《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列,為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢

2015-02-11

    意法半導體 (STMicroelectronics,,簡稱ST,;紐約證券交易所代碼:STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管,其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢,,包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器,、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器,、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備,。

    意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領(lǐng)導廠商之一,,并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級,。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列,具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON)) 及高達200°C的最大工作結(jié)溫等諸多特性優(yōu)勢,;其高度穩(wěn)定的關(guān)斷電能 (Eoff) 和柵電荷 (Qg) 可使開關(guān)性能在整個工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)始終如一,。最終的低導通損耗和開關(guān)損耗配合超低泄漏電流,將有助于簡化熱管理設(shè)計,,并最大限度地提高可靠性,。

    除更低的電能損耗外,意法半導體的碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率也同樣出色,,較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 高出三倍,,這讓設(shè)計人員能夠使用更小的外部元器件,進而降低產(chǎn)品尺寸,、重量以及材料成本,。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡化電源模塊、電動汽車等應(yīng)用的散熱系統(tǒng) (cooling-system) 設(shè)計,。 

    SCT20N120采用意法半導體獨有的HiP247™封裝,,其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達200°C時,依然能夠維持與TO-247 工業(yè)標準功率封裝外觀兼容,。

    SCT20N120目前已開始量產(chǎn),,詳情請瀏覽:http://www.st.com/sicmos

關(guān)于意法半導體

    意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應(yīng)商,為客戶提供傳感器,、功率器件,、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),,到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費電子,,從家電,、汽車,,到辦公設(shè)備,從工作到娛樂,,意法半導體的微電子器件無所不在,,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用,。意法半導體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念,。

    意法半導體2014年凈收入74.0億美元。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com,。

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