賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年3月16日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出九款采用熱增強(qiáng)型5 mm x 6 mm PowerPAK? MLP56-39封裝,，集成電流和溫度監(jiān)測(cè)功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower? 智能功率模塊,。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模塊提高能效和電流報(bào)告精度,，降低數(shù)據(jù)中心和其他高性能計(jì)算,，以及5G移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施通信應(yīng)用的能源成本。 

日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC,。為提高能效,，器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET? Gen IV技術(shù)，這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn),，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,。SiC8xx智能功率模塊各種應(yīng)用條件下峰值能效可達(dá)93 %以上。輕載時(shí)可啟用二極管仿真模式,，提高全負(fù)載范圍的效率,。

采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案，電流報(bào)告精度為7 %,，而SiC8xx 系列器件采用低邊MOSFET進(jìn)行檢測(cè),，精度誤差小于3 %。從而有助于提高Intel,、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)（SoC）性能,，改進(jìn)熱管理。器件適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器,、CUP和GPU的多相VRD,、存儲(chǔ)器以及DC/DC VR模塊。

SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示）,，開關(guān)頻率高達(dá)2 MHz,。故障保護(hù)功能包括高邊MOSFET短路和過流報(bào)警、過熱保護(hù)和欠壓鎖定（UVLO）,。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三態(tài)PWM邏輯電平,，兼容各種PWM控制器。

智能功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為16周,。