè),、LED照明,、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn),。公司運營敏銳,、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項目,,及在北美,、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò),。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn,。
· 請關(guān)注官方微博@安森美半導(dǎo)體